【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 清华大学帅志刚教授

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图 | 帅志刚

题   目：Huang-Rhys多声子驰豫理论在有机半导体中的拓展与应用

报告人：帅志刚

单   位：清华大学

时   间：2019-09-03

地   点：北京西郊宾馆

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报告提纲

基于Huang-Rhys多声子驰豫理论，我们：
1、发展了计算有机发光效率的多模振动关联函数方法；2、提出了有机半导体电荷迁移的核隧穿模型；3、发展了一个面向分子材料性能预测的计算化学商业化软件→让Huang-Rhys理论在化学和材料研究中普及！

个人简介

帅志刚，1983年毕业于中山大学物理系获学士学位，1986年获得暨南大学固体物理专业硕士学位，1989年获得复旦大学理论物理专业博士学位，1990年至2001年，在比利时蒙斯大学做博士后。2002年至2008年，任中国科学院化学研究所研究员、博士生导师。2008年5月至今，任职于清华大学化学系。2004年，获国家基金委杰出青年科学基金，2008年，当选为国际量子分子科学院院士；2009年，入选英国皇家化学会会士；2011年，当选欧洲科学院（Academia Europeae）外籍院士；2012年，获中国化学会-阿克苏诺贝尔化学科学奖；2013年，当选为比利时皇家科学院外籍院士；2018年，获法国化学会法-中讲座奖。此外，帅志刚教授还是北京大学、南京大学、东北师范大学、湖南大学、南京工业大学等校的兼职教授。其研究领域为理论化学、复杂材料体系电子过程的理论计算与模拟。

会议简介

黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。

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