国产8英寸SiC设备获重大突破！

■ 信息来源| 晶盛机电、证券时报

近日，晶盛机电成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国内碳化硅行业技术升级。该设备可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，是晶盛机电在第三代半导体设备领域的又一次重要技术突破。

8英寸单片式碳化硅外延生长设备团队合影此前，晶盛机电已成功开发了6英寸碳化硅外延设备，技术性能和市占率均居国内前列，取得了重要市场地位。此次8英寸单片式碳化硅外延生长设备的成功研发，标志着晶盛机电在碳化硅行业的技术研发能力迈上了新台阶，为国内碳化硅行业技术、产能升级提供了充分的设备保障。8英寸单片式碳化硅外延设备相比于6英寸，8英寸碳化硅晶圆的边缘损耗更小、可利用面积更大，未来通过产量和规模效益的提升，成本有望降低60%以上。晶盛机电的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可为行业提供更为先进的技术支持，推动碳化硅行业的快速发展。据悉，晶盛机电8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。目前，在子公司晶瑞的8英寸衬底基础上，已实现8英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，已达到行业领先水平。工艺结果8英寸外延片去年，晶盛机电实现营业收入106.38亿元，同比增长78.45%；实现净利润29.24亿元，同比增长70.8%。业绩增长的原因就包括公司半导体装备订单量实现同比快速增长；加速第三代半导体材料的布局，实现大尺寸碳化硅晶体制备的重大突破。

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责任编辑：陆颖 

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