碳化硅行业动态汇总 | 清华大学苏州汽车研究院与至信微电子共建“碳化硅联合研发中心”

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清华大学苏州汽车研究院与至信微电子

共建“碳化硅联合研发中心”

近日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江举行“碳化硅联合研发中心”签约仪式。据悉，该研发中心旨在推动碳化硅技术在汽车电子领域的研究和运用，加速第三代半导体碳化硅在新能源车产线前端应用的落地与定制开发。据了解，研发中心将依托清华汽研院的行业地位和技术优势，结合苏州市的资源优势、产业优势，组建研发团队。在碳化硅芯片及其功率器件等领域，开展创新研究、科技成果转化、产业孵化、技术服务等工作；建立新能源汽车新兴产业集群新生态；全面提升碳化硅芯片及模块产业板块研发实力，成为国内领先的碳化硅芯片及模块模组产业技术研发平台，并形成碳化硅产业高层次人才集聚中心。清华大学苏州汽车研究院院长成波表示，“碳化硅联合研发中心”是结合下游的尝试，希望能实现从器件到零部件的迈进，形成自主可控的供应链体系，突破碳化硅应用的难题；至信微电子成立于2021年，目前公司产品已经成功研发出1200V，1700V系列高压、大功率碳化硅MOSFET产品开发和量产，可以提供车规等级的产品，且产品已通过1000小时的HVH3TRB可靠性验证。

盛美上海首获Ultra C SiC 碳化硅衬底

清洗设备采购订单

盛美上海宣布首次获得Ultra C SiC 碳化硅衬底清洗设备的采购订单。该平台还可配置盛美上海自主研发的空间交变相位移（SAPS）清洗技术，在不损伤器件的前提下实现更全面的清洗。该订单来自中国的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第三季度末发货。

科友半导体产学研聚集区项目一期投产，

二期将于近期开工

据人民网3月26日报道，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势，而且将衬底成本降低一半以上。据报道，科友半导体建设的省重点项目第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产；第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工建设，建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片。

英飞凌发布光伏用1200V CoolSiC™ 

Boost EasyPACK™模块

3月27日，英飞凌对外发布新品—光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块。该模块采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。产品特点：Best-in-Class封装，高度为12毫米；领先的WBG材料和Easy模块封装；非常低的模块杂散电感；大的反向工作安全区RBSOA；1200V CoolSiC™ MOSFET，M1H芯片；增大了推荐栅极驱动电压范围，从+15...+18V & 0...-5V；扩展的最大栅极-源极电压为-10V到+23V；过载条件下的Tvjop最高可达175°C；集成NTC温度传感器。

连城数控：液相法SiC长晶炉下线

液相SiC长晶技术具有多个优势，包括晶体质量高、成本低、易扩径、易实现稳定的p型掺杂等，近年来受到高度关注。最近，国内在该技术领域实现了新的技术突破——液相法碳化硅长晶炉顺利下线。3月21日，连城数控官微发文称，该公司半导体晶体事业部首次研制的液相法碳化硅长晶炉顺利下线，经检验各项性能达到预期目标。公告还表示，连城数控今年一季度中标某重点客户190台碳化硅感应炉。今年2月，连城数控全资子公司连城凯克斯半导体高端装备研发制造二期项目启动奠基，项目总投资10亿元，主要建设碳化硅设备、单晶炉设备、光伏组件设备、ALD设备在内的研发组装一体化生产线。此外，在2022年7月，连城数控拟募资 13.6 亿元，其中1.38亿元用于碳化硅衬底加工装备生产项目。项目实施主体为连城凯克斯，涉及SiC晶片制造中的长晶环节，建设周期预计为18个月。

中核纪元之光碳化硅材料生产厂房及

配套工程建设项目

最近，国内又新增了一个碳化硅项目，预计全部建成后将年产50000片6英寸SiC衬底。3月16日，中国核工业集团电子采购平台对外公示了“中核纪元之光碳化硅材料生产厂房及配套工程建设项目”的中标候选人，投标报价约为1456万元或1633万元。今年2月，该平台还发布了该碳化硅项目建设的招标公告。根据公告，该碳化硅项目位于陕西省延安市安塞区工业园区内，建筑面积总计4569平方米，计划施工总工期为365天。该项目主要生产的产品为碳化硅单晶材料，产能规划为15000 片/年，配套碳化硅单晶生长炉50 台套（先期20台套，后续30台套），将提供 N 型碳化硅材料。中电科2所未来将为该项目提供技术支持，并与中核汇能公司、陕西纪元之光新能源有限公司等共同推进SiC产业落地。2022年6月，中核汇能、中电科2所、陕西纪元之光新能源有限公司三方签订了战略合作协议。其中一期建设目标年产15000片，建设合同于2022年11月份签订。据了解，中核汇能是中核集团（中国核工业集团公司）的全资子公司，成立于2011年11月，主要从事风力发电项目开发，太阳能发电站的投资与开发。

瞻芯电子推出2款TOLL封装650V 

SiC MOSFET新产品

据瞻芯电子官微消息，该公司正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅（SiC） MOSFET产品，分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，现已完成工规级可靠性认证（JEDEC）。这两款产品采用TOLL（TO-leadless）封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰（EMI)），简化PCB设计。TOLL是一种表面贴装型封装，瞻芯电子的TOLL封装产品投影尺寸为10.10mm x 11.88 mm，对比TO263-7（D2PAK 7）封装， PCB占用面积减少20%。而且，它的外形厚度仅为2.40 mm，比TO263-7（D2PAK 7）封装的体积小60%。采用TOLL封装后，SiC MOSFET散热性能也会更好。IV1Q06040L1 ，IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~ 175°C 工作温度范围。

迈凯伦选择意法半导体供应碳化硅

功率模块

据迈凯伦官网消息，公司已与意法半导体达成合作，下一代IPG5 800V逆变器将搭载由意法半导体提供的1200V SiC MOSFET模块。据悉，IPG5 的体积为3.79升，重量为5.5千克，基于搭载了1200V SiC MOSFET技术的ST ACEPACK™ DRIVE模块，将为电动机提供超过400kW的峰值功率和 250kW的连续功率，可将电动汽车的续航里程延长7%以上。值得一提的是，迈凯伦的800V SiC逆变器已成功”上车“美国混合动力跑车品牌Czinger，其旗下21C超级跑车将配备3个IPG5逆变器，峰值输出功率将达到1250马力（932千瓦）。该车预计于2023年开启交付。 

东芝电子加码SiC市场

据日媒报道，东芝半导体子公司东芝电子元件及存储装置（以下简称“东芝电子”）总裁佐藤裕之表示，公司的主要产品是用于控制汽车和家电功率的功率半导体，目前正在扩大产能。佐藤裕之表示，车用功率半导体的性能非常好，公司认为需要扩产。目前生产场地不够用，要建新厂房。据悉，东芝电子计划在姬路半导体工厂（位于兵库县太子町）建设新厂房，并将于2025年春季投产，建成后该工厂的汽车产品产能将增加一倍以上。未来，半导体市场将扩大，并且用途也逐渐明了。以汽车为例，随着电气化的推进，使用的半导体数量不断增加。佐藤裕之表示，未来东芝电子在半导体设备投资可能会增加。此外，佐藤裕之表示公司将会大力发展节能性好、采用“碳化硅（SiC）”材料的功率半导体，并透露量产应该在2025年开始，但日本和国外的客户都希望提前量产，公司方面将会讨论是否有可能推进进程。

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责任编辑：陆颖 

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