三星闪存最强敌手横空出世，西数与日美联军本周完成收购东芝NAND Flash事业，内存市场战鼓再起

2017-08-29 杨文得 CINNO

根据CINNO Research从内存供应链业者所掌握到的最新消息，喧腾一时的东芝内存事业TMC(Toshiba Memory Corporation)股权出售案，在过去两轮的竞标与国际法庭的诉讼往来，以及横跨美日韩台各大金融业者与产业界合纵连横之后即将步入尾声。

经过东芝与WDC(Western Digital Corporation,西数电子)高层几次谈判后，WDC将加入日美联军阵营携手完成合并案。

而从出资结构来看，整体并购案的总金额将约略来到2兆日圆，其中WDC将出资约1500亿日圆来换得东芝内存公司的特别股或可转换公司债，而可转换公司债所转换的股份占比也将不会超过三分之一，也将不会寻求新公司的管理权与经营权；

日本产业革新机构(INCJ)、日本政策投资银行、私募基金业者KKR合计将出资约1兆日圆并且占有董事会绝对席次与投票权外，东芝电子本身与原先东芝债权银行也将共同出资剩下的金额来完成。

预期合并案将在本月底前完成后，后续将开始进入一连串监管单位审核以及批准同意，冀望能在明年三月底之前资金到位以避免下市与破产的危机。

2017年主要闪存业者市占率估计

而CINNO Research副总经理杨文得认为，虽然经过几许波折，峰回路转后东芝最终还是与合作伙伴WDC继续携手往下走对于泛东芝/西数阵营来说才是最好的出路，毕竟NAND Flash行业再进入3D-NAND世代的竞争后，对于技术开发、资金挹注以及后续半导体厂房设备的投资门坎要求更高、经营环境更为严峻外，对于战略错误的容忍度也更低。

而东芝内存公司的半导体研发技术能力以及工厂营运能力，再结合WDC在经营策略的弹性与速度，双方彼此的深度合作将成为全新一股全新的力量。

从竞争的趋势来看，原先东芝与西数在闪存合资事业也将获得持续往下的强大动力，除了第六半导体工厂建厂进度将持续进行外，后续半导体设备与下一世代3D-NAND技术开发的资金也将获得保障，在NAND Flash市占率上东芝+WDC的市占率与龙头三星已几乎不相上下，这次的合并案将带给龙头三星极大的挑战与威胁。

CINNO Research预期三星将

加速在韩国平泽厂与未来在西安厂3D-NAND产能的扩张计划与加速96层3D-NAND量产时程与后续更高层次堆栈技术的开发;
加大18奈米以下制程DRAM产品的开发与投资来因应;
加速推出新内存产品MRAM与ReRAM的量产等手段来巩固内存龙头的地位，而由于三星在DRAM与NANDFlash均保有市占率第一的优势，相对于东芝与WDC仅有NAND Flash的产品，三星在战略上将具有较佳的综效，因此后续2018年DRAM与NAND Flash市场将出现更为明显的波动。

NAND Flash下半年的走势来看，由于从去年第三季以来的累计涨幅已高，再加上上半年中国智能型手机的库存调整让相关eMMC/eMCP涨幅趋缓，而固态硬盘SSD的涨幅也同样从第一季起逐季减缓，eMMC/eMCP与SSD第三季单季价格涨幅已收敛至5%以内。

在供应端上，过去2D-NAND转进3D-NAND良率不济的青黄不接时期也慢慢进入尾声，各家业者64层堆栈的3D-NANDFlash也陆续出炉，然而在新款iPhone8将在九月推出，预期OLED iPhone与剩下两款4.7吋与5.5吋LCD的iPhone下半年出货量将达到8000万台的水平，整体NAND Flash的需求尚可维持。

因此第四季NAND Flash价格将持稳，但明年第一季起将进入供不应求的格局开始下滑。

DRAM下半年的走势来看，由于20奈米以下制程转进各家厂商的良率进步速度缓慢，再加上服务器与数据中心的需求强劲，因此即便中国智能型手机品牌上半年因库存调整而需求不佳，整体第三季DRAM价格依旧守稳，第三季Sever内存条较第二季上涨接近10%，PC内存条也单季成长约3-5%QoQ，手机内存则较为弱势，涨幅较缓。

而第四季DRAM厂商持续将产能移往需求较为强劲的Server内存条，我们预期整体DRAM价格将维持部分小涨平盘，明年第一季起价格也将有很大的机会往下。