【学术视频】载流子动力学和PWMAT平面波计算研讨会 | 中科院半导体研究所刘岳阳博士
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图 | 刘岳阳博士
题 目：Charge Trapping in Complex Gate Stacks of CMOS Devices: Ab Initio Insights to CMOS Reliability Engineering
报告人：刘岳阳
单 位：中国科学院半导体研究所
时 间：2019-01-04
地 点：深圳
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报告提纲
An optimized simulation framework is proposed to study the charge trapping in multi-interface high-k gate stacks.
The hole trapping charecteristics along multiple pathe i.e. from Si to SiO2 interlayer, to SiO2/HfO2 interface, and to HfO2 layer are investigated comparatively, and their relative dominance is revealed.
The framework can be incorporated into reliability simulators by generating key parameters such aas energy barrier, coupling decay rate, and reorganization of different defects.
会议简介
“载流子动力学和PWmat平面波计算研讨会”于2019年1月3-6日在深圳大学召开，会议聚焦超快飞秒激光现象、载流子动力学、新材料超大规模量子点计算、DFT+AI分子动力学生成势函数以及材料基因组等热点问题。载流子动力学和非绝热动力学过程是近年来材料科学领域的热点，PWmat软件能快速实现上述问题的研究，并在多篇高影响力的期刊文章中得以验证。本次会议介绍了上述新领域的研究方法和实现过程。
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