【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 中科院上海技物所褚君浩研究员

Original KouShare 蔻享学术 2022-07-02

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图 | 褚君浩

题目：黄昆先生与窄禁带半导体研究新发现报告人：褚君浩单位：中科院上海技术物理研究所时间：2019-09-03地点：北京西郊宾馆

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报告摘要

褚君浩院士首先分享了他与黄昆先生之间一起工作的一些经历，赞扬了黄昆先生遇见问题及解决问题的态度，最后简单介绍了窄禁带半导体研究的一些新发现。

个人简介

褚君浩，半导体物理和器件专家，华东师范大学教授。1966年毕业于上海师范学院物理系，1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。曾任红外物理国家重点实验室主任。2005年当选为中国科学院院士。现任中国科学院上海技术物理研究所研究员、博士生导师，中国科学院上海技术物理研究所学位委员会副主任，SCI期刊《红外与毫米波学报》主编，华东师范大学信息科学与技术学院院长，兼任上海市科协副主席、中国光学工程学会常务理事。长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。近年来从事极化材料和器件以及太阳能电池技术研究。荣获全国首届创新争先奖章、十佳全国优秀科技工作者、上海市科普创新杰出人物奖等多项奖项。

会议简介

黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。