DRAM | 三星电子、SK海力士为确保竞争力，巨额投资EUV设备

编译：Nina

来源：Chosunbiz

7月30日据业界消息，三星电子与SK海力士为确保营收“孝子”DRAM的未来竞争力，将投资采用10纳米DRAM生产制程EUV曝光方式。全球唯一生产次世代半导体EUV半导体设备厂商—荷兰ASML一年仅可产出20台EUV设备，属于尖端高价设备。                           

ASML曝光设备

用EUV打破DRAM精细工程天花板

EUV 曝光设备可提升半导体生产中最核心的曝光制程能力。曝光制程既是利用光源在晶圆上画出电路的过程。这也是决定芯片大小和制造能力的核心技术之一。

半导体业界数十年来使用的湿蚀刻（Immersion）和Arf浸润光刻技术经过改良可通过2至4次Patterning最小可做到10纳米，但这已经属于上限。

三星电子与SK海力士的10纳米以上至20纳米以下DRAM制程无法提升产能也是因该技术限制。为实现更精细化，需要反复进行Patterning，而如此一来会增加制程次数降低生产能力。

一向重视IC芯片的三星电子开始着手摸索DRAM制程上应用EUV的方式。业界人士评论：通常来说，新的设备会先在IC芯片制程上尝试后转至Memory制程。但此次三星与ASML联手，将同步在IC和Memory上导入新技术。

SK海力士也同样预计在2020年投产的M16工厂采用EUV设备生产10纳米DRAM。也已经着手在利川工厂开展DRAM EUV制程的改良作业。

风险与机遇并存

积极导入新技术以确保霸权地位虽说是好的方向，但EUV导入的风险也不容小觑。除了高达1500亿韩币（9.2亿人民币）的高昂的成本压力外，Memory属于首次尝试导入该技术。

三星电子、TSMC、GF、UMC半导体代工厂全景

全球可供应此种设备的厂商仅为ASML一家，并且生产数量也有限。根据ASML表示今年可产出20台EUV设备，到明年可产出30台，2020年可产出40台。

但三星电子、因特尔、美光、TSMC、GF等设备采购量却越来越多。TSMC为确保EUV设备开始了对赌竞争，再加上SK海力士，预计EUV设备很快会进入“一台难求”的境地。

半导体设备相关人士表示：虽表面看起来EUV对于DRAM制程效率提升帮助很大，但实际光罩与材料问题还属残留课题，不排除在EUV技术稳定化过程中导致巨额损失的可能性。

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