1.联发科推出8核12nm P22芯片，中端手机喜迎人工智能；
2.64层3D NAND Flash出货，美光与英特尔彻底分手的时刻到了？
3.SK海力士将为英伟达供应芯片 股价创17年来新高；
4.美光：存储器一路好到2021年；
5.破1000亿美元！2018年半导体资本支出创纪录；
6.传感器大发 微机电封装2022年产值达64.6亿美元；
7.SEMI反对对华贸易关税，指出其对芯片产业的影响；
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1.联发科推出8核12nm P22芯片，中端手机喜迎人工智能；
集微网消息，2018年5月23日，联发科技今天宣布推出面向主流市场的智能手机平台- 联发科技曦力P22（MediaTek Helio P22），首次将12nm先进工艺及AI应用带到大众价位的手机上。曦力 P22将进一步壮大联发科技曦力 P系列产品组合，满足日益增长的超级中端市场需求。
在此之前，联发科技于今年年初发布的12nm人工智能手机芯片- 曦力 P60，在中国、印度及东南亚市场已获得包括OPPO和VIVO在内的广大客户采用。在曦力 P60的成功基础上，曦力 P22将AI加速体验、卓越的相机功能，以及可靠高速的网络连接，以更合理的价格带给更多消费者。
“我们最新一代的曦力 P60芯片，在市场上引起强烈反响，表现超出我们的预期。客户持续增长的需求，以及消费者希望以更实惠的价格获得创新且出色产品的消费趋势，表明我们以曦力 P系列聚焦超级中端市场的策略是正确的。” 联发科技无线通信事业部总经理李宗霖表示：“曦力P22的高画质双摄像头、AI增强体验与超低功耗，在同级产品中立下了新标杆。我们预期在这一市场区间内，曦力 P22将能获得更多客户采用，消费族群也将持续增长。”
曦力 P22采用以低功耗著称的台积电12nm FinFET制程工艺，内置八个Arm Cortex A53核心，最高主频可达2.0GHz，搭配智能管理各任务执行的CorePilot 4.0技术，实现性能和功耗的完美平衡。
GPU采用PowerVR GE8320，频率650MHz，最高支持1600x720（20:9）屏幕分辨率，支持1080P 30FPS视频回放。
内存支持LPDDR 3/4X，频率最高1600MHz,容量最高6GB，闪存最高支持eMMC 5.1。
摄像头方面加入了AI面部解锁、智慧双摄（1300万+800万或单2100万）等，全网通基带，可双卡双4G待机、下行最高Cat.7，传输采用蓝牙5.0标准。
得益于联发科技NeuroPilot人工智能技术，曦力 P22还为用户提供了增强的终端人工智能（Edge AI）体验，比如支持人脸识别、智能相册、单/双摄像头景深的AI拍照。
曦力 P22带来硬件驱动的双摄像头相机，支持1300万 + 800万像素与每秒30帧的快速拍摄能力，以低功耗实现功能强大的硬件景深引擎，提供实时背景虚化预览，并且具备缩小颗粒、降噪、混迭、色差等功能， 在各种光线条件下均能拍出清晰影像。先进的3A与联发科技相机控制单元 (CCU，Camera Control Unit) 硬件，提供高速自动曝光收敛功能，让用户可以快速捕捉移动中的影像。此外，曦力 P22还支持20:9 HD+ (1600 x 720) 全面屏，带来更美更舒适的屏幕观感。
在网络连接方面，曦力 P22支持双卡双VoLTE，两张SIM卡均能支持快速4G LTE连接、高速的802.11ac WiFi、最新蓝牙5.0标准，以及四卫星全球导航定位系统，提供速度更快、效率更高、更准确的本地与全球联网能力。
联发科技曦力 P22现已量产，终端产品预计于2018年第二季度上市。（校对/Aki）
2.64层3D NAND Flash出货，美光与英特尔彻底分手的时刻到了？
集微网消息，5月21日，美光科技（Micron）与英特尔（Intel）共同宣布，基于64层的3D QLC NAND产品开始生产和出货。新的QLC NAND技术可以让每颗晶粒达到1Tb的存储密度，这是目前业界最高密度的闪存产品，也是全球首款正式发布的QLC闪存。受此消息影响，美光周一盘后大涨近4%。
