【展望】摩根士丹利:七个利好加持,明年中芯国际表现更优；北方华创收到中关村科技园补助1016万元
1.摩根士丹利：七个利好加持，明年中芯国际表现更优;
2.中芯国际：国家大基金认购可换股证券最多3亿美元;
3.北方华创收到中关村科技园补助1016万元;
4.华虹半导体推出12位SAR ADC IP助力超低功耗MCU平台
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1.摩根士丹利：七个利好加持，明年中芯国际表现更优;
集微网消息，近日摩根士丹利（大摩）发布了对中芯国际的研究报告，并将中芯股票评级定为看好，直到价格上修至13.5港币。预计中芯的布局重点将包括:持续追赶先进工艺、实施差异化策略、启动产能扩张、跨界整合后段封测等。大摩看好中芯未来一年发展基于如下7个因素的考虑：
1.未来增长基于目前的资本/研发支出：中芯国际表示，其未来战略是在投资和盈利能力之间取得平衡。大摩认为这可能是一个极具挑战的任务。但是如果中芯放慢研发速度，未来就可能错失成为领先代工厂的机会。因此，尽管今年中芯的产能利用率较低，但其并没有削减研发经费。就资本支出而言，中芯可能在先进工艺放慢采用合资经营模式，这将有助于减轻资本支出负担，同时保证技术迁移路线。该公司目标是在2020年量产14nm工艺。
中芯国际的晶圆产能中，2017年第三季度为44.795万片，环比增长2.2%，产能利用率2017年第三季度为84%，而去年同期为97.2%，可能也与产能扩张过快的因素有关。在产能扩张方面，除内在的动力，如企业自身实力的增强，产能利用率的上扬，中国境内客户的销售额比重已达50%外，外部压力也确实使中芯国际面临持续扩张产能的必要性，特别是必须缩短与国际大厂间的产能差距，同时考虑中国半导体业向上冲刺的态势，中芯国际必须扮演中国集成电路制造业的领头羊。
2.渡过短暂的低谷：指纹业务下滑是今年产能利用率较低的主要原因之一。不过现在订单又开始陆续回到中芯了，预计一家关键指纹客户直到下个季度的连续增长为中芯的营收带来助益。NOR Flash是今年另一个高速增长的领域。
3.加强28nm工艺：中芯预计到在四季度有所下滑，而28nm的营收贡献比例将提升。据中芯介绍，其第四季度28nm营收比例将超过10%，主要来自PolySION。该公司承认2018年可能需要关注28nm良率的提升，虽然目前技术已经可以满足关键客户对产量和性能的要求。中芯计划在2018年下半年加速HKMG投产。
28nm和40nm是中芯的重点产品，不过该公司的28nm HKMG工艺良率不达预期，目前为40%左右，但市场分析人士普遍认为梁孟松的加入将迅速改良28nm的工艺技术，而且该公司也在研发自有的14nm工艺技术，在这一块梁孟松在三星有过类似的历史，或可能扭转中芯国际的竞争力。
4.募集资金用于中期增长和投资者合作：11月29日，中芯宣布发行权益和可转换债券计划，如果大唐和大基金各自行使优先购买权，募集资金总额将达9.69亿美元。该计划是利用这些收益来进行中期业务发展中，并与战略投资者（如兆易创新）建立更紧密的合作关系。目前中芯手头现金约10亿美元，年运营现金流20亿美元。兆易创新、大基金和大唐将一起认购超过70%的资金。
就目前完成情况来看，兆易创新出资7000万美元认购配售股份，大基金有意认购本金总额最高为3亿美元的股份；而大唐则认购本金总额为2亿美元。
5.梁孟松博士加盟带来了超越技术发展之外的好处：梁孟松带来了其在先进工艺开发方面的专业技术，中芯表示这将帮助公司14nm的开发顺利进行。与此同时，梁孟松在先进代工方面的经验也将加强晶圆厂的运营管理工作，提高公司内部的整体效率。
6.代工业的整合：中芯表示可能需要一段时间才能看到中国代工行业的整合，在后缘技术供过于求之前。但是，中芯相信其技术产品和客户组合优于中国同行。这与大摩的观点相一致，即从现在到2019年，28nm不会出现供过于求的状况。
目前中国12寸晶圆厂共有22座、其中在建11座，8寸晶圆厂18座、在建5座，部分将新厂将陆续于2018年进入量产阶段，特别是2018年将是中国内存制造从无到有的关键年度，因此预计2018年中国代工产业产值年增率预估将达19%，增幅仍维持于高速成长阶段。
