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【学术视频】第二十二届全国半导体物理学术会议 | 中山大学陈一村
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图 | 陈一村
题 目:Fractional contribution of electron to band-gap renormalization in CdTe
报告人:陈一村单 位:中山大学时 间:2019-07-10地 点:中国杭州扫码观看精彩报告视频
报告提纲
Present an improved experimental method to determine the fractional electron contributions to BGR in bulk CdTe The carrier density of k value is found to (1) less than 0.5 (2) increase with the carrier density
个人简介
陈一村,中山大学博士研究生。
会议简介
第二十二届全国半导体物理学术会议是浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办,由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流,把握国际重大前沿领域的发展动向,提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。本届会议于2019年7月9~12日在杭州第一世界大酒店召开。朱邦芬院士、黄如院士、杜瑞瑞教授、段镶锋教授、熊启华教授、彭笑刚教授、陆卫教授、陆朝阳教授等知名学者莅临本届会议并作大会特邀报告。
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