【学术视频】National University of Singapore--陈伟教授
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图 | 陈伟教授
题 目：Interface Engineering for 2D Phosphorene Based Optoelectronic Devices
报告人：陈伟
单 位：National University of Singapore
时 间：2019-04-16
地 点：中国科学技术大学
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报告摘要
As one-atomic or a few atomic thin layers essential role in detemining the performance of 2D materials based devices, such as charge injection/ collection at metal/ 2Dinterfaces, charge carrier traps at the dielectric/ 2D interfaces, etc. Without precise control of the surface and interface properties, many 2D materials bassed devices will not function properly. In this talk, I will summarize and discuss our recent work for interface engineered 2D phosphorene and TMDCs based field-effect-transistors (FETs) and photo-transistors, through the combination of in-situ FET device evaluation and photoelection spectroscopy investigation. We will particulary emphasize on the election and hole doping effect on the transport proparties and optoelectronic response of phosphorene devices.
个人简介
陈伟，2001年在南京大学化学系获得学士学位，2004年新加坡国立大学化学系获得博士学位，2009年初受聘为新加坡国立大学化学系和物理系助理教授，于2013年获得终身制的副教授职位，2016年被聘为新加坡国立大学院长讲席教授，2017年任化学系副系主任。他长期致力于分子尺度的界面工程、有机和二维材料的电子器件以及界面控制在纳米催化与环境的研究，并取得了杰出的成就。曾于2006年新加坡李光耀研究员奖，2009年获得新加坡物理协会纳米技术奖，2010年获得日本日立公司日立研究员奖，2012年新加坡青年科学家奖。
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