半导体全面分析（一）：两大特性，三大政策，四大分类！

半导体全面分析系列分三篇，本篇是市场分析，后两篇分别是技术、产业分析，敬请关注本公众号（史晨星 shichenxing1）。

一、两大特性

1. 能带

导体，咱能理解，绝缘体，咱也能理解，不好理解的，怕是半导体了

原子组成物质时，会有很多电子混到一起，但2个相同电子没法待在一个轨道上，于是，很多轨道就分裂成了好几个轨道，这么多轨道挤在一起，不小心挨得近了，就变成了宽宽的大轨道。在量子力学里，这种细轨道叫能级，挤在一起变成的宽轨道就叫能带

有些宽轨道挤满了电子，电子不能移动，宏观上表现为不能导电

有些宽轨道空间很空旷，电子自由移动，宏观上表现为导电

有些满轨道和空轨道挨的太近，电子可以毫不费力从满轨道跑到空轨道上，于是就能自由移动，这就是导体

如果两条宽轨道之间有空隙，电子单靠自己跨不过去，表现为不导电

如果空隙的宽度在5ev之内，给电子加个额外能量，也能跨到空轨道上，跨过去就能自由移动，表现为导电。这种空隙宽度不超过5ev的固体，有时导电、有时不导电，所以叫半导体

2. 半导体

半导体 Semiconductor 是指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料

通常金属的电导率大于一万（10 ⁴ ）Ω ^-1 cm ^-1 ，如铝、铜、银、铂等，而绝缘体的电导率则小于百亿分之一（10 ^-10 ）Ω ^-1 cm ^-1 ，如橡胶、陶瓷、塑料等，电导率介于10 ⁴-10 ^-10 Ω ^-1 cm ^-1 之间的一种固体材料，则被称为半导体

下面有点烧脑细胞

3. 掺杂特性

半导体的电导率并不是一成不变的，它会随着掺入杂质元素、受热、受光照、受到外力等种种外界条件，而在绝缘体和金属之间电导率区间内发生变化，这些特性使得半导体衍生出了较为丰富的应用场景

一种是掺入Ⅴ族元素（常用的有磷P、砷As），V族元素相比Ⅳ族的外层电子多出一个，多出的电子能够作为导电的来源，这种掺杂手段被称为N（Negative）型掺杂

另一种是掺入Ⅲ族元素（常用的有硼B、氟化硼BF2），Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外层电子少一个，这种缺少电子的空位被称为空穴，空穴同样能够导电，对应的掺杂手段被称为P（Positive）型掺杂

PN 结

把PN这两种半导体面对面放一起会咋样？不用想也知道，N型那些额外的电子必然是跑到P型那些空位上去了，一直到电场平衡为止，这就是大名鼎鼎的“PN结”(动图来自《科学网》张云的博文)

PN结具有单向导电性，电流只能从这一头流向另一头，无法从另一头流向这一头

如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流

如果加个反向的电压，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的，电阻很大

一个PN 结就可以形成半导体器件中最简单的二极管（Diode），它同时也是构筑三极管（BJT ）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）等其他众多半导体器件的基础结构

下面举个例子加深理解

为什么张无忌给女的输内力就要脱衣服，男的不用？

针对张无忌传输内功：假设男性为P型掺杂，女性为N型掺杂，内功为电子运动形成的电流，则有：男–男传输内功时，载流子在同掺杂半导体内运动，其情形相当于在电阻中运动，不需要克服势垒

当男–女传输内功时，电子在PN结中运动，需要克服势垒(衣服)才能流动，因此需要降低势垒

4. 光电特性

光生电：在PN结处没有可以自由移动的电子和空穴，但是晶格原子外层有许多被束缚的共价电子。光照能使共价电子获得能量，脱离晶格原子的束缚，变成可以自由移动的电子和空穴。而电子和空穴都是构成电流的成分，因此光照可以使PN结产生电流。PN结光生电的特性使它能够制备成雪崩二极管、 PIN二极管，这些器件 广泛应用于光探测器、太阳能电池等 领域

电生光：反之，若在PN结两端加以正向电压，半导体中的电子和空穴就会在结处相遇之后消失（复合），并产生一束光子，前提是制造PN结的材料为直接带隙半导体。PN 结电生光的特性使它能制作成发光二极管（LED）、激光二极管（LD ）等，广泛应用于半导体照明、光通讯中的光源、3DSensing 等领域

