FMS 2024前瞻：SK海力士将推12层HBM3E和321层NAND新品

SK海力士将在2024年美国闪存峰会推出新一代AI存储方案

SK海力士定于2024年8月6日至8日在加利福尼亚州圣克拉拉参加闪存峰会，展示其最新的AI存储方案。本次展会的主打产品包括第五代12层HBM3E和321层3D NAND闪存。

展会首日（8月6日），SK海力士的两位高管将发表主题演讲：

• HBM产品创新副总裁Kwon Eon-oh：DRAM产品
• 全球SSD产品管理副总裁Kim Cheon-seong：NAND闪存

他们的演讲主题为“AI时代的内存与存储方案的领导力与愿景”，旨在全面呈现SK海力士的产品组合及为AI应用优化的高性能内存方案。

SK海力士此次展示的两款重点产品及其量产计划如下：

• 12层HBM3E芯片：计划于2024年第三季度量产。
• 321层3D NAND闪存：预计在2025年上半年量产。

值得一提的是，SK海力士曾在2023年的闪存峰会上首次揭示了全球堆叠层数最高的321层3D NAND闪存技术，彰显了公司在存储技术领域的领先地位。

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Source:SK hynix to Unveil 12-layer HBM3E 12 and 321-layer NAND at FMS 2024 in US; Michael Herh; 2024.08.01

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