今年1月，英特尔与美光共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研发后，双方将开启各自的研发之路，并强调双方目前共同研发的第二代产品为64层3D NAND Flash，预计第三代将可堆栈96层。当然，这也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发，英特尔将正式与美光分道扬镳。
那么，美光与英特尔在21日的联合声明是否是双方“最后合作”的一个句号？
初次合作
英特尔与美光在存储方面的合作可以追溯到2006年，双方合作建立了IM Flash Technologies（IMFT），运营新加坡与美国犹他州的工厂。IM Flash孕育的首批产品是72nm NAND。
首度“分手”
2010年，美光与英特尔关系变得紧张起来。两家公司面临的争议是关于英特尔对IM Flash新加坡公司做出的贡献，美光CEO指责英特尔没有为升级新加坡的这个工厂提供必要的资金。随后，英特尔亚太区嵌入式设备销售和超移动部门的经理Michael Chen辞职，Michael Chen是英特尔在亚太地区与其它公司建立合作关系的一个重要人物。
当时，业内人士预测英特尔有意停止IM Flash公司的运营，并且结束与美光科技的合作关系。
2012年，英特尔把多数IM Flash工厂的股份卖给了美光，而只保留Lehi这一个据点。此后，双方就开始各自兴建自己的生产线。
这也证实了业内人士的猜测，两者第一次“分手”。
这次“分手”可以从双方市场属性的角度分析，英特尔只愿意将闪存给自身SSD用，而美光欲参与全球竞争，将闪存卖给更多客户，尤其是手机厂商，这是双方“分手”的主因。
集微网编辑为“分手”加了引号，说明两者不是完全的决裂。
貌合神离的虐恋
2015年，英特尔宣布将与美光科技合作，开发基于3D NAND和3D XPoint技术的3D NAND闪存芯片。据公告，3D XPoint芯片将比现有的NAND芯片快1000倍。
同年，英特尔宣布花费高达55亿美元，将位于中国大连的微处理器工厂（Fab 68晶圆厂）改造为制造NAND存储器芯片的工厂。业内人士表示，英特尔在逐渐降低对IM Flash的依赖。
回心转意后的再分手
2017年，英特尔与美光联合宣布，IM Flash B60晶圆厂已完成扩建工程。
然而，在2018年初，双方宣布在完成第三代3D NAND Flash研发后，将开启各自的研发之路。据业内人士透露，英特尔很可能将其技术授权给紫光，以便在与美光终止NAND领域的合作关系后，迅速在中国生产3D NAND闪存芯片，毕竟55亿美元大连工厂的投资不是小数目。
这次的分手是英特尔与美光的“彻底分手”？
答案是否定的。
英特尔在新闻稿中指出：两家公司还将继续在位于犹他州Lehi的IMFT合资工厂共同开发和制造3D XPoint，该工厂现在完全专注于3D XPoint存储器的生产。
先来科普一下3D XPoint，它是一种非易失性固态存储新形式，性能和耐久性比NAND闪存高得多。3D XPoint不是基于电子的存储，就像闪存和DRAM一样，它不使用晶体管；它也不是电阻式RAM（ReRAM）或忆阻器。因此，存储专家认为3D XPoint是一种相变存储器，因为美光先前开发了这项技术并且它的特性与3D XPoint非常类似。
举个例子一起来感受下3D XPoint的诱人，英特尔首款3D XPoint SSD（P4800X）可以在16甚至更少的队列深度执行的速度高达读取IOPS：550000，写入IOPS：500000。虽然英特尔的顶级NAND闪存SSD能够实现400000IOPS甚至更高的性能，但它们只能在更深的队列深度上才能实现。
但目前看，3D XPoint也没有理论中那么强悍，速度和耐久性都是NAND闪存的1000倍还停留在理论阶段，且在价格方面目前看也不是很理想，根据Gartner预测，至少到2021年，英特尔与美光“彻底分手”的成本都要高于NAND。
因此，英特尔与美光的分手是3D NAND方面的，3D XPoint技术的合作还会继续进行，而继续的原因是没实现理想目标。英特尔和美光科技相信3D Xpoint产品可以最终取代PC和服务器中的传统固态硬盘和DRAM。
