【学术视频】纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会 | 夏建白院士: 黄昆先生的学术贡献

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黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会会长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。

在此次研讨会中 中国科学院半导体研究所夏建白院士 于2019年9月2日下午在北京西郊宾馆做了关于黄昆先生的学术贡献精彩报告。

夏建白院士

夏建白

题目：黄昆先生学术贡献

单位：中科院半导体研究所

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黄昆先生学术贡献

报告人简介

夏建白

半导体物理专家。1965年北京大学物理系研究生毕业。现任中国科学院半导体研究所研究员。2001年当选为中国科学院院士。在低维半导体微结构电子态的量子理论及其应用方面进行了系统的研究。提出量子球空穴态的张量模型，获得重轻空穴混合的本征态，并给出正确的光跃迁选择定则。提出介观系统的一维量子波导理论，对任意复杂的一维介观系统给出了直观、简单的物理图象和解析结果。提出(11N)取向衬底上生长超晶格的有效质量理论，解决了一大类非 (001) 取向衬底生长超晶格的空穴子带的理论问题。提出计算超晶格电子态的有限平面波展开方法，用赝势理论研究了长周期超晶格，解决了用平面波方法计算大元胞晶体电子态的困难。提出半导体双势垒结构的空穴隧穿理论，发展了多通道的传输矩阵方法。