1.【专利解密】隆基绿能公开免受刻蚀损伤HBC太阳能电池及其制备方案
2.2022年我国发明专利产业化率为36.7%
3.苹果暂停自研Wi-Fi芯片 iPhone 15 / Pro系列采用博通Wi-Fi 6E
1.【专利解密】隆基绿能公开免受刻蚀损伤HBC太阳能电池及其制备方案【爱集微点评】隆基绿能提出的HBC太阳能电池及其制备方案，通过在半导体基底的第一表面上增加保护层，由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤。从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。集微网消息，在碳中和的目标要求下，清洁能源代替化石能源的大潮已全面开启。随着硅基太阳能电池光电转换效率的逐渐提升、以及生产成本的持续下降，度电成本持续降低，以其应用灵活特性，光伏发电将成为未来最具竞争力的能源形式之一。截至2017年Al‑BSF为市场主体，截止2021仍以P型硅片PERC（钝化发射器和后部接触）太阳能电池为市场主体。而N型硅片TOPCON（遂穿氧化钝化电池）、HJT（晶体硅异质结太阳电池）、IBC（叉指式背接触电池）等高效太阳能电池以其更高效率、简单工艺，已开启产业化进程。IBC技术正负极均设计为背电极，有效避免PERC、HJT电池等正面电极的遮光效应，确保正面受光面积及Jsc(短路电流)最大化。在该过程中，图形化工艺得到了大量的应用。而图形化工艺及后续刻蚀、退膜工艺多使用强碱，单晶硅基底表面易受强碱各向异性刻蚀，形成粗糙多孔表面，后续沉积的a‑Si:H钝化效果将受到显著影响。此外，在制备过程中使用碱液容易与硅片表面反应造成损伤，导致后续的单晶硅膜层钝化效果下降。因此，为了兼顾后续刻蚀工艺，避免硅片表面受到刻蚀等工艺损伤，隆基绿能在2022年10月27日申请了一项名为“HBC太阳能电池及其制备方法”的发明专利（申请号：202211330345.4），申请人为隆基绿能科技股份有限公司。根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。如上图，为该专利中公开的制备HBC太阳能电池的流程示意图。首先，准备半导体基底，半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面包括相邻的第一区域(即P区)、隔离区域(即A区)和第二区域(即N区)，隔离区域在第一区域和第二区域之间。其次，在第一表面依次形成第一耐碱性层、隔离缓冲层和第二耐碱性层。通过在半导体基底的第一表面上增加第一耐碱性层、隔离缓冲层和第二耐碱性层，对第一表面进行全部覆盖。由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤，从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。因此，多个步骤后暴露出的半导体基底的第一表面仍可以保护良好，为后续的非晶硅层的设置提供了良好的条件，最终产品的品质较好。接着，图案化去除第一区域上对应的第二耐碱性层、隔离缓冲层和第一耐碱性层，形成第一中间件，在第一中间件的远离第二表面的一侧依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层。以及图案化去除第二区域上对应的P型非晶硅层、第二本征非晶硅层、第二耐碱性层、隔离缓冲层和第一耐碱性层，形成第二中间件，在第二中间件的远离第二表面的一侧依次形成第三本征非晶硅层和N型非晶硅层。沉积形成的第三耐碱性层能够抵抗强碱的刻蚀，使得后续第二掩膜图形的退膜等过程中使用的强碱溶液不会对硅片的表面产生影响，并且将该耐碱性层进行去除的溶液也不会对硅片的表面产生影响。最后，图案化去除第一区域对应的P型非晶硅层上的第三本征非晶硅层和第一N型非晶硅层。由此，该HBC太阳能电池的半导体基底1的第一表面保存完好，有利于第一区域、第二区域相应的非晶硅层能够与第一表面完美结合，由此提高了HBC太阳能电池的电池效率、Voc、填充因子FF、短路电流Jsc和少子寿命。如上图，为HBC太阳能电池的结构示意图。半导体基底1具有相对的第一表面和第二表面，第一表面包括相邻的第一区域、隔离区域和第二区域，隔离区域在第一区域和第二区域之间。第二本征非晶硅层6和P型非晶硅层7，二者依次层叠在第一区域。第三本征非晶硅层10和第一N型非晶硅层11，二者依次层叠在第二区域。隔离结构包括依次层叠在隔离区域的第一耐碱性层2、隔离缓冲层3、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、第三本征非晶硅层和第一N型非晶硅层。
