可用于制备具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体！东芝申请“氮化硅烧结体的制备方法”专利
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2024年7月12日，东芝高新材料公司申请一项名为“氮化硅烧结体的制造方法”的专利，申请公布号为CN118324538A。
摘要
本发明提供一种具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体的制造方法，其特征在于，在将实施表面加工之前的宽度设定为D时，从最表面到0～0.01D的深度的第1区域中的所述氮化硅晶粒的平均粒径dA及平均纵横比rA与所述第1区域内侧的第2区域中的所述氮化硅晶粒的平均粒径dB及平均纵横比rB的关系满足式0.8≤dA/dB≤1.2、0.8≤rA/rB≤1.2。
技术背景
以氮化硅为主成分的陶瓷烧结体示出优异的耐热性，且因热膨胀系数小而具有热冲击性优异等诸特性，所以作为替代以往的耐热合金的高温结构用材料，在开展在发动机部件、炼钢用机械部件等中的应用。此外，由于耐磨损性也优异，所以还在谋求作为转动部件及切削工具的实用化。
氮化硅因是难烧结体而难以均匀烧结，一直在研究各种办法。专利文献1中，通过埋入氮化硅和二氧化硅等的混合粉末中等进行烧结，提高周围的SiO气体的分压，消除重量损失而得到均质的烧结体。专利文献2中，通过用氮化硅、烧结助剂等的混合粉末被覆进行烧结，抑制烧结助剂从界面附近的蒸散，而得到均质的烧结体。专利文献3中，通过利用放电等离子烧结控制α相和β相的比例而得到均质的烧结体。专利文献4中，通过使用加入氮化硅和氧化铝进行了加热处理的碳质容器进行烧结，而得到均质的烧结体。专利文献5中，通过使用在干燥后添加了水分的造粒粉来控制烧结时的降温速度，而得到均质的烧结体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-53376号公报
专利文献2：日本特开平9-77560号公报
专利文献3：日本特开平9-157031号公报
专利文献4：日本特开平9-235165号公报
专利文献5：日本专利第251206号公报
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