忆阻器是独立于电阻、电容和电感之外的第四种基本电路元件；是具有记忆功能的非线性两端无源器件，它具有独特的电阻记忆功能。苏州大学贺竞辉和路建美教授课题组制备成了MASnBr3基的忆阻器件，其电阻开关比分布于102-103之间，可实现四进制存储且存储性能稳定，为高密度数据存储提供了启发。
忆阻器是构筑下一代信息技术的核心部件之一。数字型可通过两种稳定状态(分别用“0”和“1”进行表示)来实现数据存储功能的物理器件(存储单元)。其中纯无机材料材料选择空间有限，需要高温真空等苛刻制备条件。有机材料则种类丰富，但分子间作用力弱，高温和环境稳定性差。近年来，有机无机杂化钙钛矿材料因具有高光吸收系数、高载流子迁移率（电子、空穴同时传输）、可调节带隙，不仅作为光吸收材料用于光伏器件，还应用于光电探测器、晶体管、发光二极管等。本文使用MASnBr3材料制备成了忆阻存储器件,其双稳态特性不但具有电阻开关比大、工作电压低、稳定性高的特点；且可用于四进制阻变存储，获得了优异存储性能；并在柔性器件进行了应用试验。文章首先通过两步法在ITO玻璃上制备MASnBr3致密薄膜，并在其表面使用磁控溅射仪器溅射金电极，制备成MASnBr3基的忆阻器件。
其次在测试器件电性能时,发现MASnBr3基的忆阻器件能实现稳定的双稳态存储，其电阻开关比分布于102-103之间。
并发现通过控制不同的写入/擦除电压，器件可实现多进制存储。
此后文章深入探讨MASnBr3基的忆阻器件形成忆阻现象的内在机理。首次使用原位拉曼光谱和SEM元素分布揭示了MASnBr3材料中的溴离子在外加电场的作用下，从负电极向正电极发生迁移，并在金电极表面发生氧化还原反应。溴离子在电场作用下发生迁移之后留下的溴空位形成导电细丝，器件由高阻态转变成低阻态，这是MASnBr3基器件具有忆阻现象的根本原因。
最后MASnBr3基忆阻器可以用于在柔性器件中的应用。
最后，文章总结了MASnBr3基忆阻器的制备过程与电学性能（IV曲线）表征，其电阻开关比分布于102-103之间，并可多进制存储且存储性能稳定，为高密度数据存储、柔性器件数据存储等方向的发展提供了启发，将为相关领域学者的工作提供一定的参考。
该工作发表在InfoMat（DOI:10.1002/inf2.12066）上。个人简介：
路建美，苏州大学副校长，材料与化学化工学部教授。长期从事环保功能与多进制材料基础理论和应用开发研究，在J. Am. Chem. Soc., Angew. Chem. Int. Ed., Adv. Mater., 等国际知名刊物发表SCI论文388篇，他引超过6900次，H因子41。主持国家重点研发计划、国家科技支撑计划等国家重点重大项目16项，省部级项目16项。获国家技术发明奖二等奖1项、国家科技进步奖二等奖（1项），获授权美国发明专利12项及中国发明专利66项。
贺竞辉， 苏州大学教授，研究兴趣离子共轭材料、忆阻器、忆容器，在Nat. Communi.、Adv. Mater.，Chem. Sci.、等期刊发表论文30余篇。