青禾晶元获超3亿元融资，建设40万片8英寸碳化硅复合衬底产线

■ 信息来源 | iSABers青禾晶元、艾邦半导体网（本文由“ACMI硅基新材料大会”整理后发布，转载请注明出处）

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北京国化新材料技术研究院联合东海县硅工业行业协会、硅产业绿色发展联盟等单位拟于2024年10月30日-11月1日在无锡举办“2024中国硅基新材料（石英）产业发展大会”，同期举办展览和石英矿现场鉴定座谈会，搭建顶级交流平台、凝聚行业顶尖人脉，诚邀行业人士共同参与。

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7月5日，青禾晶元官微宣布完成最新一轮融资，融资金额超3亿元。投资方包括深创投、远致星火、芯朋微，老股东正为资本、芯动能、天创资本继续加持。

据悉，该轮融资将被用于先进键合设备及键合衬底产线建设。青禾晶元规划继续扩大生产规模，先进键合设备年产能将扩大至60台（套），以满足日益增长的客户需求，新建40万片8英寸SiC键合衬底产线，加速8英寸SiC衬底量产进程，进一步巩固青禾晶元在国内键合集成技术领域的引领地位。今年4月，青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备。进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，有望加速8英寸SiC衬底量产进程。

8寸N型SiC复合衬底

青禾晶元作为全球少数掌握全套先进半导体材料与异质集成技术的半导体公司之一，致力于面向晶圆级材料异质集成、先进封装、超精密加工等领域，提供前沿技术与解决方案。率先投入运营了国内首个先进半导体复合衬底产线，成功通过自主知识产权研发出SiC复合衬底Emerald-SiC® 。目前，青禾已经成功研制出多种6英寸、8英寸同质、异质复合衬底材料，完成SiC、LTOI、LNOI等多种键合衬底材料以及高端晶圆键合设备的研发与大规模量产。如：导电SiC复合衬底、半绝缘SiC复合衬底、SOI衬底、LN on Si复合衬底、LT on Si复合衬底、Si on ALN复合衬底、LT on Quartz复合衬底等。

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