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高通骁龙 835
去年 11 月，高通公布了下一代旗舰 SoC 的名字——骁龙 835。在 CES 2017 上，高通公布了骁龙 835 更多的信息。
不出意外，骁龙 835 将会成为 2017 年大多数 Android 旗舰手机的「标配」，这颗 SoC 的表现如何？是否值得你期待？下面是我们目前所得知的所有信息。
回归「大小」8 核心
既然是旗舰 SoC，我们就先看一下骁龙 835 在 CPU 和 GPU 性能上的表现。
CPU 部分，骁龙 835 放弃了骁龙 820 的 4 个大核设计，转而使用更加接近 ARM 公版设计的「4 大核 + 4 小核」设计，三星最近几代的 Exynos 和高通骁龙 810 也是这种设计。
其中，骁龙 835 的「大核」采用了全新的 Kryo 280 架构，主频 2.45GHz，2MB 二级缓存，「小核」应该是 Cortex-A53 架构，主频 1.9GHz，1MB 二级缓存。「大核」和「小核」会根据任务的负荷，智能地进行切换，在负载较低时使用低功耗的「小核」，「小核」搞不定时再调用性能更强的「大核」。
我们目前还不太清楚这个 Kryo 280 的内部细节，一种说法是高通这次的 Kryo 280 其实就是 ARM 提供的 Cortex-A73 的小改版。在之前发布的麒麟 960 上，我们已经见识过了 Cortex-A73 的性能有多么强大，如果高通真这么用也无可厚非，唯一的问题就是骁龙 835 的 10 纳米工艺能否「hold」住 Cortex-A73 的热量了。
在 GPU 部分，骁龙 835 从骁龙 820 的 Adreno 530 升级到了 Adreno 540，内部的细节变化尚不清楚。
至于骁龙 835 的实际性能表现，由于目前还没有搭载骁龙 835 的产品上市，我们现在还无法得知骁龙 835 的跑分数据。根据我们目前得到的信息，相比骁龙 821，骁龙 835 整体性能的提升幅度应该在 20%—30% 之间。
值得一提的是，高通还特意强调了骁龙 835 在 AR、VR 等应用场景上的提升，包括更加准确的运动检测、更低的延迟（有助于降低使用 VR 设备时的眩晕感）以及更强大的 3D 图形渲染能力（相比骁龙 820 提升 25%）。
千兆基带、蓝牙 5.0
除了 CPU 和 GPU，SoC 中还包括了用于 ISP（图像信号处理器）、DSP（数字信号处理器）等模块，骁龙 835 也都进行了一些升级，其中 ISP 型号升级到 Spectra 180 ISP，DSP 为 Hexagon 682。
高通表示，配合对应的软件，骁龙 835 升级的 ISP、DSP 以及 Areno 540 GPU 可以明显提高视频录制和拍照的体验，具体包括用于提高视频稳定性、减少果冻效应的 EIS 3.0，对焦系统的改进（支持全像素双核对焦），以及通过多张合成来降低照片噪点、提高动态范围的 Qualcomm Clear Sight 技术。
在通讯基带方面，骁龙 835 搭载了最新的 X16 基带，以取代骁龙 820/821 上的 X12 基带，这是全球的第一款移动平台千兆调制解调器，支持 Cat.16，下行速率可达 1Gbps。此外，骁龙 835 平台也支持 802.11ad 以及 2x2 11ac MU-MIMO Wi-Fi。
另外，使用配套的 WCN 3990 芯片，骁龙 835 还是全球第一个正式支持蓝牙 5.0 方案的平台。相比蓝牙 4.2，蓝牙 5.0 在速度、覆盖范围和功能上都有了明显的进步。
需要说明的是，上面这些通讯方面的提升在未来几年内可能都不会普及甚至是大规模商用。高通 835 平台的支持，一方面是高通在旗舰产品上展示自己的技术实力，另一方面则让未来采用这一平台的产品可以拥有更长的使用周期。
关于 10 纳米 FinFET 工艺
除了核心架构上的进步，和 SoC 综合性能相关的另外一个因素是制程。
更先进的制程有助于降低 SoC 的功耗和发热，让 CPU 和 GPU 能够以更高的频率稳定运行更高的时间。比如大家熟知的高通骁龙 810，因为台积电当时无法搞定 14 和 16 纳米工艺导致不得不采用落后的 20 纳米制程，导致高性能运行时发热巨大，能效比很低，对比同期的三星 Exynos 7420，虽然「烤龙 810」在核心架构上其实并没有多少劣势，但实际性能表现却被对手「吊着打」。