同为3D Xpoint，英特尔与美光有着不同的品牌，英特尔称它为 Optane，美光称它为QuantX。若两者在3D Xpoint技术上分手，便可能成为彻底决裂，不难设想，那时英特尔会推出专注于个人电脑的Optane，而美光的QuantX将专注于服务器。（校对/范蓉）
3.SK海力士将为英伟达供应芯片 股价创17年来新高；
新浪科技讯 北京时间5月23日下午消息，据路透社报道，韩国芯片制造商SK海力士与英伟达达成芯片供应协议，这有助于SK海力士提升高价值芯片销售量。
受此消息影响，截至英国《金融时报》报道时，SK海力士股价周三上涨超过5%，达9.4万韩元，创17年以来新高。
亚洲其它芯片企业也受正面影响。三星电子股价上涨3%，台积电股价上涨0.7%，联华电子股价上涨0.6%。(轶群)新浪科技
4.美光：存储器一路好到2021年；
存储器大厂美光（Micron）昨（22）日在美国召开分析师大会，美光执行长Sanjay Mehrotra表示，存储器市场已出现典范转型，以智能型手机为中心的行动时代（mobile era），逐步转进人工智能（AI）等的数据经济时代（data economy era）。数据经济需要搭载大量DRAM及NAND Flash协助运算，存储器市场可望一路好到2021年。
Sanjay Mehrotra表示，2000～2007年是PC及网际网路的时代，每年创造出的存储器（包括DRAM、NAND/NOR Flash、SSD等）需求达2500亿GB，平均每年带来的产值达380亿美元。2008～2016年进入了行动时代，每年创造出高达7兆GB的存储器需求，平均每年带来的产值达620亿美元。
但2017年进入了所谓的数据经济时代，光去年一年就创造了22兆GB的存储器需求，市场产值更是暴增至1,280亿美元规模。Sanjay Mehrotra预估，数据经济需要更多的存储器协助运算及储存，预计至2021年将创造出高达62兆GB的存储器需求，市场产值更会见到爆炸性成长。
在数据经济的时代，AI是主角，创造了庞大的数据量及价值，例如自然语言的运算就要大量存储器协助运算及储存，图像数据的储存也需要更大的存储器。对智能型手机来说，在导入3D感测、4K影像、虚拟及扩充实境（VR/AR）功能后，终端边缘运算也得搭载更多的DRAM及NAND Flash。再者，正在快速起飞的车用电子、云端运算、数据中心等应用，对存储器需求更是较今年呈现倍数成长。
对存储器产业来说，DRAM制程进入10纳米世代后，需要更大的资本支出，但至2021年的位元年复合成长率仅20％，NAND Flash进入3D NAND制程要全面更改设备，资本支出同样庞大，但至2021年的位元年复合成长率仅40～45％。
Sanjay Mehrotra表示，在需求快速成长但供给增加趋缓的情况下，存储器产业结构性改变，已创造出健康的动能循环，存储器市况可望一路好到2021年。工商时报
5.破1000亿美元！2018年半导体资本支出创纪录；
集微网消息（编译/Aki），IC Insights最新发布的报告将2018年全球半导体资本支出从8%上调到14%。
IC Insights最新公布了2018年5月的半导体市场报告。这份报告包含了全球前25位的半导体供应商、2018年第一季度IC市场分析，以及对于2018年的半导体资本支出预测。
总体而言，此次IC Insights公布的半导体资本支出情况比3月份发布的版本预测更加乐观。
在3月发布的报告中，IC Insights预测今年全球半导体支出将增长8%。但是，正如图一中所示，IC Insights将2018年的资本支出提高了六个百分点，为14%。
图一
如果此次IC Insights的预测成真，那么2018年全球半导体资本支出会比2016年增长53%，并首次冲破1000亿美元大关。
其中，尽管三星表示目前为止还没有全年的资本支出预测，同时三星也表示，2018年的半导体资本支出将会少于2017年的242亿美元。
但是，截至2018年第一季度，三星半导体部门的支出已经达到了67亿2000万美元，比其前三季度的平均水平略高，也几乎是2016年第一季度资本支出的四倍。
