【重磅】三星25年来首次超越INTEL；近期 Nor Flash 市场价格恐开始松动；三星二代10纳米DRAM量产
1.三星25年来首次超越INTEL；
2.市场供需产生变化，近期 Nor Flash 市场价格恐开始松动；
3.美光乐观看待营运展望 朝高价值产品转型、成本下降有成 ；
4.两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机；
5.AI热潮为高频宽存储器带来新机遇 立体封装成本成竞争关键
集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！扫描文末二维码添加关注。
1.三星25年来首次超越INTEL；
集微网消息，Intel在过去25年都是半导体企业的领军人物，在这25年内Intel的全年销售额都是在所有半导体企业中排名第一。 不过据《日经中文网》报导，由于储存产品需求旺盛，三星在年销售额上将超越Intel。 原文指出三星迎合了数据中心对存储设备需求扩大的潮流，反观Intel，他们的收益比较偏重PC半导体。
三星电子今年的业绩很好看，而且股价也涨了不少，很大一部分原因是都是储存业务表现强势。 三星2017年1月到9月的半导体销售额为53.15万亿韩元，与去年同期相比增长46%。 同期Intel的销售额只有457亿美元，与去年同期相同比增长6%。 三星在DRAM和NAND企业中都是佼佼者，在全球储存产品都缺货的情况下，价格上涨推动收益上涨。
图片来源：日经中文网
今年7月，大多数半导体公司都公布了他们的财报，三星在今年上半年营收以不到1亿美元的微弱优势超越了Intel，三星当时就表示营收主要受益于高密度储存产品和固态硬盘的强劲需求。 多家证券机构预计如果下半年储存芯片价格不出现大幅下滑，从全年的芯片销售额来看三星的销售额将会在25年来首次超越Intel。
数据显示，三星电子2017年1月至9月半导体销售额为53.15万亿韩元（约合3185.5亿元人民币），同比增长46％。期间，英特尔的销售额为457亿美元（约合2952.4亿元人民币），仅同比增长6%。即使考虑到汇率因素，2017年全年三星超越英特尔也已成定局。
按照目前的趋势看，三星已成内定冠军。
三星面向生产设备和研发投入巨额经费，与竞争对手相比工厂的良品率更高。三星以供给能力为武器推进价格谈判，促使美国苹果等大客户也承诺提价。另一方面，英特尔的收益主要依赖个人电脑用CPU（中央处理器）。伴随个人电脑的需求触顶，英特尔也不复往日的势头。
在半导体行业中，预计今后存储器的需求将继续增长。不过如果各半导体企业纷纷增产的话价格将出现下滑，价格波动会较大。
2.市场供需产生变化，近期 Nor Flash 市场价格恐开始松动；
近期编码型存储器（Nor Flash）因市场需求不减，价格依旧持续维持高档。不过，目前大陆有新产能开出，加上新的解决方案应用，导致供需双方面都有变化的情况下，整体市场价格开始有松动倾向。
根据业界人士透露，近期 Nor Flash 价格松动，在供应面上，日前中芯国际拿出每月 1 万片的产能给兆易创新使用，用以生产 Nor Flash 后，武汉新芯也可能因 NAND Flash 量产进度落后，所以将部分闲置产能也拿出来提供兆易创新，使兆易创新有比较多产能影响市场价格。
另外，除了兆易创新陆续在中芯国际与武汉新芯投片，增加产能之外，另一家晶圆代工厂上海华力微，据传也开始拿出约每月万片产能，招揽 Nor Flash 厂商到上海华力微投片生产。加上当前武汉新芯自制的低价 Nor Flash 产品也在中国市场抢单销售，使 Nor Flash 的市场价格开始有松动迹象。
除了供应面，中国厂商持续有产能开出，以影响市场价格，需求面也因有新应用导致 Nor Flash 价格产生变化。市场人士指出，目前 Nor Flash 的供应大厂旺宏，长期合作伙伴任天堂（Nintendo）新游戏机 Switch 热销，吃掉大多数旺宏产能的情况下，任天堂近期也开始选用以 NAND Flash 大厂东芝（Toshiba）提供，以 NAND Flash 形式为主的解决方案，使得 Nor Flash 的需求量不增反减，也动摇了市场价格。
