长飞先进参与制定的碳化硅国家标准正式发布

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近日，从国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布的2024年第6号中国国家标准公告获悉，由长飞先进参与制定的国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于4月25日正式获批发布，并将于2024年11月1日起正式实施，这也是长飞先进参与制定并发布的第5项国家标准。

作为第三代半导体典型代表，碳化硅材料凭借宽禁带、高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率等优异的物理性能，在新能源汽车、风光储新能源、轨道交通、智能电网等领域展现出了广阔的应用前景。
面对第三代半导体这一新兴赛道，世界各国不约而同将碳化硅作为第三代半导体发展的首选对象，并上升至国家战略。我国碳化硅半导体通过多年发展，被认为是最有可能实现弯道超车、领先国际同行的先进半导体产业。其中，国内碳化硅外延片的制备技术更是发展迅速，已实现批量生产，迫切需要出台碳化硅外延片产品相关的国家标准，促进市场良性发展。本次《碳化硅外延片》国家标准的发布及实施，将极大促进碳化硅外延片产品的质量安全监管，提升产品质量，并对行业的规范化、标准化起到积极的推动作用。

一直以来，长飞先进作为国内最早研发碳化硅器件的IDM厂商之一，不仅高度重视技术研发与自主创新，同时还积极为行业提供公共产品、带动行业发展。截至目前，长飞先进已参与并发布多项国家及行业标准，包括《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》、《碳化硅单晶抛光片》、《碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法》、《碳化硅外延层厚度的测试红外反射法》、《碳化硅外延片》5项国家标准，以及《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》、《电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件》等多项行业、团体标准。面向未来，长飞先进将持续聚焦碳化硅功率半导体产品研发及制造，不断完善企业标准化体系，以高水平技术与人才优势为基础支撑，积极参与国内外碳化硅行业相关标准制定及应用推广，为行业高质量发展贡献力量。

企业情况

长飞先进作为SiC功率半导体产品研发及制造厂商，长飞先进具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力，可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。

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