【学术视频】第二十二届全国半导体物理学术会议 | 浙江大学宁凡龙教授

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图 | 宁凡龙

题   目：The Synthesis and Microscopic Characterization of Novel Diluted Magnetic Semiconductor Ba(Zn_1-xCo_x)₂As₂--N-型磁性半导体Ba(Zn_1-xCo_x)_₂As_₂的制备和表征

报告人：宁凡龙单   位：浙江大学时   间：2019-07-11地   点：杭州

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报告摘要

经过近20年的研究，稀磁半导体(Ga,Mn)As的居里温度已经达到了200K，但是这个温度仍然限制了其在室温的实际应用。同时，调制铁磁有序的空穴是位于价带上还是杂质带上仍然有一些争议，为最终解决磁有序机理带来了挑战。寻找具有更高居里转变温度，具有更好物理特性的稀磁半导体仍然是一项重要工作。自2011年以来，我们合作团队陆续制备出一系列新型块材的稀磁半导体，具有代表性的是I-II-VLi (Zn,Mn)As, "1111型" (La,Ba) (Zn, Mn)AsO和II-II₂-V₂ (Ba, K) (Zn, Mn)₂As₂。其中，(Ba,K) (Zn,Mn)₂As₂的居里温度已经达到了230K。这些稀磁半导体具有自旋和电荷可以分别调控的优势，对研究载流子如何调制铁磁有序具有一定的推进作用。不过，以上的稀磁半导体都是P-型的，而N-型的稀磁半导体很少见于报道。最近，我们通过在BaZn₂As₂母体中掺杂Co元素，制备出了一种新型的稀磁半导体, Ba(Zn_1-xCox)₂As₂。它的居里温度随着Co的掺杂量而改变，最高为45K。霍尔效应和热电势效应测量都显示其载流子类型为N-型。另外，我们通过一种局域、微观的磁性测量手段，缪子自旋共振(muon spin relaxation/rotation/resonance)证明了该体系中的磁有序是均匀的，铁磁有序的体积分数是由晶格上Co贡献的，而不是由Co的某种团簇造成的。

个人简介

宁凡龙，浙江大学物理学系教授、博士生导师。2000年毕业于吉林大学；2009年获麦克马斯特大学博士学位，随后在哥伦比亚大学从事博士后研究；2010年9月开始在浙江大学物理学系工作。2013年获得教育部“新世纪优秀人才”称号，2015年获得浙江省“杰出青年”项目资助，2016年任科技部重点研发计划超导项目的课题负责人。主要运用核磁共振和缪子自旋共振研究强关联电子体系的微观机理。在NaxCoO₂-yH₂O、铁基超导体和新型稀磁半导体的研究中做出了一系列具有影响力的前沿性工作。已经在Phys. Rev. Lett., Nature Comm., Phys. Rev. B等刊物上发表论文50多篇，被引用1900多次，h-index是22，在国内外学术会议上做邀请报告40多次。

会议简介

第二十二届全国半导体物理学术会议是浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办，由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。本届会议于2019年7月9~12日在杭州第一世界大酒店召开。朱邦芬院士、黄如院士、杜瑞瑞教授、段镶锋教授、熊启华教授、彭笑刚教授、陆卫教授、陆朝阳教授等知名学者莅临本届会议并作大会特邀报告。

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