【学术会议】第二届ICQD青年科学家论坛 | 河北师范大学齐世飞教授
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图 | 齐世飞教授
题 目：n-p共掺杂拓扑绝缘体和石墨烯中量子反常霍尔效应和Rashba自旋劈裂研究
报告人：齐世飞
单 位：河北师范大学
时 间：2019-05-30
地 点：中国科学技术大学
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报告摘要
n-p共掺杂方法的提出最初是为了解决ZnO的p型掺杂问题，后来又被成功的用来减小TiO₂的带隙，在本报告中，我们把该方法进一步拓展应用到拓扑绝缘体和石墨烯体系中，发现可以实现高温量子反常霍尔效应及巨Rashba自旋劈裂效应，具体内容包括：（1）我们提出了在n-p共掺杂三维拓扑绝缘体，可以实现高温QAHE的新方法。我们的研究证实V-I共掺杂的Sb₂Te₃，即使在2%V和1%的共掺浓度下，可以观察到∼50K的量子反常霍尔效应; （2）利用补偿性的n-p共掺杂方法，研究了3d原子吸附在石墨烯中实现量子反常霍尔效应的可能性。结果表明，Ni-B共掺杂石墨烯体系能够打开非平庸的带隙，并且可以通过改变吸附浓度来调控非平庸带隙的大小。同时我们还证实在不同的共掺杂浓度下，该体系的量子反常霍尔效应的观测温度可达10K以上。（3）我们的研究证实，补偿性n-p共掺杂方法不仅能克服单元素吸附到石墨烯体系的主要缺点，而且还可导致很大的Rashba自旋劈裂效应 (在6.25%B-Tl-共掺杂石墨烯体系中，存在近130meV自旋劈裂) 。
个人简介
齐世飞，河北师范大学物理科学与信息工程学院教授，硕士生导师。主要从事自旋电子学相关的材料计算模拟研究，近期围绕石墨烯的铁磁化和拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应开展研究工作。以第一或通讯作者在Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Carbon, ACS Appl. Mater. Inter., J. Phys. Chem. B, J. Org. Chem.等期刊发表论文30余篇。先后主持并完成国家自然科学青年基金项目1项，山西省高等学校青年学术带头人支持项目1项和山西省青年基金项目1项。此外作为学术骨干参与了国家重点研发计划、863计划项目和国家自然科学基金重点项目。2013年获评山西省高等学校青年学术带头人，2014年入选山西省高等学校优秀中青年拔尖创新人才。获2016年度山西省科学技术奖自然科学二等奖（排名第二)。研究方向：拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应研究、石墨烯基自旋电子学及氧化物基稀磁半导体研究。
会议简介
2nd ICQD Young Scientists' Forum on Quantum Matters: From Predictive Design to Materialization（第二届ICQD青年科学家论坛）
时间：2019-05-30
地点：中国科学技术大学
主办方：合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心（ICQD）、中科院强耦合量子材料物理重点实验室
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