串联太阳能电池可以克服单结太阳能电池的理论效率极限。近日，悉尼大学Jianghui Zheng、Anita W. Y. Ho-Baillie、Forschungszentrum Jülich GmbH研究中心Kaining Ding报道了一种通过超薄铟锡氧化物（ITO）夹层单片集成钙钛矿和硅异质结串联太阳能电池的方法。
本文要点：
1) 作者发现1.7nm的ITO夹层足以提供硅和钙钛矿子电池之间的界面，并且具有最小的寄生电阻和载流子复合的有效陷阱状态。较薄的ITO可以保持膜不连续，而较厚的ITO中间层（具有改善的横向导电性）在局部分流中效果较差。此外，作者还发现在底部电池中具有26nm厚＜p＞a-Si:H结的串联电池比13nm厚结的串联电池性能更好。
2)当与1.7nm超薄ITO层和正面抗反射涂层结合时，该电池在反向扫描下实现了27.2%的功率转换效率（PCE）和82.4%的填充因子（FF），该FF是所有钙钛矿硅串联中的最高值。而超薄ITO层更适用于大面积电池，其在11.8cm2时具有24.2%的效率。并且该电池在MPP跟踪下连续太阳照射600小时后几乎没有效率损失。
参考文献：
Jianghui Zheng et.al Efficient Monolithic Perovskite-Si Tandem Solar Cell Enabled by an Ultra-Thin Indium Tin Oxide Interlayer EES 2023
DOI: 10.1039/D2EE04007G
https://doi.org/10.1039/D2EE04007G
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