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MS入门手册(27):Materials Studio建模界面模型的原子堆叠问题

Ravi MS杨站长 2022-11-21

本文为杨站长技术团队制作的《Materials Studio入门手册》第27篇,共约100篇。本教程旨在从零开始带大家入门MS软件,文末可下载更多学习资料。紧跟杨站长,学会计算,拿下顶刊!
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MS入门手册(1):Materials Studio全模块功能介绍!
MS入门手册(2):量子力学、分子力学、介观模拟方法,各模块重点介绍!
MS入门手册(3):Materials Studio软件中所有的输入输出文件及其作用

MS入门手册(4):Materials Studio文件和目录的建立、打开、关闭、命名/重命名、拷贝、移动和删除【建议收藏,方便日后查看】

MS入门手册(5):Materials Studio制作高质量科技论文图片!
MS入门手册(6):Materials Studio制作清晰形象的动画,生动演示分子动力学过程
MS入门手册(7):3分钟学会催化/电池等领域的MXene结构的建模方法!
MS入门手册(8):Materials Studio导入晶体结构和调整显示方式
MS入门手册(9):Materials Studio建模之原胞与晶胞的小知识
MS入门手册(10):Materials Studio从无到有建立晶体结构
MS入门手册(11):Materials Studio晶体结构点缺陷建模:无序固溶体
MS入门手册(12):Materials Studio晶体结构点缺陷建模:同种原子两种化合态混合
MS入门手册(13):Materials Studio晶体点缺陷建模:空位
MS入门手册(14):Materials Studio晶体点缺陷建模:取代与间隙
MS入门手册(15):Materials Studio建模:超晶胞、晶格常数预测
MS入门手册(16):Materials Studio计算结果及参数文件的意义
MS入门手册(17):Materials Studio表面模型的建立
MS入门手册(18):Materials Studio表面建模:切表面、六方晶系、真空层、带根号表面
MS入门手册(19):Materials Studio表面吸附分子模型的建立

MS入门手册(20):Materials Studio表面建模之吸附位置的精确控制

MS入门手册(21):Materials Studio表面建模之分子位置的精确控制

MS入门手册(22):简单界面模型的建立

MS入门手册(23):Materials Studio建模 — 界面模型中原子的固定

MS入门手册(24):Materials Studio建模 — 晶格失配度较大的界面:超胞模型

MS入门手册(25):Materials Studio建模 — 晶格失配度较大的界面:根号模型

MS入门手册(26):Materials Studio建模 — 六方晶系晶体界面

教程的写作时间是周末,小MS还在辛勤工作,不知道屏幕另一端的您是不是也和笔者一样认真学习我们的教程呢,希望小伙伴们也都不要松懈,就算是周末也可以稍微安排一点科研时间,否则很容易影响工作的持续性和状态,总之,我们开始吧。
经过了几次的教程,我们终于差不多把各种情况的界面模型都进行了详细地讲解,晶格匹配度较好和较差的界面、四方晶系和六方晶系的晶体组成的界面、单层石墨烯表面等,以及界面模型的各种后处理:原子位置固定和移动、添加真空层等,相信如果小伙伴们认真跟着教程操作,都可以得到需要的界面结构。
今天我们再对界面模型搭建的原子堆叠问题进行说明,涉及到界面模型的教程不多了,要珍惜每一次的机会。
经常如果薄膜或者衬底由多种原子组成,在论文里就会说到阳离子-阳离子对位构型、阴离子-阳离子对位构型之类的问题,比如说当我们搭建TiN(001)[110]//MgO(001)[110]界面结构时,就会有两种不同的界面结构:Ti[N-Mg]O(也就是衬底TiN的N原子与薄膜MgO的Mg原子连接,或认为是TiN中Ti原子和MgO中O原子连接组成的阴离子-阳离子对位构型)和N[Ti-Mg]O(衬底TiN的Ti原子与薄膜MgO的Mg原子连接或TiN中N和MgO中O组成的阳离子-阳离子对位构型)。
那么我们应该如何建立这样的两种结构模型呢?
图片来源于Y Wang, et al. The interface characteristics of TiN(100)/MgO(100) multilayer on oxidized Si(100) substrate via first-principle calculations and experimental investigation, Molecular Simulation, DOI: 10.1080/08927022.2020.1808216
可以通过改变切割表面时的“下刀”位置(top值)来切割不同原子排列的表面,例如上例中,两种构型是通过改变TiN晶体(也可以保持TiN表面原子排列一致,改变MgO晶体的表面原子排列)切割位置实现的。具体实现的步骤如下:
仍然导入之前的TiN结构模型,菜单栏中Build-Surfaces-Cleave Surface选项,在Surface Box选项卡中输入切割晶面(001),在Position的部分Top就可以通过控制切割位置从而切出不同表面。

切割表面
选择Top值为0,可切成上图d中的样式,Top值为0.5即为上图中a的样式。

以不同Top数值切割的TiN(001)表面模型
之后切割Mg(001)的表面模型,与两种不同原子终端的TiN(001)模型利用Build Layers功能,就可以搭建成上图中的两种不同离子对位的构型了。

两种不同的TiN/MgO界面构型
对于两种晶体表面组成的界面,还可能有不同的层状堆叠方式这样的情况,A-B-C堆叠、A-B-A堆叠什么的,学习材料科学基础的时候就经常让人摸不着头脑,我们如何建立这种不同堆叠方式的模型呢,可以使用原点补偿功能来实现。
同时这个功能也可以实现刚刚我们建立的两种不同构型,毕竟这也是不同的原子堆叠方式。现在我们使用原点补偿功能来实现上面的两种不同堆叠,这个功能在Build Layers对话框的Layer Details选项卡中。
这样我们只需要切割一种TiN和MgO表面,对于另一种堆叠方式,在Origin offset中设置u=0.5、v=0.5就可以实现。

原点补偿方法建立两种不同的堆叠方式界面模型
有小伙伴说到对于表面吸附模型吸附位置的问题,顶位、桥位、fcc位和hcp位如何处理,吸附位点对吸附稳定性有比较大的影响,这几种位置可以通过修改吸附原子的坐标来实现(小MS做C原子在Ir(100)表面的溶解-析出过程的吸附和析出模型就是这样做的),可以比较容易地确定x、y两个坐标,对于z坐标的设置,可以参考两种原子之间的化学键长度,或者将其放在四面体或八面体间隙的中心位置。
这里就不给出相应的操作步骤截图了,课后小伙伴可以自行尝试,如果有任何问题,答疑环节我们会继续详细说明。
利用表界面模型,我们可以实现很多结构和性能方面的研究,例如表面催化反应、环境有害气体吸附和分解、复合材料组分之间的相互作用、薄膜在衬底上的生长等。
表界面模型是材料科学研究中十分重要的内容,因此我们用比较多的教程,对这部分内容进行了详细的说明,但是一定还是有一些没有考虑全面的问题,希望小伙伴能够将表界面模型建立中遇到的问题积极留言告诉我们,今天就到这里,下次我们接着进行我们的MS建模之旅。

Materials Studio

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下载链接!36小时Materials Studio视频:建模、自由能、过渡态、吸附能、结合能、能带、态密度、光学、声子、溶剂化等
下载链接!746页Materials Studio官方手册、中文版、答疑手册!

Materials Studio

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