其中，第一耐碱性层和第二耐碱性层能够抵抗强碱的刻蚀，隔离缓冲层能够抵抗强酸的刻蚀，使得后续掩膜图形的退膜等过程中使用的强碱溶液和强酸溶液不会对半导体基底的第一表面产生影响，并且将该耐碱性层进行去除的溶液也不会对半导体基底的第一表面产生影响。以上就是隆基绿能提出的HBC太阳能电池及其制备方案，该方案通过在半导体基底的第一表面上增加保护层，由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤。从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。“爱集微知识产权”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务。依托爱集微在ICT领域的长期积累，围绕半导体及其智能应用领域，在高价值专利培育、投融资知识产权尽职调查、上市知识产权辅导、竞争对手情报策略、专利风险预警和防控、专利价值评估和资产盘点、贯标和专利大赛辅导等业务上具有突出实力。在全球知识产权申请、挖掘布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设等方面拥有丰富的经验。我们的愿景是成为“ICT领域卓越的知识产权战略合作伙伴”。
集微网消息，1月27日消息 国家知识产权局发布的《2022年中国专利调查报告》显示，2022年我国发明专利产业化率为36.7%，较上年提高1.3个百分点。近五年，我国发明专利产业化率整体呈稳步上升态势。2022年我国企业发明专利产业化率为48.1%，较上年(46.8%)提高1.3个百分点。其中，大型、中型企业发明专利产业化率分别为50.9%和55.4%，分别较上年提高3.8和0.8个百分点;小型、微型企业发明专利产业化率分别为45.3%和22.0%，分别较上年降低2.4和4.6个百分点。从重点企业的情况来看，国家高新技术企业发明专利产业化率为56.2%，较上年(53.4%)增长2.8个百分点。
3.苹果暂停自研Wi-Fi芯片 iPhone 15 / Pro系列采用博通Wi-Fi 6E集微网消息，分析师郭明錤日前在社交媒体发文表示，苹果已经暂停了其正在开发的Wi-Fi芯片的工作。
这意味着苹果供应商博通将至少在未来一段时间以内继续为苹果提供Wi-Fi芯片，包括为即将于2023年发布的iPhone15/Pro系列机型提供芯片。许多投资人担心Apple开发自有Wi-Fi芯片将显著影响Broadcom的Wi-Fi 芯片事业。然而，根据对半导体产业（晶圆代工、设备与封测）的最新调查显示，Apple已停止开发自有Wi-Fi芯片一段时间。更严谨地说，Apple先前开发的自有Wi-Fi方案为Wi-Fi单芯片，而非Wi-Fi+BT整合芯片。从IC设计的角度，Wi-Fi+BT整合芯片的设计难度高于Wi-Fi单芯片。因Apple主要终端产品均采用Wi-Fi+BT整合芯片，这意味着Apple若欲以自家芯片取代博通的Wi-Fi+BT整合芯片，面临的挑战更高。投资人应无须担心Apple自有Wi-Fi芯片在可见未来会影响博通的Wi-Fi 芯片业务。相反的，在未来几年内，Apple与竞争对手们将陆续采用单价更高的Wi-Fi 6E/7芯片，博通将成为领先受益者。此外，博通亦为iPhone 15升级至Wi-Fi 6E的最大赢家。据悉，苹果是博通最大的客户，在上一财年为这家芯片制造商贡献了约20%的收入，接近70亿美元。而此前据知情人士透露，苹果正在推动将其设备内的芯片替换成内部设计的组件，这将给博通造成打击。
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