科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术！

■ 信息来源| 科友半导体、行家说三代半等（本文由“SAGSI硅产业研究”整理后发布，转载请注明出处）

6月22日，科友半导体宣布已突破8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。

1、通过提高原料及气相组分比例稳定性、维持长期生长的稳定温场和浓度场条件、调控晶体生长速率和均匀性，实现了高厚度、低应力6/8英寸碳化硅晶体稳定制备，在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上，8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。

2、通过粉料纯化预结晶处理、应用蒸镀碳化钽（TaC）蒸镀石墨结构件、热场结构设计、籽晶镀膜背保护等多项独家技术，在实现零微管缺陷的基础上进一步降低了位错缺陷密度，6英寸晶体位错缺陷密度＜3000个cm^-2，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm^-2，位错缺陷密度＜5000个cm^-2。

3、突破了8英寸SiC晶体快速生长工艺技术，长晶速率已达到170μm/h以上，长晶周期约为4-5天，单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。

4、结合8英寸晶体生长的热场结构设计及工艺特性，在高稳定性电阻长晶炉的基础上，采取了独特的保温设计和先进的热场分区结构，开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。

目前，科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望粉碎国际封锁，成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。

天成半导体突破8吋SiC单晶技术

除了科友半导体，国内还有1家企业——山西天成半导体，也实现了8吋SiC单晶技术研发突破。天成半导体透露，他们这次开发出的8吋SiC单晶直径达到202mm，各项参数指标良好。天成半导体成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半导体仅用半年时间就顺利完成了中试投产，已经实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产。

科友半导体

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司成立于2018年5月，坐落于哈尔滨市新区，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域。科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。

天成半导体

山西天成半导体成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半导体仅用半年时间就顺利完成了中试投产，已经实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产。

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责任编辑：陆颖 

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