在过去四个季度，三星的资本支出达到了266亿美元，这真的很难让人相信其2018年的资本支出不会超过242亿美元。
IC Insights预计三星今年的半导体资本支出将会达到200亿美元，比去年的242亿美元要少。但是，考虑到今年半导体支出的强劲增长，超过这一数字的可能性非常大。
此外，随着DRAM和NAND闪存市场发展迅猛，SK 海力士预计今年的资本支出为115亿美元，比2017年的81亿美元，增长了42%。SK 海力士的主要支出，主要用于韩国清州的两个内存工厂，以及位于中国无锡的DRAM工厂的扩产计划。
据了解，SK 海力士的韩国清州工厂将会在今年年底开始兴建，无锡工厂也会比预计的2019年年初提前几个月开始兴建。（校对/范蓉）
6.传感器大发 微机电封装2022年产值达64.6亿美元；
根据市调机构Yole Développement的调查，MEMS微机电元件封装市场将从2016年的25.6亿美元成长到2022年的64.6亿美元，年复合成长率为16.7%。MEMS元件的特点是各种不同的设计和制造技术，没有标准化的制程。因此，许多技术挑战已经到位，并在封装厂之间形成激烈的竞争。
MEMS应用范围广泛，非常分散和多样化。在其年度报告中，Yole的MEMS和传感器团队分析了超过200多种应用。因此，MEMS封装必须始终满足不同的应用需求，包括在不同介质中的保护、气密性、互连类型(Interconnection Type)和热管理。
在向5G转变以及因此对4G/5G射频滤波器需求日益成长的驱动下，最大的MEMS成长将用于RF MEMS元件，尤其是BAW滤波器，到2022年RF MEMS元件出货量可能会增加五倍；排名第二的是光学MEMS，包括微镜和微型辐射热测量计，年复合成长率为28.5%，主要是受到消费性电子、汽车和安全监控等应用的驱动。MEMS麦克风和超音波传感器是第三位，对于音讯处理的需求尤其强劲，MEMS麦克风的出货成长率很高，针对的是使用麦克风持续感知周围发生何事的应用。
7.SEMI反对对华贸易关税，指出其对芯片产业的影响；
集微网消息，SEMI行业倡导全球副总裁Jonathan Davis昨天呼吁从特朗普政府提出的关税清单中删除100多种产品，并强调指出，美中争端可能会引发全面的贸易战，影响加剧，包括消费价格上涨，美国贸易逆差扩大以及美国经济增长放缓。
代表电子制造供应链，Davis认为，“如果关税得以实施，每年可能造成数千万美元的额外税收的损失，并由于出口减少而收入减少，威胁到数千高薪的美国就业机会，而且并不能解决美国对中国的担忧。“Davis表示，这种情况将最终削弱美国芯片制造商向海外销售的能力，扼杀创新并遏制美国的技术领先地位。
在包括来自美国贸易代表（USTR），财政部，商务部，州和国防部以及经济顾问委员会的代表在内的政府小组听证会上的声明中，Davis解释说，关税清单中包括的这100多种产品，将不利于半导体供应链。关税清单包括了半导体制造工艺的基本组成部分，这些组件是芯片行业的氧气。作为他的声明的一部分，Davis还提交了关税带来的影响的评论。
Teradyne的总法律顾问Charles Gray在听证会上表示，关税将威胁到经济增长，同时也对和中国相关的供应链上的美国公司不利。Gray和Davis是100多位业界领袖之一，他们在5月15日至17日的听证会上提供了3000多条评论，评估关税的影响和效果。
此次听证会基于特朗普政府和中国的贸易行为，专门针对知识产权侵权行为。近几个月来，特朗普政府已经开始对中国实施贸易行为，增加关税，限制跨境投资，并给美国企业带来严重的不确定性。
“301调查”认为中国强制或迫使美国企业转让技术和知识产权，美国发布了对自中国进口产品清单，价值约500亿美元，建议对清单上的产品征收额外25%的关税。- 这个惩罚措施将直接影响到半导体制造业。
SEMI继续引导政策制定者关于关税对半导体行业的长期健康的影响以及平衡贸易对半导体行业未来的重要性。
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