【信达电子】电力电子碳化硅：800V平台加速落地，高opex属性+低渗透率驱动行业领跑
报告摘要
800V高压平台加速落地，2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高压快充平台为解决里程焦虑的破局者，国内外车企从2021年起掀起一轮800V平台车型发布潮，国内造车新势力及传统汽车厂商旗下的智能电动品牌纷纷入场，以抢攻大功率快充高地。伴随高压平台逐渐落地，具有耐高压、低阻抗、无拖尾电流等优势的SiC有望成为首选。
原料降价叠加优异性能，SiC有望突破成本藩篱，SiC MOSFET或将于2023H2达到价格甜蜜点，带动更多车端逆变器应用。基于碳化硅电驱动系统可降低4.43%的典型城市工况行驶电耗的假设，由于Si方案提高续航需增加电池容量并在一定程度上增加电耗，因此若等效SiC方案的续航，Si方案需明显提高电池容量，从这一方面来看SiC方案可以节约电池容量扩大所带来的成本提升。若SiC晶圆价格年降10%左右，则有望在2023H2获得正的成本节约值，SiC MOSFET 6寸晶圆价格3518美元/片时整体效益达到平衡。
乘新能源车之风，功率碳化硅器件市场扬帆起航。在800V平台+SiC双重渗透下，我们预计国内SiC功率器件市场规模将在23/24/25/26年分别达到5.30/9.23/15.71/25.59亿美元，CAGR高达69.02%。我们以WolfSpeed FY2021给出的全球车载SiC器件市场空间计算国内占比，验证测算的准确性，22/24/26E占比分别在33.12%/49.11%/55.63%，到2026年占比与国内新能源车销量占比基本一致。
碳化硅衬底价值量较硅基晶圆呈现显著提升，其中MOSFET产品更重器件设计。以各环节价格为基础数据，我们发现，在硅基晶圆中，衬底及外延分别占比4.69%/5.22%，前道设计及制造占比90%。而6寸碳化硅二极管中衬底占比显著提高至40%。与器件设计制造基本一致；6寸SiC MOSFET则向器件设计端倾斜，占比提升至62.5%，我们测算的MOSFET结构情况与Yole给出的1200V产品结构基本一致。
SiC市场起量期间，国内厂商抓住扩产机会布局碳化硅产业链，填补市场窗口。目前，国内碳化硅供应仍处于起步期，且电控用碳化硅器件尚未实现0到1的突破，我们预计将于2024年实现上车。
海外扩产热情抬高碳化硅行业市场预期，短期业绩难以扰动长期信心。自2022年4月底上证指数见底反转后，虽然全球半导体行业仍然处于周期下行阶段，但天岳先进收盘价呈现明显的逆周期上行趋势。其中，WolfSpeed FY22Q4业绩超预期这一时间节点，带动了公司股价快速上升，且其他业务纯度较低或碳化硅业务仍处于规划阶段的公司也同样享受了这一利好（包括三安光电/东尼电子等）。天岳先进8月期间发布公司22半年报，营收及净利润均呈现同比大幅下滑，主要由于济南工厂部分半绝缘片产能转做导电衬底，印证了电力电子碳化硅景气高涨，因此短期的业绩不达预期并未对市场信心造成扰动。我们认为，上述股价复盘印证了电力电子碳化硅行业的较高投资热情，整体赛道特点目前为：
（1）Capex+Opex属性建筑双重护城河；
（2）与国内其他半导体厂商的国产替代主线逻辑不同，碳化硅行业强β属性主要归因于全球碳化硅技术的低渗透率叠加800V平台大规模规划下行业供需格局高度紧张；
（3）目前全球维度来看各大厂扩产热情高涨，2021年业绩尚处于起步阶段，海外大厂投资建设碳化硅热情抬高了市场整体预期；
具体到公司维度，我们测算了不同产线稼动率及良率/损耗情况下碳化硅衬底业务的毛利率情况。
短期关注：增加产能规模、提升机台稼动率，通过规模效应摊薄研发成本、人力成本及折旧；