7.关于NOR Flash市场：鉴于兆易创新已经保证了良好的定价和不可撤销的价值1亿美元以上的订单，中芯对明年NOR Flash市场持乐观态度。利润率处于企业平均水平，好于当前28nm的利润率。大摩的观点也是NOR Flash的价格在明年上半年将保持稳定。
9月时，兆易创新就与中芯国际签署约人民币12亿元的采购战略合作协议。背景是基于今年硅晶圆供货十分吃紧，但NOR Flash芯片需求增温且持续供不应求，朝以创新和中芯国际的合约可获得稳定的产能保障，这次再认购中芯配售的股份入股中芯，象征双方的合作更进一步，可以发展多层次的战略合作关系，成为更坚定的合作伙伴。
除此之外，在跨界整合后段封测方面，现在的代工制造商均须有跨界后到封装的能力，来进行2.5D-3D的集成，而此部分台积电已走在前列，中芯国际更不甘落后，已与长电科技合资在江阴成立中芯长电。
基于此，摩根士丹利对中芯股票给出了13.5港币的目标价格，当然也面临着几个风险，包括中国需求放缓；库存修正；严重的价格竞争等。
2.中芯国际：国家大基金认购可换股证券最多3亿美元;
集微网消息，12月15日，中芯国际发布公告，就发行配售股份及获配售永久次级可换股证券、国家集成电路基金优先认购事项及国家集成电路基金额外认购事项而言，并根据大唐购买协议，大唐已向公司交付通知，知会其将行使有关发行配售股份、获配售永久次级可换股证券、国家集成电路基金优先认购事项及国家集成电路基金额外认购事项的优先认购权，数额最高为其根据大唐购买协议应得的配额，其中国家集成电路基金及大唐认购可换股证券合计最多为5亿美元。
据披露，大唐已通知中芯国际，其有意认购大唐额外永久次级可换股证券，本金总额(就大唐额外永久次级可换股证券及大唐优先永久次级可换股证券而言)为2亿美元。
国家集成电路基金亦已通知中芯国际，其有意认购国家集成电路基金额外永久次级可换股证券，本金总额(就国家集成电路基金额外永久次级可换股证券及国家集成电路基金优先永久次级可换股证券而言)最高为3亿美元。
此前，在11月28日，中芯国际以每股10.65港币为发行价（折价率4.9%）顺利完成新股增发，募集资金4.91亿美元（含大股东优先认购及公开市场发行）。同时，以转股价溢价率20%，年化票息率2%成功完成次级永续可转换债券定价发行，公司拥有3年后股价超过转股价130%强制回购权，募集资金4.81亿美元（含大股东优先认购、超额认购以及公开市场发行）。
中芯国际表示，此次融资在全球资本市场反响热烈，众多国际著名投资机构踊跃参与了股票与永续可转换债券的认购。这次权益类组合融资交易创下了境外资本市场的多项第一：这是香港市场迄今为止最大规模的股票和股票关联产品同步发行，其中股票增发部分是港交所迄今最大规模的科技股一级市场增发，4.9%的增发折价也是2017年年初至今，香港市场一级市场股票增发所实现的最低折价水平。同时，中芯国际也是近五年唯一一家在亚太地区发行无票息跳升、无票息重置结构永续可转债券的企业，且永续可转债券票面利率为迄今以来全亚太地区最低水平。
本次融资得到了中芯国际主要股东方的大力支持，大唐控股、国家集成电路产业基金均积极参与了本轮融资，在行使其优先认购权的基础上，还将超额认购本次发行的永续可转债券，充分体现了主要股东方对中芯国际发展的战略性支持。
此外，就发行配售股份及获配售永久次级可换股证券、大唐优先认购事项、大唐额外认购事项、国家集成电路基金优先认购事项及国家集成电路基金额外认购事项而言，于公告日期，Country Hill仍未对该通知作出回应。根据Country Hill认购协议，Country Hill被视为选择不行使其有关Country Hill优先证券的优先认购权。
3.北方华创收到中关村科技园补助1016万元;
集微网消息，北方华创12月15日早间公告，根据相关规定，公司符合中关村科技园区电子城科技园管理委员会的扶持政策，于2017年12月13日收到中关村科技园区管理委员会转入的“应用于集成电路领域的 300mm 合金炉设备研发项目”补助资金1,016万元。
公司称，本次收到的政府补助，预计将会增加公司 2017 年度利润总额 1016 万元。
12月5日，由北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的国内首台12英寸原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）设备进驻上海集成电路研发中心。
