查看原文
其他

MOS管和IGBT能有什么区别呢?

▼点击下方名片,关注公众号▼

在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管,而有些电路用IGBT管?


下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!


1、什么是MOS管?


场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。


MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。



MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。


MOSFET种类与电路符号


有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。


关于寄生二极管的作用,有两种解释:


  • MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
  • 防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。


MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。


2、什么是IGBT?


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。


IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极广泛的应用。



IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。


同时还要注意IGBT有没有体二极管,图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明,否则这个二极管都是存在的。



IGBT内部的体二极管并非寄生的,而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)。


判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难,可以用万用表测量IGBT的C极和E极,如果IGBT是好的,C、E两极测得电阻值无穷大,则说明IGBT没有体二极管。


IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。


3、MOS管与IGBT的结构特点


MOS管和IGBT管的内部结构,如下图所示:



IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。


IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。



另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。


4、选择MOS管,还是IGBT?


在电路中,选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管,这是工程师常遇到的问题,如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑,可以总结出以下几点:



也可从下图看出两者使用的条件,阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用,表示当前工艺还无法达到的水平。



总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。


MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

声明:


本文转载自网络,如涉及作品内容、版权和其它问题,请与号主联系(Brain0824),我们将在第一时间和您对接删除处理!
—— The End ——

更多精彩内容,请关注我们的微信视频号:

完整看PCB加工过程

i.MX RT1050学习笔记7-Power Supply

系统快速上下电如何实现?分享几种方法

分享 💬  点赞 👍  在看 ❤️ 

以“三连”行动支持优质内容!

您可能也对以下帖子感兴趣

文章有问题?点此查看未经处理的缓存