【直播】【“半语-益言”第三季第一期】第一性原理半导体材料设计的进展与挑战

直播信息

报告题目

第一性原理半导体材料设计的进展与挑战

报告人

魏苏淮 教授（北京计算科学研究中心）

报告时间

2022年7月6日(周三)19:30

主办方

半导体学报

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报告人介绍

魏苏淮教授现任北京计算科学研究中心讲座教授、材料与能源研究部主任，国家重点专项首席科学家，国家基金委重大项目负责人，美国物理学会会士（APS Fellow），美国材料学会会士（MRS Fellow）。1981年本科毕业于复旦大学，1985年在美国威廉玛丽学院（College of William and Mary）取得理学博士学位，1985年-2015年在美国可再生能源国家实验室(NREL)工作，2015年回国前担任NREL理论研究室主任，实验室Fellow。在半导体能带理论、缺陷与合金物理、能源与光电材料设计、计算方法等方面取得了系统性的研究成果。已发表SCI论文540余篇，包括74篇PRL。论文引用大于65000多次，H因子128（Google Scholar）。

报告摘要

半导体技术的进一步发展依赖于开发一批具有特殊性能的新型半导体材料。基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算可以在原子尺度上理解和预测材料特性，因此在半导体材料设计中发挥着重要作用。随着计算机能力的快速进步和计算方法的发展，基于DFT的计算精度已经极大的提高，促进了材料设计从实验引导的试错法向理论计算驱动的方法转变。在本报告中，我会首先介绍DFT计算方法的一些进展；然后举例介绍第一性原理材料设计的方法和思路；最后我会讨论材料计算设计面临的挑战和未来的一些研究方向。

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编辑：王亚琨

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