CINNO Research 存储器 | 2019年6月DRAM与NAND Flash跌价趋势持续
文 | 小C君
根据CINNO Research 产业研究最新发布的存储器价格报告指出，受到第三季智能型手机备货需求不如预期以及海外市场订单大幅萎缩的影响，再加上服务器市场受到中美贸易摩擦导致供应链混乱，整体存储器终端需求也不如预期。
DRAM与NAND Flash持续维持下降走势。
NAND Flash跌幅较为收敛，主要原因在于先前厂商减少产能主要集中在NAND Flash，包含东芝、西数、海力士和美光；再加上经过几个季度的跌价，各家NAND Flash厂商营业利益率已低到3%以下。
DRAM部分则是还有跌价的空间，因此价格跌幅明显高于NAND Flash，六月份DRAM价格再度较五月份滑落，幅度约8-9%。累计第二季度整体DRAM平均价格较第一季减少28%，跌幅高于预期，而展望下半年第三季度与第四季度，我们认为两个季度的价格跌幅为10-15%不等，以反映下半年旺季不旺的半导体行业情况。
闪存方面，由于东芝(Toshiba Memory)在本月15日发生厂房跳电影响，导致停工将近七天后才陆续缓步复工。除了在线晶圆(WIP, wafer-in-process)受损情况需仔细检查外，设备机台因为停电导致潜在晶圆与设备损伤的影响也是后续必须关注的焦点。而东芝官方释出预期七月中旬才能够完全恢复正常生产的消息，让现阶段其合作伙伴西数电子率先公告自七月起全面调涨闪存产品价格约10-15%不等的幅度，让后续原本惨淡的闪存市场增添柴火，我们初步预估本次跳电将影响东芝/西数阵营大约一个月的闪存产能。然而考虑到现阶段从渠道端、通路商一直到闪存供货商的库存水位都维持在相当高的情况下，后续第三季闪存价格走势将视下半年新手机订单情况以及东芝复工的进度，但可以确定的是短时间内七八月份闪存价格将出现上涨的动力，对于闪存供货商来说也是一阵救命及时雨。
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