半导体学报2022年第2期——中文导读

综述

1

基于硅基光子的雪崩光电探测器

全球的数据传输量在过去数十年间迎来了迅猛且持续的增长，诸如云计算、人工智能、虚拟现实、物联网等新兴的应用仍不断地提升人们对于数据传输的需求。本世纪初，数据中心和超级计算机所需的海量数据传输就已经在带宽、功耗、串扰等方面触及了传统铜线互连的极限。光进铜退已经成为不可逆转的趋势，从上千公里的远程通讯到十几米的互连，光纤通讯正在不同应用场景中不断发挥特有的技术优势。近年来，硅基光电子技术由于其在高密度、高性能光电集成电路方面的巨大潜力而受到广泛的关注。它与CMOS技术的兼容性更进一步使其具备成为大规模、廉价光电子集成电路平台的潜力。但对于硅材料来说，其~1.12 eV的禁带宽度使其几乎不吸收1310 nm和1550 nm通信波段的光，因而硅本身很难用于通信波段的光电探测器。光电转换是光互连中不可或缺的关键部分，高速和高灵敏度的探测器可以左右整个光互连系统的设计、性能和成本。因此，实现高性能的光电探测器是硅基光子技术的关键一环。

近日，惠普实验室袁源、Bassem Tossoun、梁迪等科学家总结了硅基光子平台上的雪崩光电探测器（APD）的最新进展。与传统的光电探测器相比，APD由于其内部的雪崩增益作用拥有更高的灵敏度，因此可以有效降低激光器的输出功率，实现更远的传输距离，以及进一步提升光链路的其他性能。通过在硅基晶片上集成不同的窄禁带半导体材料，人们可以在发挥硅光子技术诸多优点的同时实现高效的光电探测。本文总结和对比了不同材料、不同集成方法下硅基APD的原理、性能与函待解决的问题，包括单片生长的锗、单片生长的铟镓砷/铟铝砷、单片生长的量子点、以及异质异构集成的量子点等方案。这些研究进展表明，集成在硅基光子平台的雪崩光电探测器可以获得与基于传统三五族复合半导体衬底的器件相媲美的低额外噪声，高带宽，以及高灵敏度；而且还可以利用硅材料特有的一些材料特性不断提高器件性能，为硅基光电子集成提供了更为广阔和美好的应用前景。毫无疑问，高质量的硅基APD将创造出一个巨大的市场，并为数字时代数据的爆炸增长和其他潜在的应用提供强大的技术支持。

图1. 包括示意电场的硅-锗雪崩光电探测器的常见结构。

图2.（左）异构集成光电探测器的横截面示意图。（右）量子点波导雪崩光电探测器的横截面电子扫描图。

Avalanchephotodiodes on silicon photonics

Yuan Yuan, Bassem Tossoun, Zhihong Huang, Xiaoge Zeng, Geza Kurczveil, Marco Fiorentino, Di Liang, and Raymond G. Beausoleil

J. Semicond. 2022, 43(2): 021301. 

doi: 10.1088/1674-4926/43/2/021301.

Full Text

2

石墨相氮化碳电子能带结构调控的研究进展

光催化技术是利用光催化材料实现太阳能转化和利用的一种有效方法，是解决能源和环境问题的最理想方式之一。然而，多数光催化材料光谱响应范围小、能量转化效率低、稳定性差和有毒性的问题，极大地阻碍了光催化技术的产业化进程。石墨相氮化碳（g-C₃N₄）用于光解水反应的发现（如图1），为光催化技术的研究开辟了一个新的视野，主要由于g-C₃N₄具有良好的理化稳定性、无毒、响应可见光的带隙结构、廉价和易于功能化等特点。然而，g-C₃N₄也存在一些不足，如可见光响应率低、电导率差、比表面积小等。因此，设计和开发调控g-C₃N₄性能的有效策略，逐渐成为光催化领域的研究热点之一。在众多调控策略中，电子能带结构由于可以有效调控g-C₃N₄的能带位置、减小带隙、提升催化反应的驱动力和载流子的分离迁移效率，从而引起了研究人员的广泛关注。

