■ 信息来源 | 丽水经济技术开发区、半导体前沿
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北京国化新材料技术研究院联联合长三角太阳能光伏技术创新中心、中欧光伏双碳领跑倡议组织（中关村寰能太阳能跟踪系统产业联盟）、东海县硅工业行业协会、硅产业绿色发展联盟等单位拟于2023年10月30日-11月1日在江苏无锡举办“2023高纯石英材料技术及应用高峰论坛”（点击链接查看会议详情）。
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10月5日，浙江丽水经济技术开发区披露其重大项目建设进展。半导体大硅片/功率晶圆制造项目在列。总投资约120亿元的富乐德半导体产业项目，主要建设12英寸抛光片项目和传感器、功率器件等半导体项目。目前在建的首期项目建成后，将形成年产360万片12英寸半导体抛光片的生产能力，产品具有代替进口产品等特点，据此前报道，预计可实现年产值22亿元。首期项目负责人冯涛介绍，该项目于今年7月开始建设，首期项目的主体单体结构计划于今年年底封顶，项目预计明年8月竣工。此外，总投资50亿元的浙江旺荣半导体有限公司8英寸功率器件项目，总用地面积102亩，分为两期建设，全部达成后将实现年产72万片8英寸功率器件芯片。目前在建的一期项目年产24万片8英寸功率器件半导体项目入选2023年省重大产业项目名单，于去年8月开工，现已进入建设收尾阶段。该公司厂务企划经理尹新哲介绍，工程师和施工人员正在对洁净厂房、机电等进行最后的监测和调试，厂区道路也正在硬化，已经有一半的生产设备进驻厂房。富乐德上下游项目均进展顺利，SiC产线填补国内空白今年2月，富乐德半导体产业项目签约经开区，总投资约120亿元，总用地约400亩，主要建设12英寸抛光片项目和传感器、功率器件等半导体项目，2023年度计划投资10亿元。今年3月份首期用地成功摘牌。除12英寸硅抛光片项目外，传感器子项目总投资20亿元，主要建设温度传感器制品生产线，产品将应用于无人驾驶汽车、工业和医疗等领域，已于今年8月4日正式签约。除丽水经济开发区项目，浙江富乐德半导体材料有限公司在国内还建设了一条化学气相沉积制备碳化硅产线，填补国内空白。今年8月3日，位于衢州市常山县的浙江大和半导体产业园三期建设项目竣工仪式举行。三期建设项目由浙江盾源聚芯半导体科技有限公司和浙江富乐德半导体材料科技有限公司投资建设，总投资近20亿元。浙江盾源聚芯半导体科技有限公司将导入高纯硅部件项目，为不断增长的国产化半导体装备需求提供支持。浙江富乐德半导体材料科技有限公司将导入高纯氧化铝及化学气相沉积碳化硅产品生产线，氧化铝产品具备优异的耐高温、抗氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高导热、高绝缘性等特点，被广泛运用于半导体、LED液晶显示、激光、医疗设备等高精尖领域。其中，根据环评报告显示，CVD制备SiC项目将形成集材料烧结、材料制备加工洗净为一体的生产线，最终形成年产96000件套产品的规模。气相沉积碳化硅以优异的导热性、高温稳定性、高电场承受力以及机械性能而在半导体行业得到广泛应用，如封装材料，如MOSFET、IGBT等的基板或衬底材料等等，可有效提升半导体功率器件的稳定性和可靠性。但气相沉积碳化硅的制备工艺流程复杂，设备成本高昂，规模化生产稳定性的控制对专业技术挑战很大，这都使得国内在该领域长期处于空白。富乐德母公司Ferrotec（日本磁性技术控股股份有限公司）集团在气相碳化硅领域拥有30年的技术积淀，其独有的CVD法的SiC成膜技术，可提供低成本且高性能的产品，具有超高纯度、高耐腐蚀性、高抗氧化性、高耐热性、高耐磨性等特点。据了解，项目全部满产后，浙江大和半导体产业园将实现年产值近50亿元，成为集高纯石英部件、精密半导体金属部件、热电半导体制冷器件、高纯硅部件、化学气相沉积碳化硅，精密半导体陶瓷产品的生产、研发、销售为一体的全球半导体装备核心零部件重要制造生产基地。值得一提的是，富乐德母公司Ferrotec（中国）于1992年成立于浙江杭州，是一家由日本磁性技术控股有限公司在华设立的集产品研发、制造、销售于一体的多元化企业，旗下管理的30多家公司遍布中国各地，为国内外客户提供材料、器件、装备和系统解决方案，以磁性流体技术和磁流体密封技术为基石，从事半导体硅片、热电半导体致冷材料与器件、半导体石英制品、精密陶瓷制品、半导体真空传动装置及大型腔体、电子束蒸发镀膜机、精密洗净、覆铜陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半导体装备、单晶炉等产品的研发、制造和销售。旗下包含已上市的安徽富乐德（半导体设备洗净服务），以及正在申请上市的中欣晶圆（国内半导体大硅片产能领先厂商）等多家知名企业。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
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