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干货必看!一文了解硅基负极
负极材料概览
硅基负极材料的结构和性能特点
硅负极在脱嵌锂过程中会产生体积膨胀收缩,可高达 300%以上,进而产生极大的机械应力,经过多次循环后使得硅颗粒发生断裂和粉化,会严重阻碍锂离子在负极内部的传输,导致首次效率低,循环性能差; 充放电过程中发生硅粒子破裂,活性粒子及其与集流体间电接触不良成“孤岛效应”,断裂面反复形成新的 SEI 膜,造成不可逆容量损失和库伦效率低; 硅是半导体,存在较低的电导率(10-5~10-3S·cm-1)和离子扩散系数(10-14~10-13 cm2·s-1),造成锂离子扩散动力学性能下降; 纳米结构效应会引起比表面积大、振实密度低等问题; 需要开发新的电解液体系和黏结体系来满足材料的应用工艺要求。
硅基负极存在问题的解决方案
硅碳负极解决方案
无论是硅碳还是硅氧,产业化均还有一些问题需要解决。从解决方案来看,硅碳的膨胀率问题,一般通过纳米硅的碳包覆技术来解决,硅氧负极则通过预镁或者预锂的方式提高首效。碳包覆纳米硅是以纳米硅为原材料,表面包覆碳层的结构。主要的原理和作用包括:(1)碳包覆可将硅保护起来,从而避免电极与电解液的直接接触,抑制SEI膜的过度生长;(2)碳材料具有良好的导电性,可在硅表面构筑连续的导电网络,降低电池内阻;(3)碳材料具有较强的机械性能,能够缓冲硅体积膨胀产生的应力变化,进而维持电极结构的完整性。硅颗粒大小是关键,粒径越大,成本越低,但是循环性能有可能较差。大尺寸的硅负极颗粒的体积膨胀会导致复合材料内部开裂,破坏电子传导的连续性,降低性能,理论上来讲硅的晶粒越小循环性越好。纳米硅的制备又分为不同的技术路线,包括研磨或气相沉积方式,气相沉积又分为PVD、CVD。研磨:传统物理研磨法研磨出来的粒径约在100nm的水平,远不符合硅负极的粒径要求,需要新的研磨工艺“自上而下”的方法对大颗粒的硅进行研磨、破碎,不断降低其颗粒尺寸,目前研磨的单吨成本在20万/吨,为纳米硅成本最低的方案,也是目前的主流方案,需利用高能球磨等进行技术改进。缺点是产品粒径大,容易引入杂质导致纯度低且无法控制颗粒的形状和粒径分布。PVD:该方法生产出的产品球形度和结晶度高、振实密度高、微观组织细小、成分均匀、无污染,但工艺重复性不好且加工成本高。PVD中等离子蒸发冷凝法是近10年来用于制造高纯、超细、球形、高附加值粉体的一种安全高效的方法。通过等离子热源将反应原料气化成气态原子、分子或部分 电离成离子,并通过快速冷凝技术,冷凝为固体粉末。CVD:纳米硅化学气相沉积法是一种以硅烷(SiH4)为反应原料进行纳米硅粉生产的技术。根据诱发SiH4热解的能量源不同,可分为等离子增强化学气相沉积法 (PECVD)、激光诱导化学气相沉积法(LICVD)和流化床法(FBR),其中PECVD和LICVD是目前生产纳米硅粉最主要的工业生产技术,无论是那种方案,其产出的硅颗粒都在100nm以下。该方法得到的产品颗粒小、纯度佳,实现成本与性能的均衡。硅氧负极解决方案
硅氧复合材料是以氧化亚硅材料为核,这里的氧化亚硅一般是采用化学气相沉积法将2-10nm的硅碳颗粒均匀分布在SiO2 的基质中。其单体容量一般为1300-1700 mA·h/g。氧化亚硅相较于硅碳最大的缺点是首效较低,需要通过预镁或者预锂工艺提升首效。预镁是解决首效的中间路线,性价比较高,Mg的作用可以总结为两个方面:(1)与SiOx结合,转化为稳定的硅酸镁,消除不可逆容量,缓解体积变化;(2)通过硅酸镁的强键合网络提高机械模量,抑制内部裂纹,防止颗粒粉碎。通过预镁工艺可以将首效提升至85%以上,但90%以上需预锂方案。硅基负极商业化进展
[1]汪征东,陈娟,常海涛.锂离子电池硅基负极材料的研发进展[J].电池工业,2021,25(05):247-252.
[2]侯佼,侯春平,孟令桐等.锂离子电池硅基负极材料的研究进展[J].炭素技术,2020,39(06):1-5+20.
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