图1. 光催化全分解水的机理图。

基于此，中科院半导体研究所王智杰研究员课题组，围绕空位调控、元素掺杂、晶体结构调控、开发新的分子结构四种能带结构调控策略，系统总结了各调控策略对g-C₃N₄能带的影响机理以及在光催化反应中应用的最新进展。此外，针对能带调控提升g-C₃N₄催化性能研究中面临的核心问题，课题组也归纳了解决的策略和未来的研究方向，具体为：（1）开发能带调控和其它调控策略结合的协同调控策略，以优化和提升g-C₃N₄的催化性能；（2）发展新的实验和计算手段来探索基于g-C₃N₄复合光催化体系的协同作用机理和催化反应机制；（3）调控或改性g-C₃N₄在催化反应中的稳定性也是一个值得关注的方向。该综述为提升g-C₃N₄光催化性能和构建高效催化体系的研究提供了一些新的见解，对相关研究具有一定的指导意义和参考价值。

Recent development inelectronic structure tuning of graphitic carbon nitride for high efficientphotocatalysisChao Li, Jie Li, Yanbin Huang, Jun Liu, Mengmeng Ma, Kong Liu, Chao Zhao, Zhijie Wang, Shengchun Qu, Lei Zhang, Haiyan Han, Wenshuang Deng and Zhanguo WangJ. Semicond. 2022, 43(2): 021701. doi: 10.1088/1674-4926/43/2/021701.

Full Text

3

单晶金刚石的半导体应用以及“弹性应变工程”

近期，香港城市大学陆洋教授课题组系统总结并展望了金刚石（人造钻石）的半导体应用潜力及其在微纳尺度下“弹性应变工程”所带来的新机遇。文章综述了学术界与业界基于金刚石实验建模和构建的高压开关二极管、大功率高频场效应晶体管、微/纳机电系统以及在高温下工作的器件等多方面的努力，讨论了解决金刚石器件规模化应用的一些积极进展，并强调高质量化学气相沉积（CVD）大尺寸单晶金刚石薄膜的制备需求以及电子级应用下单晶金刚石掺杂的挑战。更进一步展示了课题组近年来通过积极利用微加工以及微纳尺度效应所带来的“弹性应变工程”策略调控金刚石电子和光电特性的新的潜在解决方案，有望为未来发展基于单晶金刚石的微电子和光电器件应用提供全新的角度和启发。

近年来，随着对宽带隙半导体需求的增加，5G甚至6G网络的到来，以及对大功率高频电气设备的需求，传统的硅基半导体技术由于性能有限而面临巨大的挑战。金刚石，作为一种超宽带隙半导体，与传统半导体相比因具有超高载流子迁移率、热导率、低热膨胀系数和超高击穿电压等诸多优势，成为下一代微电子和光子学的理想材料。然而，金刚石在实际应用于下一代电子产品也面临着各种挑战。人们已经在金刚石高压开关二极管的实验建模和制备、大功率高频场效应管、高温下工作的器件以及MEMS/NEMS做了大量的努力。金刚石晶圆的生产存在缺陷，且无法实现大面积晶圆生长。虽然近年在金属铱基底上已经可以生长出直径为4英寸的金刚石薄膜，但是缺陷仍然必须进一步被最小化。同时，均质外延生长金刚石的尺寸也在增加。因此，在不久的将来，通过更新制造设备和改进同质/异质外延生长技术，可以实现大面积、高质量金刚石晶圆的制造。

另外，金刚石存在浅层掺杂问题，掺硼的p型金刚石的合成和应用已经相对成熟，而且通过离子植入或CVD方法可以很好地控制杂质水平和载流子传输特性。然而，合成n型金刚石仍有很大的困难，并限制了金刚石半导体材料在电子领域的应用，在改进掺杂技术、提高电子迁移率、降低电阻率方面，值得进一步研究。另一方面，弹性应变工程被认为是调节金刚石电子特性的一种潜在方法，但由于金刚石固有的超高硬度和脆性的特性，这一方法长期以来被认为是不可能的。如今随着微纳米技术的发展，2018年首次报道在金刚石纳米结构中实现超大的弹性应变（Science 360 (6386), 300-302, 2018），后续通过第一性原理的理论计算预测了超大弹性应变能够改变金刚石的带隙。最近，研究者进一步展示了通过微加工块体单晶金刚石得到微阵列结构，并通过纯力学加载实现了超大、均匀的全局弹性应变（Science 371 (6524), 76-78, 2021），这使得金刚石的“深度弹性应变工程”成为可能。理论上，当施加极端的应变值时，甚至有可能在金刚石中实现“金属化”，甚至通过复合压缩-剪切变形金刚石甚至可变成超导体，这些令人激动的理论预测为开发未来基于“应变金刚石”的新型光电甚至量子器件开启了可能性。

