鸿海集团 | 与SK集团长期策略合作，确定入局次世代存储产业

据台湾经济日报报道，鸿海集团对下世代存储很有兴趣，并已与SK集团长期策略合作。旗下半导体次集团总经理暨夏普董事刘扬伟证实，在于海力士合作之前，鸿海集团与台湾的存储大厂旺宏也接触过考量技术演进。

在鸿海方面看来，存储持续往3D堆叠发展并有新技术崛起，可能会进入到下世代特殊型存储，如类似MRAM（磁电阻式随机存取存储）、ReRAM（可变电阻式存储）等应用。

鸿海集团1994年就开始低调发展半导体领域，近一年对外以「S次集团」浮上台面，并纳入集团整体陆续发展的晶圆设备、封测、IC设计与服务等领域。另一方面，鸿海集团也积极在大陆寻找半导体领域投资标的，据了解，鸿海集团半导体扩张布局倾向透过投资与收购，相关计画都是「现在进行式」，善用大陆资源，促成半导体产业一条龙布局，与集团发挥互补作用。

鸿海进军存储之心由来已久

去年，在东芝宣布将出售存储业务的时候，计划改变代工局面，涉足上游的鸿海集团就表现出了对这块业务的信心。

鸿海集团掌门人郭台铭联合戴尔、金士顿科技、苹果等企业已想对东芝存储发起收购。在郭看来，因为它们的产品在使用东芝的半导体，可以支撑起经营。他同时透露，亚马逊已接近加入，鸿海与谷歌、微软和思科的谈判仍在进行中。

郭台铭同时透露，希望鸿海与夏普的出资比率控制在40%以下，东芝的出资比率至少维持在15%。他还表示，为了追赶全球排名第一的韩国三星电子，其领头的财团将大力进行研发投资。

鸿海一直是东芝芯片业务的坚定竞购者。此前曾有消息称，鸿海向东芝芯片开出了3万亿日元（约合270亿美元）的报价，在竞购者的出价中排名第一。

但鸿海在这桩竞购中却被日本方面的不认可。

按照郭台铭的说法，他之所以想入局存储，是为了应对因人工智能等领域不断发展而出现增长的数据中心需求。他强调，未来大数据、海量资料与8K影像都会用到更多储存装置。富士康是全球最大的服务器制造厂，未来将需要更多更大量的储存设备，以满足市场需求。而东芝掌握的最新型存储媒体“固态硬盘（SSD）”也被郭台铭特别强调。他认为，固态硬盘具有出色的节能性，掌握着未来产业的关键。

但最后鸿海出局，东芝存储售给以美国投资公司贝恩（Bain Capital）为主的「美日韩联盟」，这是后话。

下世代存储技术看谁？

现代电子产品中，存储扮演不可或缺的重要的角色。2017年半导体产业产值预估首次超过4,000亿美元，其中原因之一是存储需求大增，厂商能提高售价，2017年营收成长约五成，南韩三星是最大的存储供应商，获利最大。这波存储热潮预计被新兴的需求继续推动，物联网、穿戴式装置、云端储存和巨量资料运算等都将成带动存储市场的动能。

目前存储依储存特性，以断电后资料是否消失可分为挥发性和非挥发性存储，挥发性存储断电后资料不能留存，成本较高但是速度快，通常用于资料暂存；非挥发性存储存取速度较慢，但可长久保存资料。

由于主流存储DRAM与NAND在微缩制程上已出现瓶颈与影响，因此找出替代性的解决方案或改变电路等，以因应未来资料储存需求，将是目前存储产业最重要的议题。

开发下世代存储的三大衡量标准包括成本、元件效能、可微缩性与密度等，其中成本需考量存储颗粒、模组与控制电路等总体；元件效能则包含延迟时间、可靠度、资料保存耐久度等。

下世代的存储，目前普遍朝向改变过去储存电荷来存取资料的方式，藉由改变储存状态机制解决制程上的限制，另外，低功耗为下世代存储甚至元件的共通目标。

同时兼具运算、储存能力的下世代存储，如磁阻式存储(MRAM)、电阻式存储(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性存储(STT-MRAM)等，就成为下世代存储技术的新宠儿。

MRAM的技术在学理上存取速度将超越DRAM达到接近SRAM，且断电后资料不流失，早期由Everspin公司开发，被视为下世代存储技术的重要的竞争者。2017年是MRAM技术爆发的一年，当年在日本举办的大型积体电路技术日本举办的大型积体电路技术、系统和应用国际研讨会，格罗方德与Everspin公司共同发布有抗热消磁eMRAN技术，具能够让资料在摄氏150度下保存资料，可长达十数年的22纳米制程的制程技术，预计2017年底、2018年投产。

而曾经投入存储研发生产，但却不敌成本高昂而退出存储市场的台积电，在2017年台积电技术论坛中，揭露已具备22纳米制程嵌入式磁阻式存储(eMRAM)的生产技术，预定2018年试产。

RRAM其优点是消耗电力较NAND低，且写入资讯速度比NAND快闪存储快1万倍，主要投入研究的厂商有美光、Sony、三星。

台积电也已宣布具备生产22纳米eRRAM技术。3D XPoint技术的主要厂商为英特尔与美光，采用多层线路构成的三维结构，并采用栅状电线电阻来表示0和1，原理类似RRAM。

为储存装置的良好的替代品，具有比NAND快闪存储快了近1,000倍，也可用于运算速度要求低的计算应用。

STT-MRAM是运用量子力学的电子自旋角动量的技术应用，具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗，并相容现有的CMOS制造技术与制程。

目前主要投入厂商有IBM与三星、SK海力士和东芝，其中IBM和三星在IEEE发布研究论文表示，已成功实现10奈秒的传输速度和超省电架构。

尽管下世代存储未来有望取代部分DRAM与NAND快闪存储的市场，甚至取代旧有技术。但是笔者认为，随着人工智能、物联网装置与更多的资料收集与感测需求，下世代的存储技术首先将着眼于以新应用的需求为主，如台积电锁定的嵌入式存储，并充分发挥运算与储存二合一的优势，进一步微缩大小，达到元件更高的市场渗透率。

但是若从厂商动态来看，22纳米的eMRAM技术将于2018年年后逐渐成熟，并开始有大量的市场应用。 

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