Helios DualBeam 高性能聚焦离子束（Ga）双束电子显微镜

一

设备简介 

高性能聚焦离子束(Ga)双束电子显微镜

Helios DualBeam

离子束系统（Dual Beam focused Ion Beam）是材料纳微米级尺度结构加工、修改、分析和成型的重要工具。利用该仪器的离子束微加工功能，可以实现微尺度样品的制备和成型，结合电子束显微表征方法,进而在纳微米尺度获得材料三维缺陷结构及分布信息、成份信息和三维微观形态信息。结合相应微控和成份、晶体取向分析装置，在微加工样品上施加相应的耦合环境场（力、电/磁、温度），原位观察材料在实际环境中的显微或微观晶体结构演化。目前该设备已在传统材料、先进新材料、生物/医用材料、半导体材料、纳米科技、磁性材料、陶瓷材料、催化材料和高分子复合材料等方面获得广泛的应用，并在新材料、环境、能源和化学等领域显现出了极大的潜力。

Thermo Scientific™ Helios™ G5 UXDualBeam系统属于Helios DualBeam™系列第五代产品，具有极高分辨率成像和高材料对比度。

二

厂家型号

● Thermo Scientific Helios 5 DualBeam

三

技术指标

电光学系统：

● 最佳工作距离：4mm

   –0.6nm@15kV

   –0.7nm@1kV

   –1.0nm@500 V

● 束交叉点处：

   –0.6nm@15kV

   –0.8nm@1kV

离子光学系统

● 离子束电流：0.1pA - 65nA

● 加速电压：500V - 30kV

● 分辨率：4.5nm@30kV

● 15 位置光阑板

● Ga离子源寿命：1,000小时

四

主要附件

● 高分辨In-lens探测器

● ET二次电子成像探测器

● 红外样品室成像探测器

● 原位样品移动和取出lift-out装置

● 高衬度背散射电子探测器

● Oxford能谱仪

● Oxford电子背散射衍射系统(EBSD)

● Pt气体注入系统（GIS）

● W气体注入系统（GIS）

● C气体注入系统（GIS）

● 绝缘体注入系统（GIS）

五

主要应用

● 通过聚焦离子束（Ga离子）进行微尺度加工、成型和制备；利用电子成像系统进行微观结构观察和表征；通过气体注入系统进行Pt、SiO2和W沉积；使用能谱仪进行元素分析；实现电子背散射衍射分析测试；结合样品微操作系统可以对纳微米级样品进行取出和移动操作，测量器件及其局部的电学性能。主要应用领域在金属，半导体、非金属，陶瓷，复合材料和生物材料

六

样品要求

1.保持样品清洁；

2.样品不具有磁性和铁磁性；

3.样品最大边长或直径不超过10 mm，高度不超过5 mm