作为目前极为受到瞩目的量子材料，人们发现通过施加应力应变可以控制金刚石单量子系统，这与传统基于电磁场的既定方法不同。例如，应变已被用于远程量子系统之间的信息传输，并可使机械振荡器冷却至其量子基态，这为量子信息处理应用打开了新的前景。

尽管如此，金刚石进入大规模的微电子产业应用仍然存在巨大的挑战。例如，基于金刚石的平面加工工艺的开发，将是构建金刚石集成电路芯片的主要挑战。此外，在精确的带隙测量下如何长时间保持应变的金刚石将是另一个挑战。在异质基底上生长金刚石薄膜，通过晶格错配可能是实现应变金刚石并最终将其用于实际器件的一个短期内较为现实的方法。最后值得一提的是，金刚石的半导体应用领域正处于蓬勃快速发展的阶段，但因其特性，需要多领域、交叉学科的研究人员和产业专家共同努力才能积极推进，以期其作为“碳基半导体”的有别于石墨烯和碳纳米管的另一条潜在赛道的“弯道超车”。

图1. 代表性的金刚石功能器件。（a, b）金刚石肖特基二极管的照片和原理图；（c）金刚石肖特基二极管用于具有高温关断功能的金属/陶瓷器件；（d）金刚石肖特基二极管在50，150和250 ℃下的开关特性；（e）金刚石金属-氧化物半导体场效应晶体管顶视图和横截面示意图。S、D和G分别代表源极、漏极和栅极触点；（f）室温下金刚石金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极电流与漏极电压的关系图；（g）硅基底上具有多个悬臂的金刚石器件的扫描电子显微照片；（h）聚焦光栅耦合器的扫描电子显微图像；（i）电光机械装置中独立的金刚石谐振器的扫描电子显微图像。
图2. 新型金刚石的制备和进展。（a）微波等离子体辅助CVD法在70个3.5 × 3.5 mm² HPHT籽晶上生长单晶金刚石；（b）CVD法水平连接的马赛克晶圆（40 × 40 mm²）；（c）通过微波等离子体CVD法在Ir/YSZ/Si（001）基底上异质外延法生长的一个155克拉的单晶金刚石，厚度为1.6 ± 0.25 mm，直径为90 mm；（d）一种高温高压下制备的硬度可与金刚石相媲美、具有半导体性质（带隙为1.5-2.2 eV）的无定形碳材料。
图3. 单晶金刚石的“弹性应变工程”。（a-c）金刚石纳米针"推转弯"的变形示意图、断裂之前的最大变形图和相应的有限元模拟再现了纳米针弯曲的几何形状显示了局部弹性最大主应变；（d）沿[100]方向对FIB加工的单晶金刚石纳米针进行"压转弯"的变形试验、断裂前的最大弯曲变形图和相应的有限元模拟复制了纳米针的形状和最大主应变的分布；（e, f）金刚石桥的单轴拉伸装置、加载-卸载试验和相应的有限元模拟再现了金刚石桥弹性应变的纵向分布；（g）具有多个桥的金刚石阵列的拉伸变形同步达到最大6%的拉伸应变；（h）金刚石带隙扩展至半导体区域；（i）ε₁₁-ε₂₂应变空间显示了直接带隙应变区域（蓝色）内的直接金属应变区域（棕色）和非零间接带隙应变区域（红色符号的白色区域）的间接金属应变区域（棕色）；（j）随着压缩-剪切应变渐增大，金刚石的带隙演化出的半导电、导电和超导的三个阶段，以及在选定的库仑赝势μ*范围内临界温度T_c与应变的关系图。

Diamond semiconductor and elastic strain engineering

Chaoqun Dang, Anliang Lu, Heyi Wang, Hongti Zhang and Yang LuJ. Semicond. 2022, 43(2): 021801. doi: 10.1088/1674-4926/43/2/021801.