长期核心：注重工艺维护，良率提升及切磨抛损耗的下降将显著提升单机台产出，扩大利润空间。
与此同时，衬底的良率提升对整体芯片良率起重要作用，而碳化硅产业链上下游高度耦合，芯片良率的提升也将带动单晶圆供车量直线上升。因此，除公司本身稼动率及工艺提升程度测算或技术路径选择外，也可密切跟踪车端应用情况（衬底厂商通常与外延厂商签约后供给器件端/器件厂商直接与终端车厂或Tier1厂商签约）以印证前述测算的准确性。
投资建议：汽车电动化浪潮下功率产能满载新能源需求续强，国内具备技术及资金实力的厂商将迎来切入下游客户供应链抢占份额的机遇。我们关注在SiC市场起量期间抓住扩产机会且在功率SiC有所布局的优质标的，其中进度较快且具备产能先发优势的企业为碳化硅平台型IDM龙头三安光电及深耕碳化硅衬底领域多年的天岳先进，有望在行业高速成长期间占领更多业绩增量空间。
风险因素：新能源车销量不及预期；光伏装机不及预期；碳化硅渗透率不及预期；WolfSpeed产线进展不及预期。
报告正文
01
行业概况：碳化硅性能优势体现，改善工艺控制为中期核心
作为第三代半导体材料的代表，SiC具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度和高热导率等优良特性。SiC的禁带宽度（2.3-3.3eV）约是Si的3倍，击穿电场强度约是Si的10倍，热导率（490W/(m·K)）约是Si的3.2倍，可以满足高温、高功率、高压、高频等多种应用场景。
与硅基半导体材料相比，以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT。IGBT通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。
SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗，而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小，主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。
以80kW EV为例，ST测算了SiC MOSFET与Si IGBT+二极管方案下的牵引逆变器功率损耗。归因于SiC更优的FOM参数性能，SiC MOSFET在更高的结温情况下损耗减少更多，合计导通损耗后相比硅基方案减耗40%。
碳化硅衬底企业发展主要掣肘为工艺难点及价格，其中工艺为核心要素，工艺控制的改善也将有效改善生产成本，缩小与Si IGBT之间的价差后带动产业链整体放量。长晶环节是关键，碳化硅需要在高温、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，其生长速度相比硅材料有数量级的差异；此外，碳化硅存在200多种同质异构体，在密闭的高温石墨坩埚中生长，无法即时观察晶体的生长状况，容易产生位错及异质晶型，影响良率。器件环节，由于碳化硅材料同时存在硅与碳两种原子，因此需要特殊的栅介质生长方法，栅氧质量将直接影响沟道和栅极的可靠性，离子注入环节也容易降低性能及功率效率。
价格层面，22H1产品价格继续回落，价差进一步缩小。价格方面，2022年上半年SiC、GaN晶体管的均价较2021年底有所下降。根据Mouser数据，SiC MOSFET方面，650V、900V、1200V、1700V的产品均价分别为1.88元/A、2.94元/A、2.88元/A、5.78元/A；较2021年底分别下降了-7.13%、56.49%、-7.25%、-5.33%，基本回到2020年底价格水平。
