【学术视频】第九届新兴电子材料与器件国际研讨会 | 新加坡科技设计大学杨声远教授

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图 | 杨声远

题目：Using Topology and Symmetry for Valleytronics Design

报告人：杨声远

单位：Singapore University of Technology and Design

时间：2019-07-19

地点：张家界

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报告摘要

Valleytronics aims to utilize the valley degree of freedom to encode and process information. It has been a fast-growing field in the past decade. In this talk, I will show how the topology and symmetry considerations can help to design novel types of valleytronic devices which could have improved performance. By utilizing topological boundary or domain wall states, one can design valley filters with 100% filtering efficiency. By imposing special symmetry constraint, one can realize a special valley-superlayer coupling mechanism, which allows a direct coupling between valley and gate electric field. Furthermore, we find that systems with valley-superlayer coupling can exhibit other interesting physics, such as valley-contrasting linear dichroism and optical selection of the valley, and the electric polarization of interlayer excitons.

个人简介

杨声远，2001-2002年就读于清华大学电气自动化专业。2002年获香港赛马会奖学金进入香港大学数学物理专业，2005年获理学学士。2005-2011年在美国得克萨斯大学奥斯汀分校修读凝聚态物理理论研究生，2011年获博士学位。2011-2013年在休斯敦CGG Veritas US Services公司工作，任地质成像研究员。2013年6月开始在新加坡科技设计大学任职至今。以往的研究课题包括磁性薄膜材料的电磁特性，发现了磁壁运动引起的普适电动势，激光二次谐波的发射理论，低维度纳米新材料如石墨烯，二硫化钼的物理性质，拓扑电子通道的传输性质，和杂质散射对强自旋轨道耦合系统的影响等。发现了磁壁运动引起的普适电动势。目前的研究方向包括拓扑半金属，拓扑绝缘体，二维材料和纳米结构的物理性质，电子晶体，自旋和谷电子学，量子输运，磁性微结构的动力学，可充电电池电极材料等。

会议简介

“新兴电子材料与器件国际研讨会”（EEMD）聚焦新兴功能材料及其器件应用的最新进展，是促进该领域国内外学术交流及合作的国际研讨会。EEMD自2011年起每年召开一次。2019年，EEMD2019于7月19日-23日在湖南省张家界市举办，由湖南师范大学主办，湖南师范大学物理与电子科学学院和吉首大学软件学院（张家界）共同承办。邀请国内外专家介绍相关领域的最新发展动态及成果，涵盖相关理论、实验及建模。邀请报告将包括新材料、新能源、电子输运、热输运、自旋电子学、拓扑材料和机器学习等主题。