Full Text

4

相变存储器集约模型综述

相变存储器（Phase Change Memory）作为一种新型的非易失性存储器，在存储级内存、神经形态计算等领域被认为是有力的候选技术之一。在国际上，Intel，IBM等公司都在相变存储器领域有多年的技术积累。在存储器技术的发展过程中，面向电路设计仿真的集约模型（Compact Model）不可或缺。在存储、选通单元的匹配，存储单元的寄生和串扰效应，以及包含驱动电路的整芯片的设计中，集约模型都起到连接器件技术和设计方法的桥梁作用。基于相变存储器实现电子神经突触，进而构建硬件脉冲神经网络，也是目前学术界和工业界的研究热点。神经形态电路利用存储器的模拟和阈值转换等特性，其仿真设计对集约模型的要求更高，对模型的物理功能、计算速度、仿真收敛提出不小的挑战。

近日，北京大学张立宁助理教授、黄如院士课题组，联合中科院上海微系统研究所宋志棠研究员，系统地回顾了用于相变存储器电路和系统设计的集约模型的发展状况，并对未来的模型发展进行了展望。北京大学课题组近年来在相变存储器集约模型方向进行了深入研究，陆续提出和发展动态时间演进的建模方法和模型降阶的方法，实现对包含多物理场耦合的相变存储器的高效计算和仿真。该综述文章系统地梳理了发展存储器模型的宏模型构建、物理基础模型构建的方法，着重分析了脉冲神经网络设计对相变存储器模型的要求，并就微缩结构相变存储单元、存储单元的涨落和统计建模以及存储单元的可靠性建模等方面的挑战阐述了自己的观点。在神经形态计算电路和系统设计中，涵盖存储器可靠性等物理效应的集约模型将对技术的进步起到持续的推动作用。

图1. (a) PCM 器件的非晶态（复位）和晶态（置位）状态的电阻与时间的函数关系。(b) 复位单元的电阻与时间的关系。两个插图展示了烘烤实验中相对较短（左上）和较长（右下）烘烤时间的混合相结构。

A review of compact modeling for phase change memory
Feilong Ding, Baokang Peng, Xi Li, Lining Zhang, Runsheng Wang, Zhitang Song and Ru HuangJ. Semicond. 2022, 43(2): 023101. doi: 10.1088/1674-4926/43/2/023101.

Full Text

研究论文

5

Cu₂MgSnS₄的缺陷特性和空位

Cu₂ZnSnS₄（CZTS）是一种无毒且高丰度的光伏吸光材料。它拥有合适的带隙（1.5 eV）和高吸收系数（104 cm^-1）。然而，CZTS器件的效率始终受到电位波动和吸收带尾问题的阻碍，这是由于CZTS材料内部存在大量拥有较低形成能的Cu_Zn点缺陷和Cu_Zn+Zn_Cu缺陷复合体，它们会生成非辐射复合中心俘获电子、造成Cu/Zn组分波动并进一步生成次生相。为了克服这个问题，通过替换Zn元素来规避CZTS的缺陷问题有可能会成为发展CZTS光伏器件的一个有效途径。其中镁（Mg）是一种近期被看好的替代元素，然而这方面的基础缺陷研究尽管重要，却非常缺乏。另外，Mg究竟在缺陷性质方面有没有优势也是不清楚的。

近期，香港中文大学朱骏宜教授研究团队应用密度泛函理论的杂化泛函（HSE06）方法，将Zn元素替换为Mg元素，研究了Cu₂MgSnS₄（CMTS）中各类点缺陷的电学和热力学特性。研究结果表明，CMTS的生长窗口与CZTS相似，而且与CZTS相比，CMTS大多数点缺陷的形成能增加，因此缺陷密度较低，这一性质降低了具有多价态并且有害的Mg_Sn和Cu_Sn的浓度；此外，文中预测CMTS将会展现p型半导体的性质，因为Cu_Mg电离成Cu_Mg^-后，会与Mg_Cu发生载流子补偿，并将费米面钉扎在价带之上约0.2 eV的位置。这些发现进一步证实了CMTS作为CZTS的替代吸收材料的可行性。

另外，其研究结果亦揭示出，点缺陷Sn_Mg在不同化学势条件下都拥有较低形成能并会在带隙中引入深能级，会成为比较有害的非辐射复合中心。鉴于此，他们预测，未来在CMTS合成过程中，应将化学势调整到缺失Sn和Cu的状态并在较低的温度下进行退火来避免高浓度的Sn_Mg点缺陷。此外，研究中运用广义梯度近似法，揭示了Cu和Mg原子通过V_Cu扩散的势垒较低，在CMTS中依然存在与CZTS相似的Cu/Mg无序现象。

