【直播】【“半语-益言”系列讲座】华南理工大学李国强教授：Si基GaN外延材料与芯片技术
本系列讲座由《半导体学报》主办，于2021年8月11日19:30开始。授权蔻享学术进行网络直播。
主 题：Si基GaN外延材料与芯片技术
主讲人：李国强 教授（华南理工大学）
主持人：赵德刚 研究员（中科院半导体研究所）
时 间：2021年8月11日 19:30-21:00
主办方：《半导体学报》
赞助单位：凌云光技术股份有限公司
报告摘要
III族氮化物材料（GaN, AlN, InN）作为第三代半导体材料重要组成，具有宽的禁带宽度、高的电子迁移率以及良好的导热性能等优异特性，能制备发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器等器件，广泛应用于半导体照明、微波功率电子、5G通信领域。然而，随着GaN外延材料与芯片的大规模应用，如何降低成本以及芯片集成化的要求成为了市场关注的焦点。采用Si作为GaN外延材料与芯片的衬底被研究者们提出。本报告将围绕Si衬底上高质量GaN外延材料的生长以及芯片的制备展开，首先是Si衬底上高质量GaN外延材料的两步法生长技术；其次是Si上GaN基LED、HEMT、FBAR外延结构设计技术；最后介绍了Si上GaN基LED、HEMT、FBAR器件制作新工艺。
报告人介绍
“半语-益言”系列讲座简介
《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOP英国物理学会出版社合作向全球发行。2019年入选科协”中国科技期刊卓越行动计划”。2020年，JOS被EI收录。
近年来，《半导体学报》进行了一系列改革，在创刊四十年之际，2020年启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作；创建了JOSarXiv预发布平台，JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台；针对半导体领域热点研究方向，组织多期系列专刊进行系统性、专业性介绍，为半导体领域科研工作者学术研究提供参考。经过一系列改革措施，《半导体学报》论文质量、行业影响力和论文引用率稳步提升，得到了国内外科研人员的大力支持和认可。
半导体集成电路和光电子芯片产业作为信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。近年来，随着国内外形势的快速变化发展，无论是半导体科研人员还是普通民众都对半导体芯片技术与产业的发展非常关注，期望我国能够尽快构建安全、自主、可控的半导体芯片研发与产业生态体系，早日摆脱受制于人的被动局面。
《半导体学报》举办"半语-益言"系列讲座，希望通过系列讲座普及半导体科学基础知识和前沿发展动态（即“半语”），让更多人了解半导体的内涵与外延并从中获得有用的知识（即“益言”），共同推动我国半导体科技与产业的发展。
半导体学报公众号
微信号 : JournalOfSemicond
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“半语-益言”专栏链接：
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编辑：黄琦
海报：黄琦
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