在这一代的骁龙 835 上，高通选择了和三星合作，使用三星最新的 10 纳米 FinFET 工艺制造。
由于制程更先进，骁龙 835 在「堆」了超过 30 亿个晶体管的情况下，核心面积比骁龙 820 还要小了 35%。根据高通的说法，由于骁龙 835 的核心面积更小以及核心架构上的优化，这让厂商可以设计出更加轻薄的产品，有助于为产品配备更大容量的电池。此外，高通还表示，骁龙 835 相比上一代产品的整体能耗降低了 25%，这有助于提高智能手机的续航表现。
关于 10 纳米工艺，还有两点值得注意。
第一是根据现有的消息，三星 10 纳米 FinFET 工艺目前的良率还有待提高，这可能会导致骁龙 835 的出货时间晚于预期，而这会直接导致采用骁龙 835 的旗舰机（比如 Galaxy S8）延期上市。
第二是除了代工骁龙 835，三星自家的下一代旗舰 Exynos 8895 用的也是自家的 10 纳米工艺，而且相比骁龙 835，Exynos 8895 的性能表现可能更值得期待。
不出意外，Exynos 8895 也会采用了「4 大 4 小」的 8 核心设计，「小核」架构依旧是公版 Cortex A53，「大核」架构为三星定制的第二代猫鼬（接近 Cortex A73），GPU 部分则可能「丧心病狂」地堆上 20 个 Mali-G71 核心（作为对比，麒麟 960 采用了 8 个 G71）。不过遗憾的是，Exynos 8895 的内置通讯基带依旧不支持 CDMA，在国内无法支持电信的 2G 和 3G 网络。
QC 4 快速充电
在去年 11 月公布骁龙 835 名字的时候，高通就透露了下一代充电协议 Quick Charge 4（简称 QC 4，没有「.0」），并且推出 SMB1380、SMB1381 两个电源管理芯片（峰值效率可以达到 95%）。
相比前三代的 QC，QC 4 的有两个明显的变化，第一是兼容 USB-PD 协议（QC 4 能否算是 PD 的一个分支？），第二是在保留「大电压」快充的基础上，增加了对大电流的支持。
关于 QC 4 具体的充电参数目前还不清楚。不出意外，配合定制的数据线，QC 4 的最大输入电流应该可以达到了 5A 左右，最大功率应该可以达到或接近 30W。类似的「低压大电流」快充已经出现在 OPPO VOOC 闪充、华为 SuperCharge 等手机厂商自家的充电协议中，优势是在使用设备时依然可以保持接近全速的充电，不会像现有的高电压快充方案那样一旦点亮屏幕就立刻降到「慢充」。
关于 QC 4 的充电速度，高通表示，一部电池容量为 2750 毫安时的手机，使用 QC 4 半小时可以从没电充到 50%。
需要说明的是，QC 4 只是充电时的识别协议，即使使用同样的充电协议，充电速度常常会有比较大的区别（比如同为 QC3.0，锤子 M1 最大充电速度可以接近 24W，ZUK Edge 不到 12W），实际的充电速度是手机厂商对电池和充电 IC 选择、充电温度等多种因素的权衡之后的结果。
不过有了 QC 4 这样更先进的充电协议，手机厂商在选择快充时留有的空间会更大。可以确定的是，2017 年采用新 SoC 平台的 Android 手机充电会更快，充电时的发热会更小。
谁会首发骁龙 835？
之前我们预计会是三星的下一代旗舰手机 Galaxy S8，因为毕竟三星是骁龙 835 的代工方，并且在 Galaxy Note7 遭遇重大打击后，Galaxy S8 对三星的意义非同寻常。
不过一天前，华硕表示即将在 CES 上发布的新款 ZenFone 手机将采用「全世界最好的处理器（the world's best processor）」，考虑到华硕发布会的时间正好在高通发布会的后一天，这个「最好的处理器」有可能指的就是骁龙 835。
不过我们推测，即使 ZenFone 真的搭载骁龙 835，也很有可能是「PPT 发布」，类似去年首发骁龙 820 的乐 Max Pro，真正上市的第一款采用骁龙 835 的手机可能还是 Galaxy S8。
至于这款神秘的华硕新机究竟是什么，我们也将奔赴现场，为大家第一时间带来相关的报道。
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