本文从材料缺陷的角度揭示了CMTS相比于CZTS的优缺点，基于此研究的理论分析，未来的研究可进一步着眼于缺陷钝化方案和CMTS结构稳定性，以此提高CMTS光伏器件的效率。

图1. 调控化学势从Cu缺乏（A）到Cu富集（G）的情况时，CMTS的点缺陷（左）和缺陷复合体（右）的中性态缺陷形成能。

图2. 相对于V_Cu的阳离子和相对于V_S的阴离子沿MEP扩散的能量，计算图像的能量由标记表示，实线为插值。

Defects properties and vacancy diffusion in Cu2MgSnS4

Kin Fai Tse, Shengyuan Wang, Man Hoi Wong and Junyi Zhu

J. Semicond. 2022, 43(2): 022101. 

doi: 10.1088/1674-4926/43/2/022101.

Full Text

6

硅基集成高速模式偏振选择开关

随着大数据和 5G 时代的到来，光通信和光互连面临超大容量信息复用和处理的挑战。模式作为可携带信息的物理维度，一方面可以在保持信道数量的情况下减少所需激光器的个数，另一方面可与波长、偏振复用兼容以进一步提高信道数量，为进一步增大传输容量提供了一个选择。在可重构模式复用/多维复用系统中，光开关是重要组成器件。已报道的多维复用光开关是基于硅的热光效应实现调谐，响应时间慢，在微秒量级。开展高速多维复用光开关的研究具有十分重要的意义。

上海交通大学张永老师等提出了一种基于PN结相移器的马赫曾德尔结构的高速模式偏振选择开关。该硅基多维复用光开关可将任一输入端口的四个模式/偏振分量（TE0，TE1，TM0，TM1）路由到任一输出端口，实现高速导通和切换。如图1所示，实验制备的模式偏振选择开关所有信道在1550 nm波长处的插入损耗小于9.03 dB，模式间串扰小于 -15.86 dB。图2为加电调谐后测得的开关动态响应时间，上升沿和下降沿的10%-90% 开关时间分别11和10 ns。

该光开关通过引入模式偏振两个物理维度，为未来高速光网络提供了一种有效提升通信容量的方案。

图1.  高速模式偏振选择开关测试结果。图2.  开关动态响应时间测量。黄色和蓝色曲线分别代表所施加的方波电压信号和被测信号的动态切换。虚线代表峰值电压的10% 和90%。

Silicon-integrated high-speed mode and polarization switch-and-selector

Yihang Dong, Yong Zhang, Jian Shen, Zihan Xu, Xihua Zou and Yikai Su

J. Semicond. 2022, 43(2): 022301. doi: 10.1088/1674-4926/43/2/022301.Full Text

7

不同晶向的蓝宝石衬底上磁控溅射AlN薄膜的结构和光学特性

作为一种超宽禁带半导体材料，AlN因具有击穿场强高、耐高温高压性能好、压电性能优异等特点而受到了研究者们的广泛关注。AlN在各种光电、电子电力器件和声波滤波器中均存在相关应用，考虑到现阶段单晶AlN衬底生长技术还不成熟，AlN薄膜主要依赖异质外延技术进行制备。目前，在各种外延技术中，金属有机化学气相沉积（MOCVD）被认为是外延AlN最为广泛使用的技术之一，但始终面临着生长周期较长、成本较高，以及生长温度过高导致衬底选择少等问题。与MOCVD相比，反应磁控溅射制备AlN单晶薄膜作为一种替代技术，具有设备及工艺成本低、生长过程中无副产品、杂质含量少等优势，但受制于Al原子迁移率低的本征属性，磁控溅射过程中AlN的柱状生长模式会导致位错和缺陷的产生。近年来，日本三重大学提出了磁控溅射结合高温退火的工艺改善AlN晶体质量，但目前高温退火对磁控溅射AlN的晶面取向和光学特性的影响尚不清楚，深入研究不同晶面蓝宝石衬底上磁控溅射AlN经过高温退火后的结构和光学特性变化，有助于进一步厘清和明晰基于磁控溅射技术的超宽禁带半导体材料生长技术路线图，为深紫外光电子器件的效率提升奠定基础。