直接带隙半导体，是指这种材料中的电子和空穴复合时遵循动量守恒，如化合物半导体材料：GaAs、GaP、GaN等。而对于应用十分广泛的硅材料来说，它属于间接带隙半导体，用硅材料制造的PN结只能制造具有整流、开关特性的二极管，并不能发出光子

二、四大分类

5. 四大分类

半导体在应用上可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器，详细分析请持续关注本公众号（史晨星 shichenxing1）

分立器件：单个的二极管、三极管、功率半导体器件（如LDMOS、IGBT等）都属于分立器件。它们相比集成电路的缺点就是体积大，但是在一些场合（如超大功率、半导体照明），分立器件比集成电路更具优势

光电子器件（photoelectron devices）是利用电-光子转换效应制成的各种功能器件。光电子器件应用范围广泛，包括光通讯、光显示、手机相机、夜视眼镜、微光摄像机、光电瞄具、红外探测、红外制导、医学探测和透视等多个领域

传感器：传感器是将环境中的物理量转化为电学量的一种检测装置

集成电路(integrated  circuit)(缩写IC)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，也叫做芯片

芯片种类繁多，根据处理信号的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路，详细分析请持续关注本公众号（史晨星 shichenxing1）

三、万亿规模

6. 全球

据WSTS最新数据，2018年全球半导体市场规模达到4780亿美金，预测2019年全球半导体市场规模将达到4901亿美金

根据 WSTS 数据，分立器件销售额为 241.02 亿美金、光电子销售额为 380.32 亿美金、传感器销售额为 133.56 亿美金、集成电路（Integrated Circuit，简称 IC）销售额为 3932.88 亿美金，分别占到全球半导体销售总额的 5.14%、8.11%、2.85%、83.9%

根据 IC Insights、Gartner数据，2018 年全球集成电路设计产值为 1139 亿美金，集成电路封测产值为 560 亿美金，IC 制造环节的产值约为 2233.8 亿美金，设计、制造、封测环节的产值占比分别为 29%、57%、14%

7. 中国

从市场结构来看，中国和美洲（主要是美国）已经成为全球半导体前两大消费市场，2018 年，其市场规模占比分别为 32%、22%，其次是欧洲和日本

8. 应用

根据 IC Insights 数据，2018年集成电路的主要下游应用可分为电脑（36.6%）、通信（36.4%）、消费电子（11.0%）、汽车（8.0%）、工控（8.0%）、军用（6.5%），预计2023 年通信市场将超越电脑成为集成电路最大的下游市场，占比有望达到 35.7%，汽车市场占比也有望较 18 年提升 1.8pct

物联网及汽车电子为全球半导体市场发展新动力

四、三大政策

9. 中国三大政策

全球各国对半导体产业均有各种支持

中国三大政策

2014年6月24日，国家集成电路推进纲要发布，国家集成电路产业投资基金正式设立

中国制造 2025 彰显国产化决心

《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，因次序排在国家重大专项所列 16 个重大专项第二位，在行业内被称为“02 专项”

五、重要性

10. 信息产业基石

集成电路被称为现代工业的“粮食”，在信息时代，电脑、手机、家电、汽车、高铁、电网、医疗仪器、机器人、工业控制等各种电子产品和系统都离不开集成电路。美国更是把集成电路产业称为未来 20 年从根本上改造制造业的四大技术领域之首

11. GDP 正相关

全球半导体行业的增速波动与全球GDP波动的相关性呈现高度一致（2010 至今，相关系数为 0.57）

12. 贸易逆差首位

集成电路产品已成为我国最大宗进口商品。根据我国海关总署数据，自 2015 年以来我国集成电路进口金额长期超出原油，2018 年我国集成电路进口总额超过 3100 亿美金

13. 卡脖子

欧美国家为保护半导体技术，制订了一系列技术出口限制政策，而对中资的海外并购也制订各项审查措施

根据芯谋研究估算数据，中国企业仅在分立器件、移动处理和基带、逻辑芯片三个领域分别实现了约 17%、12%、6%的自给，其他领域仍然重度依赖进口

集成电路领域严重的进口依赖，影响到我国的信息安全、金融安全、国防安全、能源安全，中兴、华为事件更是为我们敲响了警钟

最后看一个视频：芯片内部结构

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