11月30日，北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的12英寸立式氧化炉THEORISO302进入长江存储生产线，应用于3DNANDFlash制程；
北方华创接受逾20家机构投资者调研时表示，集成电路制造产线的投入主要由扩产规模决定，以12吋集成电路制造产线大致为月产1千片/1亿美元为例，其中70%是设备投资，30%是基建投入。根据数据统计，设备投资中刻蚀机占21%，CVD设备占15%，清洗设备占8%，PVD占5%，热处理设备占3%。
北方华创称，目前已有多家集成电路制造厂商公布了扩产计划，如中芯国际已公布上海月产7万片、深圳月产4万片、天津月产10万片等的扩产计划，长江存储公布了总计30万片的扩产计划，华力微电子也公布了月产4万片的扩产计划，未来公司将根据客户的实际建设进度，积极争取相关设备订单。
作为国家02 重大科技专项承担单位，北方华创凭借深厚的技术积累与开发填补了我国半导体设备领域的多项空白，目前北方华创的12吋28nm制程的刻蚀机、PVD、立式氧化炉、清洗机、LPCVD等设备已处于产业化初期阶段，相关产品已交付客户，同时已有6款12吋14nm制程设备进入客户端开展工艺研发，其主要客户为中芯国际、武汉新芯、三安光电、华灿光电、京东方、乐叶光伏、晶澳太阳能等。
4.华虹半导体推出12位SAR ADC IP助力超低功耗MCU平台
集微网消息，全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司今日宣布，基于其0.11微米超低漏电 (Ultra-Low-Leakage，ULL) 嵌入式闪存 (eFlash) 工艺平台，推出自主设计的超低功耗12位逐次逼近 (SAR)型模数转换器 (ADC) (12-Bit SAR ADC) IP，达到国际一流水平。该款ADC IP目前已通过硅验证，其拥有高达2MSPS的采样率，并完美结合了多通道、高精度、低功耗等优异特性，是高性能微控制器 (MCU) 产品的理想选择，亦可满足包括物联网 (IoT) 在内的各种多元化应用。
12-Bit SAR ADC特性
华虹半导体依托卓越的研发团队和丰富的IP设计经验，瞄准成长中的MCU市场，除了嵌入式存储器IP之外，已先后推出RTC、BGR、LDO、PORI、PORE、RC OSC、LCD驱动、ADC等系列模拟IP。其中，ADC IP是一款12位分辨率的SAR ADC，传输特性单调、无失码；IP面积仅为0.2mm2，降低了芯片成本；可在电源电压1.8V到5.5V、温度-40℃到+125℃的宽广范围内稳定工作。
12-Bit SAR ADC动态性能
12-Bit SAR ADC IP拥有超低功耗：电源电压3.3V、采样率2MSPS时，功耗仅为3.5mW；电源电压2.0V采样率2MSPS时，功耗1.8mW。
12-Bit SAR ADC IP拥有优秀的动态性能，电源电压3.3V采样率2MSPS时，信号噪声失真比SNDR为70dB；电源电压低至1.8V时，采样率仍能高达1.5MSPS，信号噪声失真比SNDR为69dB。
12-Bit SAR ADC IP拥有十个外部输入信号通道（其中八个能够灵活地配置成差分工作模式或单端工作模式，另外两个用于测量外部参考电压）和一个内部输入信号通道（用于测量电源电压）；内置数字校准电路，能校正内部比较器的失调和内部数模转换器的线性误差。并且，正负参考电压与采样周期长度皆可选择、配置。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“12-Bit SAR ADC IP的推出体现了公司自主创新的研发能力。作为华虹半导体MCU系列解决方案的重要组成，该ADC IP在0.11微米超低功耗ULL eFlash技术平台流片成功，可以有效帮助客户降低芯片功耗与成本，简化并加快系统设计，为客户在物联网、工业、汽车电子等市场提升竞争力。”
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