近日，中科院宁波材料研究所叶继春研究员、郭炜研究员、孟凡平博士等采用磁控溅射技术分别在（0001）、（10-10）和（11-20）等不同晶面取向的蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，并在1700 ℃下进行了退火。结果表明AlN薄膜的结晶质量在高温退火之后得到了极大的改善，在高温退火之后，沉积在c面和a面蓝宝石上的AlN（0002）摇摆曲线的半高宽分别低至68和151 arsec，比退火前降低了数倍。此外，在高温退火后，由于点缺陷密度降低，AlN薄膜的吸收带边蓝移、深紫外透射率升高。磁控溅射AlN的结构和光学性能的改善证明了高温退火处理具有在半极性和非极性衬底上实现高质量AlN的巨大潜力，这一技术为制备大尺寸、高质量的非极性、半极性面紫外发光器件提供了一种可能：在这样的结构中，自发极化强度得以显著降低，从而避免了电子和空穴在空间中的分布不均匀引起的器件效率恶化的问题。

图1. 高温退火前后在c面（a）和a面（b）蓝宝石衬底上溅射的AlN（0002）取向高分辨XRD摇摆曲线图。其中C1，A1为退火前，C2和A2为退火后。

表1. 通过α²与光子能量曲线计算拟合得到的AlN禁带宽度。

Structural and optical properties of AlN sputtering deposited on sapphire substrates with various orientations

Xianchun Peng, Jie Sun, Huan Liu, Liang Li, Qikun Wang, Liang Wu, Wei Guo, Fanping Meng, Li Chen, Feng Huang and Jichun Ye

J. Semicond. 2022, 43(2): 022801. 

doi: 10.1088/1674-4926/43/2/022801.

Full Text

8

采用超声波喷雾热解技术的透明导电氧化锡涂层：气溶胶溶液中摩尔浓度与改善电学性能的相关性

我们在Corning^® EAGLEXG^®的薄型玻璃衬底上沉积了具有理想配比的高透明导电纳米晶体氧化锡涂层。每种涂层都通过超声波喷雾热解（USP）技术将不同浓度的气溶胶溶液沉积在衬底上，衬底温度保持在623.15 K。氮气除了被用作气溶胶导向气体外，还用作溶液载体，其流速分别保持在3500.0 mL/min和500.0 mL/min。氧化锡涂层为多晶，无论喷雾溶液的摩尔浓度如何，涂层最易沿氧化锡（112）面生长。气溶胶溶液浓度为0.2 M时制备的涂层在可见光波段的平均透射率为60%，最大电导率为24.86 S/cm。根据激子和氧空位缺陷能级发光强度计算，沉积涂层的光致发光集中在绿色、绿白色和蓝白色等波段。图1. USP 用于氧化锡涂层沉积过程的实验方法图示。

Transparent conductive stannic oxide coatings employing an ultrasonic spray pyrolysis technique: The relevance of the molarity content in the aerosol solution for improvement the electrical properties

L. Castañeda

J. Semicond. 2022, 43(2): 022802. 

doi: 10.1088/1674-4926/43/2/022802.

Full Text

《半导体学报》简介：

《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。2020年，JOS被EI收录。

“半语-益言”系列讲座

借一言半语，聊“核芯”科技，“半语-益言”直播讲座2020年全28期及特别直播回放链接：https://www.koushare.com/periodical/periodicallist?ptid=5

今年首播时间：2021年4月7日（周三）晚19:30-21:00

“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：

《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：[e-mail]，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。

JOSarXiv预发布平台简介：

半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。

JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！

半导体学报公众号

长按二维码关注获得更多信息

扩展阅读

 

蔻享学术平台，国内领先的一站式科学资源共享平台，依托国内外一流科研院所、高等院校和企业的科研力量，聚焦前沿科学，以优化科研创新环境、传播和服务科学、促进学科交叉融合为宗旨，打造优质学术资源的共享数据平台。

版权说明：未经授权严禁任何形式的媒体转载和摘编，并且严禁转载至微信以外的平台！

---

原创文章首发于蔻享学术，仅代表作者观点，不代表蔻享学术立场。

转载请在『蔻享学术』公众号后台留言。