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【直播】【博士创『芯』说】氧化镓光电探测器研究进展

蔻享学术 2022-10-01

The following article is from 未来芯片技术高精尖创新中心 Author 跨学科交叉融合的



活动名称:

博士创『芯』说第四十期—:氧化镓光电探测器研究进展

活动时间

2022年9月30日 (周五) 10:00

报告嘉宾:

赵晓龙(中国科学技术大学)

主办单位:

清华大学集成电路学院、集成电路高精尖创新中心


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报告人介绍


赵晓龙

中国科学技术大学


赵晓龙,武汉大学与中科院微电子所联合培养博士,现任中国科学技术大学特任副研究员。研究方向为新型非易失存储器及智能光电感算器件。现主持国家自然科学基金青年基金、博士后面上、博新计划,中科大“墨子杰出青年”等基金项目。在Nature Communications, Advanced Materials, IEEE IEDM,IEEE EDL, APL, ACS Photonics等国际期刊发表SCI论文40余篇,SCI引用1500余次,公开/授权发明专利20余项。


报告简介


宽禁带半导体深紫外光电探测器是一项军民两用的关键探测技术,特别是在新一代紫外通信技术、机器视觉、空间防御等领域有着独特的优势。硅基间接型日盲深紫外探测器具有复杂的器件结构、较低抗辐照强度、较低的响应度与量子效率等本征缺陷。作为一种超宽禁带深紫外探测材料,氧化镓(Ga2O3)具有耐击穿、耐高低温、抗辐照、高日盲响应等本征优点,在各发达国家半导体技术前瞻布局中具有重要的战略地位。Ga2O3光电探测器有望在高响应、大阵列等方面推动日盲深紫外成像及深紫外光通信技术实现新突破。报告将从材料、器件、阵列等角度,概述Ga2O3日盲深紫外探测器的研究现状、发展趋势、现存挑战等,同时将简要介绍团队在Ga2O3深紫外探测器研究进展难点上的一些新探索。




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编辑:吴良秀

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