主流大厂SiC MOSFET 1200V产品价格涨幅收窄。据Mouser、得捷公开报价显示，650V产品价格整体增长40.16%，其中ST价格上涨了70%，UnitedSiC、Wolfspeed分别+43.61%/35.14%。而1200V产品价格的涨幅较2021年明显收窄。ST、ROHM平均价格涨幅在5%以内。
22H1现货率仍然较低，但缺货紧张情况缓解。从现货情况及交货周期来看，缺货及供应链紧张情况有所缓解。2021年底，产品缺少现货（正常库存比例小于60%），且交货周期均较长，达到30周以上。2022年上半年，在售产品现货比例超过88%，而非现货交货周期有所缩短。
我们认为，后续实现碳化硅降价的路径主要分为四点：
（1） 增加产能规模、提升机台稼动率，通过规模效应摊薄研发成本、人力成本及折旧；
（2） 引入智能制造手段，通过高效的数据及流程管理，增加生产效率；
（3） 继续提高并优化现有PVT长晶技术，改善切磨抛工艺，提高碳化硅衬底综合良率；
（4） 开发颠覆性创新技术（如液相熔体长晶技术、激光切割技术、Grinding 技术等），突破现有传统技术的极限瓶颈，实现成本的显著下降。
02
电力电子碳化硅行业价值测算
2.1
需求端：碳化硅价格甜蜜点将至，800V平台为主要驱动因素
EV/HEV是未来SiC功率器件的主要驱动力。其中碳化硅器件下游应用主要包含主逆变器、DC-DC、OBC、DC-DC。对于电动汽车，不同应用部件对于车规级功率器件的功率等级要求不同，其中主逆变器功率要求最高，也是碳化硅器件可靠性要求最高的环节。
800V高压平台加速落地，2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高压快充平台为解决里程焦虑的破局者，国内外车企从2021年起掀起一轮800V平台车型发布潮，国内造车新势力及传统汽车厂商旗下的智能电动品牌纷纷入场，以抢攻大功率快充高地。伴随高压平台逐渐落地，具有耐高压、低阻抗、无拖尾电流等优势的SiC有望成为首选。
原料降价叠加优异性能，SiC有望突破成本藩篱，SiC MOSFET或将于2023H2达到价格甜蜜点，带动更多车端逆变器应用。
（1）基于碳化硅电驱动系统可降低4.43%的典型城市工况行驶电耗的假设，由于Si方案提高续航需增加电池容量并在一定程度上增加电耗，因此若等效SiC方案的续航，Si方案需明显提高电池容量，从这一方面来看SiC方案可以节约电池容量扩大所带来的成本提升。若SiC晶圆价格年降10%左右，则有望在2023H2获得正的成本节约值，SiC MOSFET 6寸晶圆价格3518美元/片时整体效益达到平衡。
（2）此外，我们也进行了行驶电耗降低4.43%情况下不同电池容量及续航里程情况下碳化硅方案成本节约测算。在2022年的SiC和Si的单车成本差距水平下，电池容量在70kWh以上的车型如果系统效率提升可达6%以上，SiC方案会更具有成本优势；2023年叠加原材料价格下降的趋势，系统效率提升4%以上即可使得提效节约的成本覆盖SiC器件成本。
需求测算假设：由于行业对800V渗透率意见不一，我们参考NE时代给出的800V渗透率并给予一定浮动，后文我们将在其他应用测算的市场空间合计基础上，给予各车型800V渗透率±15%的弹性测算，提供国内碳化硅器件整体区间指引。
乘新能源车之风，功率碳化硅器件市场扬帆起航。根据我们的测算，在800V平台+SiC双重渗透下，我们预计国内SiC功率器件市场规模将在2023/2024/2025/2026年分别达到5.30/9.23/15.71/25.59亿美元，CAGR高达69.02%。我们以WolfSpeed FY2021给出的全球车载SiC器件市场空间计算国内占比，验证测算的准确性，22/24/26E占比分别在33.12%/49.11%/55.63%，到2026年占比与国内新能源车销量占比基本一致。
