■ 信息来源 | 南京官媒、化合物半导体市场（本文由“SAGSI硅产业研究”整理后发布，转载请注明出处）
11月10日，中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地宣布正式投产运行。资料显示，中电科半导体材料有限公司是中国电子科技集团有限公司二级单位，专业从事第一代半导体硅材料、第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）材料及新型电子功能材料、特种光纤材料、衬底材料的研发、生产。据悉，中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地项目于2021年9月27日签约落户南京江宁开发区综合保税区，占地面积约10万平方米。该项目分两期实施，其中一期投资19.3亿元，将建设成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料产业基地等。项目达产后，将形成8-12英寸硅外延片456万片/年，6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的生产能力。2022年11月，中电科南京外延材料产业基地实现了首片硅外延和碳化硅外延下线，标志着该产业基地进入试生产和验证阶段。该项目用一年多时间完成签约落户到进入试生产，再用一年时间完成试生产到正式投产运行，项目进度相当迅速。据了解，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，由于其宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、大击穿场强等优势，是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。其中，碳化硅功率器件具有能量密度高、损失小、体积小等优势，在新能源汽车、光伏、轨道交通、大数据等领域具有广阔的应用前景；氮化镓射频器件具有高频、高功率、较宽频带、低功耗、小尺寸的优势，在5G通讯、物联网、军用雷达等领域有广泛的应用。而在加工制备中，衬底上制备高质量外延材料是提高器件性能及可靠性，推动第三代半导体产业化应用的关键。
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