纳微半导体进入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充电器供应链
下一代氮化镓功率芯片助力全新旗舰Galaxy S22 Ultra 和S22+
加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2022 年 3 月 14 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布，其 GaNFast 技术已进入三星旗下旗舰手机 Galaxy S22 Ultra 和 S22+ 智能手机充电器。这款小巧、功能强大的 45W 快充充电器具有所有三星充电器中最高的功率密度，由 GaNFast 功率芯片助力实现。
配备 6.8 英寸屏幕和 5,000 毫安时电池的 S22 Ultra 和 6.6 英寸屏幕，4,500 毫安时电池的S22+是三星最新一代推出的旗舰智能手机。使用纳微GaNFast功率芯片的这款45W充电器（型号#EP-T4510）在USB-PD 和 PPS 快充协议下提供快速的充电功率。这款充电器的尺寸仅为 47.4 x 27.9 x 43.6 mm (57.7 cc)，功率密度超过 1 W/cc。
GaN 是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅芯片快 20 倍。纳微专有的 GaN 功率 IC 在单个 SMT 封装中集成了 氮化镓器件，驱动，控制和保护功能。是易于使用、高速、高性能的“数字输入、电源输出”模块，与早期的硅方案相比，实现高达 3 倍的充电速度、节省一半的尺寸和重量，节能高达 40%。
Navitas 首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消费者欣赏具有创新、性能和质量卓越的领先技术。“三星和纳微在提供下一代充电性能的同时，专注确保效率提升和可持续发展。氮化镓为地球带来显著的环保益处，相比传统硅方案，每出货一个纳微GaNFast氮化镓功率芯片，可以减少 4 公斤的二氧化碳排放量。”
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制和保护集成在一起，为移动设备、消费产品、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。纳微半导体拥有145多项专利已经颁发或正在申请中，超过3000万个GaNFast功率芯片已经发货，没有任何关于纳微氮化镓功率芯片的现场故障报告。2021年10月20日，纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟，并开始在纳斯达克交易，当日企业价值超过10亿美元，总融资额超过3.2亿美元。
联系方式
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
ir@navitassemi.com
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