此外，一直是近期 Nor Flash 产能吃紧最大主因的 OLED 面板应用，过去三星生产的 OLED 面板包括显示亮度、颜色均匀性、电流补偿等，都是采用 Nor Flash 进行参数记忆。之前苹果 iPhone 以及三星手机的 OLED 面板都有用到 Nor Flash。
目前因 OLED 面板制程成熟，使低端 OLED 已不再采用 Nor Flash 存储各项参数，用以降低成本；而中端 OLED 部分，目前厂商也在讨论是否拿掉 Nor Flash 应用，因此未来 2018 年问世的手机中，仅有高端机款使用的 OLED 面板会继续保留 Nor Flash 应用。
因以上供需原因，造成近期市场 Nor Flash 价格松动趋势，至于会有多大程度的影响、影响多久时间，还必须要持续观察。TechNews
3.美光乐观看待营运展望 朝高价值产品转型、成本下降有成 ；
美光(Micron)近日发布该公司2018会计年度第1季财报，营收达68亿美元、年成长71%，优于市场分析师共识预测的64亿美元，调整后的每股盈余达2.45美元，大幅优于市场分析师平均预期的2.19美元，美光管理阶层发布的第2季指导目标也大幅领先市场分析师的观点，美光管理高层并认为当前产业情势有别以往，即使存储器芯片价格呈现下跌，但美光在持续朝高附加价值解决方案迈进及成本下滑下，美光仍有扩大获利表现的充分机会，展望2018年美光高层也乐观以待。
根据The Motley Fool报导，针对美光管理高层此次与分析师进行的财报电话会议，可从几个面向分析美光营运前景，如在当前市况与获利表现上，美光存储器芯片平均销售价格(ASP)对美光业务而言显然是至关重要的。有别于过去美光营收、获利等会因激烈存储器市场价格战而跟着受冲击，如今随着存储器产业一直进行整并重塑，包括美光在内全球三大存储器芯片制造商也出现新的财政纪律，情况已有别于以往，虽然存储器芯片价格在几季呈现稳定后再度出现下跌，不过是缓步的下滑，同时生产成本下降得更快速。
在此情况下美光财务长Ernie Maddock表示，由于美光成本下降且持续向高价值解决方案迈进，美光仍有扩大毛利的足够空间，其中在朝高价值解决方案迈进方面，包括持续调整零组件销售至更高附加价值的解决方案等。由此显示在当前存储器芯片价格环境下，Maddock仍认为美光毛利扩张仍有足够空间。
供需方面，短期来看DRAM芯片需求是健康且呈现上扬的，同时NAND Flash存储器订单量也正快速上涨，如美光执行长Sanjay Mehrotra表示，美光的供需预测仍与上一季该公司预测的一致，美光2018年度DRAM产业供给位元成长率预期约达20%，在持续性企业资料中心、云端及移动趋势等驱动下，美光预期市场环境将呈现健康态势。
NAND Flash产业方面，美光预期2018年度位元成长率将接近50%，主要受惠于产业持续加速64层设计量产进程，另外云端运算及资料中心应用对固态硬碟(SSD)的采用持续增加，未来随着更多供货量浮现，此SSD采用增加情况将进一步扩大。
目前美光也正转朝生产更多更高获利性的产品线，同时限制低价值芯片产品线供应的方向迈进，如Mehrotra表示，美光改善其高价值解决方案组合，交出创纪录的SSD营收以及进一步增加其SSD市占率，最近美光也开始出货该公司首款64层NAND消费性SSD产品。美光也推出业界最快速的高密度32GB NVDIMM-N，结合美光的DRAM与NAND以提供持续性的存储器解决方案，能够处理密集的资料分析负载。
值得注意的是，美光认为其季节性销售模式正在消失，如美光财务长Maddock指出，Mehrotra先前提及DRAM需求的多样性，当然这在NAND端也是如此，就此多样性需求流而言，例如汽车领域的季节性远不如PC客户端，如果环伺所有关键竞争者的资料中心部署情况，肯定是每个客户都有其特定的模式，但如果将其全部放在一起看，就没有宏观的季节性模式浮现，因此随着美光已在朝这些多样化需求驱动力迈进，季节性的概念已重新定了义，如今受逐季的季节性影响情况也许已经比过去来得轻微。
Mehrotra最后表示，展望2018年，美光看见该公司在形塑现代化生活的技术趋势上有愈来愈多机会扮演要角，存储器及Flash储存成为将美光推向技术最大成长趋势十字路口的战略性资产，美光也对未来乐观以待，也因美光可提供差异化解决方案，该公司客户在早期设计讨论中逐渐视美光为重要合作伙伴。DIGITIMES