除新能源车将显著带动碳化硅市场需求外，光伏逆变器、高压充电桩、轨交电网等其他应用也将为碳化硅市场创造增量。其中，光伏方面，未来光伏设备的技术发展趋势是提高功率，减小体积与质量和提高稳定性。光伏逆变器是保障光伏发电系统高效、经济和稳定运行的重要一环。低阻抗、适应高频高压环境工作SiC材料将在光伏发电领域有巨大潜力。我们预计国内光伏板块SiC市场空间23/24/25/26年分别为2.99/7.34/11.61/16.85亿美元。
根据上述测算，我们总结国内碳化硅市场空间合计情况如下，并给予800V渗透率的弹性测算。23/24/25/26E国内合计碳化硅市场空间分别在9.62/18.29/29.48/45.16亿美元，CAGR在67%，其中2026年新能源车占比约为57%，光伏占比37%，为两大主要市场。
在各车型800V渗透率*（1±15%）的情况下，合计碳化硅器件市场空间较中性预测变动区间在±10%范围内，800V渗透为碳化硅空间的关键影响指标。此外，我们认为，光伏SiC的加速渗透或将进一步为SiC市场空间提供超额机会。
2.2
产业链价值量：22-25E降价假设下碳化硅器件各环节价值几何？
碳化硅衬底价值量较硅基晶圆呈现显著提升，其中MOSFET产品更重器件设计。以各环节价格为基础数据，我们发现，在硅基晶圆中（以12寸3D NAND为例），衬底及外延分别占比4.69%/5.22%，前道设计及制造占比90%。而6寸碳化硅二极管中衬底占比显著提高至40%。与器件设计制造基本一致；6寸SiC MOSFET则向器件设计端倾斜，占比提升至62.5%，我们测算的MOSFET结构情况与Yole给出的1200V产品结构基本一致。
由于碳化硅产业链厂商纷纷开展产能扩张、工艺提升等规划，碳化硅成本将显著下降，基于前文测算的价值量分布，我们给出各环节22-25E降价假设，SiC MOSFET价值将由2022年4000$/片下降至2025年3065$/片。
结合各应用市场空间测算及MOSFET/二极管占比假设，我们给出各应用环节及产品端测算如下：
2.3
供给端：海外大厂扩产热情高涨，国内电控碳化硅仍为空白
国际厂商SiC扩产持续，供给竞争激烈。根据CASA，2021 年国际上第三代半导体领域至少有 9 起重点扩产计划，其中涉及 SiC 产业链的包含7 起，披露的扩产金额超过 80亿元人民币。美国 II- VI 计划在五年内将 SiC 衬底（含 8 英寸）生产能力提高 5 至 10 倍；日本 Showa Denko 宣布投资 58 亿日元（3.4 亿人民币）用于 SiC 晶圆和锂离子电池材料扩产，项目预计 2023 年 12月完工；ROHM、韩国 SK 集团、Silicon Works、Yes Power Technix 等近期均宣布 SiC 相关扩产计划。此外，国际汽车零部件供应商 Bosch集团加强自主生产 SiC 芯片，其第二代产品预计明年投入量产。
SiC市场起量期间，国内厂商抓住扩产机会布局碳化硅产业链，填补市场窗口。目前，国内碳化硅供应仍处于起步期，且电控用碳化硅器件尚未实现0到1的突破，我们预计将于2024年实现上车。
03
投资策略：如何投资碳化硅行业？
由于A股中以电力电子碳化硅为主营业务且业务结构纯度较高的上市公司目前仅天岳先进，我们以公司股价对照全球半导体销售额同比增速进行复盘。通常来说，国内半导体指数以销售额同比增速这一指标为中枢，象征整体半导体行业的景气度。我们发现，自2022年4月底上证指数见底反转后，虽然全球半导体行业仍然处于周期下行阶段，但天岳先进收盘价呈现明显的逆周期上行趋势。其中，WolfSpeed FY22Q4业绩超预期这一时间节点，带动了公司股价快速上升，且其他业务纯度较低或碳化硅业务仍处于规划阶段的公司也同样享受了这一利好（包括三安光电/东尼电子等）。天岳先进8月期间发布公司22半年报，营收及净利润均呈现同比大幅下滑，主要由于济南工厂部分半绝缘片产能转做导电衬底，印证了电力电子碳化硅景气高涨，因此短期的业绩不达预期并未对市场信心造成扰动。
