之前我们介绍了一些功函数测试、数据分析的例子,包括利用avantage、multipak、casaxps、origin都可以将实际测出的UPS做切线计算出功函数(后台回复ups获取)。目前来说采用光发射技术是测量功函数的主要手段,一般是通过紫外光电子能谱仪(ups测试)测试的,利用氦气辉光放电产生的紫外光激发,然后发射电子的动能分析,紫外能量为21.22eV,比较小,一般只能抓取表面的价电子,对表面非常敏感,一般只有2-3个原子层。但是紫外光电子能谱一般要求样品有比较好的导电性,比如金属等,如果是半导体器件,测试前需要测量导电性,否则不能得到很好的结果,像比较火的钙钛矿材料,由于导电性比较差,最好利用FTO或者ITO玻璃制样,增加导电性。这对于块状材料来说还是比较好办到的,如果是粉末样品,制备起来就比较困难了,即使是用压片机长时间的压制,导电性也很难达到块状材料的水平,即使导电性比较好,也会存在很多问题:1.对仪器的污染(涉及测试结构是否愿意给你测试,以及能否测出的问题),2.样品测试结果可靠性。在这种情况下,如果不能实际测试出功函数的数值,并且还需要利用功函数来表征一个电子逃离样品表面的能量,应该怎么办?理论计算是一个好的办法,当然,理论计算的数值与实际计算的数值并没有比较性,如果想比较两个材料的功函数差异,一定要用同一个办法得到的功函数进行比较,当然理论计算也存在各种弊端,可能得到的结果与实验结果并不一致,这需要自行处理。如果有个粉末材料需要知道功函数的数值,但是又不能通过实际测试得到这个数据,我们看看理论计算是怎么弄的,介绍的是MS:双击打开安装好的软件,配置比较差的电脑运算会比较慢,不要急。然后需要导入需要分析的材料的晶体学文件,现成的cif文件只适用于理想的情况,可以通过下面的几个视频下载;这几个视频在上面的公众号:单晶多晶衍射分部内,有兴趣可以关注后自行查看;如果想结果更贴近自己的样品,最好是使用精修后的cif文件,可以去上面的公众号后台回复“精修”使用精修后的cif,包括掺杂等等情况(精修软件jade、highscore、maud、match!、gsas、gsas