4.两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机；
抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅；未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高达720亿美元。
为迎合市场庞大需求，三星内存事业部门总裁Gyoyoung Jin表示，第二代DDR4 DRAM的电路设计与制程新技术，让该公司突破DRAM扩展性的主要障碍；三星将加速新产品的量产，同时也积极扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
据悉，三星第二代10奈米制程所生产的8Gb DDR4 DRAM，比第一代在生产效率上提高了近30%。 同时，为提升DRAM效能，该组件使用全新技术，分别为高敏感度的单元数据感测系统及「空气间隔」方案，而非过往的EUV技术。
三星指出，透过高敏感度的单元数据感测系统，可更精准确定每个内存单元内储存的数据，提升电路整合度以及制造生产力；而在字符线(Bit Lines)周遭放置空气间隔，可降低寄生电容，达到更高等级的微缩及快速的单元运作。
新技术的加持让第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省电效益分别提高了约10%和 15%；且每个引脚能以每秒3,600Mbit/s的速度运行，比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度，提升10%以上。
三星指出，在第二代10奈米等级DRAM所采用的创新技术，将让该公司能加速未来DRAM芯片的问世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5与GDDR6，用于企业服务器、超级计算机、高性能运算系统，以及行动设备等。
目前三星已和CPU制造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模块的验证，接下来计划将与全球IT企业紧密合作，开发更高效的运算系统。 未来三星除迅速增加第二代10奈米DRAM产量外，也将持续生产更多第一代DDR4 DRAM的产量，以满足日益增长的DRAM市场。 新电子
5.AI热潮为高频宽存储器带来新机遇 立体封装成本成竞争关键
为满足人工智能及深度学习密集平行运算需求，2016~2017年GPU芯片厂商如NVIDIA、AMD推出的新款芯片Tesla P100/ Quadro GP100、Radeon Vega等，都选择搭载具有高频宽及垂直堆叠的HBM2 (Second-Generation High Bandwidth Memory)高频存储器。
高频宽垂直堆叠存储器发展迄今，除上述HBM类型外，HMC(Hybrid Memory Cube)为另一类型。两者皆采多层DRAM晶粒(Die)加上Logic Die垂直堆叠封装的形态，基本上，HBM及HMC各自偏向2.5D、3D封装堆叠技术。
目前借晶圆级封装技术生产导入最新HBM2架构的芯片制造厂商有海力士(SK Hynix)、三星(Samsung)及晶圆代工大厂台积电，台积电采CoWoS制程(Chip on Wafer on Substrate)；而以HMC存储器架构导入量产制造的仅以美光(Micron)／英特尔(Intel)阵营为主。
从英特尔收购Nervana后推出的深度学习应用芯片Lake Crest可发现，该芯片配置的是HBM2，因此，HBM架构无疑是2017年GPU厂商在高效能运算(HPC)配置上存储器的主要发展方向。
然HBM2的高封装成本及互连技术课题，仍是影响该类型产品应用及扩散进度的关键。DIGITIMES Research观察，GPU用存储器仍会维持HBM/GDDR并存态势。若2018年可量产GDDR6(Graphics Double Data Rate)的话，在高效能运算配置将采HBM2/GDDR6，而中低阶产品则以搭载GDDR5/GDDR5X为主要方向。DIGITIMES
集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！扫描文末二维码添加关注。