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电路图
有两个晶体管(transistor)，一个NPN和一个PNP，连接方式下图所示。
假设此晶体管是硅(Si)，并显示0.6伏特(V)基极至发射极电压，且两个晶体管的ß值非常高，使得基极电流几乎为零。
分析的第一步
对于NPN基本上为零的基极电流，R1和R2的电压在NPV的基础上将+12V导通电压分压为+4V。
当Vbe为0.6V时，NPN发射极为+3.4V，在R3中流过的电流为3.4mA。
分析的第二步
接下来的问题是，NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流？
PNP的Vbe为0.6V，如此使得R4中的电流为0.06mA或60μA。
在PNP基极电流几乎为零的情况下，由于NPN的ß值非常高，60μA成为NPN的集电极(collector)电流，也变成NPN的发射极电流。
流过R5的电流，必须是R3的3.4mA电流和NPN发射极的0.06mA电流之间的差值。该值为3.4-0.06=3.34mA。
分析的第三步
R5上的电压降为3.34V，当加到R3顶端的3.4V时，将R5和PNP集电极的顶端放在+ 6.74V。
来源|网络
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