M6 飞行时间二次离子质谱

一

设备简介 

飞行时间二次离子质谱

M6  

M6是用于表面质谱分析、表面成像、深度剖析和三维分析的全电脑控制的高质量分辨率飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)，是IONTOF在TOFSIMS 5（第五代TOF-SIMS系统）基础上开发的最新一代高端TOF-SIMS仪器，对一次离子源（LMIG）和飞行时间质量分析器（TOF Analyser）进行了突破性的改进。此外还增加了MS/MS功能选项，重新设计了加热和冷却系统；在软件方面新增了多元统计分析（MVSA）软件包。其设计保证了SIMS应用在任何领域都具有卓越性能表现。新的突破性离子束和质量分析器技术使M6成为SIMS仪器中的标杆，工业和学术研究的理想工具。

二

厂家型号

● 德国IONTOF  M6

三

技术指标

分析用Bi离子源

● 加速电压：30keV；

● 离子束流：＞40nA；

● 最小脉冲束流直径：≤50nm（高分辨成像模式）；≤0.5um（高质量分辨率模式）；

剥离用EI离子源

● 离子束能量范围：最小≤100eV；最大≥2.0keV；

● 最小束斑直径：＜10um；

剥离用Cs离子源

● 离子束能量范围：最小≤100eV；最大≥2.0keV；

● 最小束斑直径：＜5um；

Gas Cluster离子源

● Ar离子团簇离子源

—离子加速电压：2～20keV(剥离源模式)；

—最大离子束电流：＞10nA@10keV,50um；

—Ar离子大小：1000-5000个Ar离子，团簇大小可调节；

—最小离子束斑：＜5um；

● Ar离子团簇分析离子源

—离子加速电压：10～20keV；

—一次离子脉冲宽度<20ns；

—Ar离子大小：1000-5000个Ar离子，团簇大小可调节

G-SIMS分析；

● 软硬件上支持G-SIMS分析，可以对有机大分子进行G-SIMS分析，可以实时改变G参数，改变分子离子峰和碎片峰比值，有助于有机大分子判定。

质量分析器；

● 低质量时质量分辨率(SiH⁺：29amu)：≥17000(半峰宽；100%传输率)；

● 高质量时质量分辨率(＞200amu)：≥26000(半峰宽；100%传输率)；

● 分析绝缘体时质量分辨(on PET：104amu)：≥18000(半峰宽；100%传输率)；

● 质量范围：1～12000amu以上；

● 探测极限：ppm–ppb量级；

样品台

● 自动五轴超高真空样品台；

● 温度范围：-150~600℃

四

主要应用

● TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术，适用于许多工业和研究应用。该技术通过对一次离子束轰击样品表面产生的二次离子进行质量分析，并行探测所有元素和化合物，具有极高的传输率（可达到100%），可以精确确定表面元素的构成；通过对分子离子峰和官能团碎片的分析可以方便的确定表面化合物和有机样品的结构；配合样品表面扫描和剥离，可以得到样品表面甚至三维的成分图；

● TOF-SIMS主要用于痕量金属探测、化合物结构测定、精确原子量测定、同位素标定及失效分析等，在半导体、微电子、薄膜、纳米材料、化学、医药、生物、冶金、汽车等领域应用广泛