我们认为，上述股价复盘印证了电力电子碳化硅行业的较高投资热情，整体赛道特点目前为：
（1）Capex+Opex属性建筑双重护城河；
（2）与国内其他半导体厂商的国产替代主线逻辑不同，碳化硅行业强β属性主要归因于全球碳化硅技术的低渗透率叠加800V平台大规模规划下行业供需格局高度紧张；
（3）目前全球维度来看各大厂扩产热情高涨，2021年业绩尚处于起步阶段，海外大厂投资建设碳化硅热情抬高了市场整体预期；
因此，在目前行业尚处于扩张初期情况下，核心关注要点为：（1）海外大厂roadmap中营收/Capex规划；（2）WolfSpeed每季度业绩及季度/年度业绩指引。其中，后者对于国内碳化硅A股的驱动力量不可小觑。
具体到公司维度，我们测算了不同产线稼动率及良率/损耗情况下碳化硅衬底业务的毛利率情况。
短期关注：增加产能规模、提升机台稼动率，通过规模效应摊薄研发成本、人力成本及折旧；
长期核心：注重工艺维护，良率提升及切磨抛损耗的下降将显著提升单机台产出，扩大利润空间。
与此同时，衬底的良率提升对整体芯片良率起重要作用，而碳化硅产业链上下游高度耦合，芯片良率的提升也将带动单晶圆供车量直线上升。因此，除公司本身稼动率及工艺提升程度测算或技术路径选择外，也可密切跟踪车端应用情况（衬底厂商通常与外延厂商签约后供给器件端/器件厂商直接与终端车厂或Tier1厂商签约）以印证前述测算的准确性。
04
投资建议
汽车电动化浪潮下功率产能满载新能源需求续强，国内具备技术及资金实力的厂商将迎来切入下游客户供应链抢占份额的机遇。我们关注在SiC市场起量期间抓住扩产机会且在功率SiC有所布局的优质标的，其中进度较快且具备产能先发优势的企业为碳化硅平台型IDM龙头三安光电及深耕碳化硅衬底领域多年的天岳先进，有望在行业高速成长期间占领更多业绩增量空间。
硅基功率半导体内嵌于半导体行业整体的景气周期中，但整体景气上行阶段长于半导体行业周期，目前高压MOSFET、IGBT货期仍然处于高位，我们认为，23年初起或将进入6-8个季度下行期，利润空间随之收窄。叠加海外扩产产能逐渐释放，23H2全球IGBT供需结构进入紧平衡，国产替代进程相较21-22年将有所放缓。传统硅基功率器件企业凭借原有的Power设计经验及客户资源基础，拓展电力电子SiC具备一定优势，在SiC MOSFET上的布局拓展将成破局。
05
风险提示
新能源车销量不及预期；
光伏装机不及预期；
碳化硅渗透率不及预期；
WolfSpeed产线进展不及预期
团队简介
莫文宇：电子行业分析师，S1500522090001。毕业于美国佛罗里达大学，电子工程硕士，2012-2022年就职于长江证券研究所，2022年入职信达证券研发中心，任副所长、电子行业首席分析师。
韩字杰：电子行业研究员。华中科技大学计算机科学与技术学士、香港中文大学硕士。研究方向为半导体设备、半导体材料、集成电路设计。
郭一江：电子行业研究员。本科兰州大学，研究生就读于北京大学化学专业。2020年8月入职华创证券电子组，后于2022年11月加入信达证券电子组，研究方向为光学、消费电子、汽车电子等。
报告来源
本文源自外发报告《电力电子碳化硅：800V平台加速落地，高opex属性+低渗透率驱动行业领跑》
发布时间：2022年12月29日
发布报告机构：信达证券研究开发中心
作者：莫文宇 S1500522090001
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