兆易创新与代工企业签署12亿元供货合作协议 | 华邦电111亿美元建新厂 规划每月4万片产能

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兆易创新与集成电路芯片代工企业签署12亿元供货合作协议

兆易创新9月5日晚公告，公司拟与国内某大型集成电路芯片代工企业（以下称“代工厂”）签署《战略合作协议》。该协议为供货合作协议，标的为原材料晶圆。金额为至2018年底采购金额为12亿元人民币或以上。

公告表示，本协议有利于保障公司长期稳定的产能供应，协议履行对公司2017年的财务状况和经营业绩不构成重大影响，对公司2018年及以后的财务状况和经营业绩影响情况尚无法判断。协议双方维持了多年的良好合作，本协议将进一步巩固双方的长期合作伙伴关系、增强公司竞争优势。

业内人士表示，兆易创新主要业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品的研发、技术支持和销售。今年上半年实现营业收入9.39亿元，同比增长43.29%，实现归属于上市公司股东的净利润为1.79亿元，同比增长99.59%。

主要原因是产品下游需求旺盛，存储器产品供不应求，持续涨价；同时，其生产良率提高进一步降低成本，叠加新产品毛利率相对较高，拉升平均毛利率；另外，其新产品、新客户和新应用领域逐步开发，下游市场扩大。

从今年下半年看，由于下半年是智能手机等电子产品销售旺季，加之存储器产品持续涨价，该公司下半年业绩将好于上半年。

该公司是国内存储器及物联网芯片产业的龙头企业，32位MCU开发、销售应用顺利，受益于全球NOR Flash供不应求引起的价格持续上扬、产品结构升级、新产品持续量产以及良率提升，该公司业绩有望持续高增长。

该公司与中芯国际等下游供应链企业建立了战略合作关系，为业绩高增长提供了稳定的供货保障。此次签署合作协议，有利于该公司业务的稳定，有利于提高其竞争优势。（来源：中国证券报）

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华邦电111亿美元建新厂 规划每月4万片产能

华邦电5日宣布，在南科投资新厂的计划已经获得台湾地区科技部科学工业园区审议委员会的核准，总投资金额达新台币3,350亿元（约合111亿美元）。若以之前华邦电董事长焦佑钧所说，建厂时间预计3年的情况下，则新厂2020年将可进入投产。

华邦电为台湾地区的DRAM大厂，目前仅有中科的一座12寸厂。2016年的年产能约4.3万片，2017年年底将扩增至4.8万片，2018年底则扩增到5.3万片。未来，最大的扩充能量到5.5万片时就已经将当前台中厂的剩余空间给全部用光。

因此，面对未来的营运成长，兴建新厂成为不得不做的准备。在相关人员查看过南科路竹基地的土地之后，希望可以取得25公顷规模来建厂，于是华邦电在2017年6月底向经济部补件递交计划书，现在终于获得相关单位的同意。

华邦电表示，目前公司正致力于转型为利基型存储器解决方案供应商，近年持续稳定获利，转型效益显著。华邦电在营运成长之际，随着物联网等未来趋势之新兴需求不断崛起，寻求下一阶段成契长机，秉持重视台湾在地投资的理念，向园区提出投资设立新厂案，希望进一步深耕台湾产业发展。

未来将依董事会通过时程公告建厂及产能规划相关事宜，亦密切观察市场动态与供需情况，以稳健脚步审视产能配置，期以充沛产能满足客户需求。

之前华邦电董事长焦佑钧曾经表示，关于新建厂的计划，原本一点也不急。不料，当前台中12寸厂产能在市况好的情况下，很短的时间内就扩产完毕，而且还不敷使用。再加上因为缺工的因素下，新建厂从动工到试产要花3年的时间，光是土建就要花上20个月。所以，最快必须在当下就决定落脚处，不然时间将会来不及。

而根据《科技新报》独家掌握到的消息指出，未来华邦电南科新厂的产能将规划为每月达4万片，以因应目前市场上的需求。而且，近期华邦电就将在董事会上通过该项投资的各项内容，另外预计还进行特定对象的私募增资计划。据了解，该私募计划已经获得国际性半导体大厂的青睐，预计届时将参与该项华邦电的私募。

未来，由于有该国际性半导体大厂的加入，使得华邦电的产品有了稳定的出海口之后，可能会进一步驱动缩短建厂的时程。据了解，如果一切顺利，未来期望藉由新厂的土建时期，就逐步先行导入生产设备，并先利用台中厂的有限空间，再逐渐将部分设备安装到位。之后，随着新厂完成兴建，再将设备陆续搬迁至新厂中，以期能缩短其中所必须消耗的测试时间，希望能提早产品进入市场的时间。

至于新厂制程计划，主要是为了因应2020年之后需求，生产线将以20纳米世代制程DRAM为主体，也可望建置3x纳米NAND/NOR Flash产能。

华邦电总经理詹东义日前指出，台中厂产能不足且Flash需求强劲，DRAM及Flash的生产设备不同，今年扩产都以Flash为主，目前台中厂DRAM制程已可支援3x/2x纳米，但投资金额很大，反而是扩充Flash产能的投资效益较好，台中厂的扩产以投资报酬率（ROI）最大化为主轴。但长期来看，华邦电需要兴建新晶圆厂，DRAM产能限制才能移除。

华邦电的DRAM制程下半年将开始导入38纳米，低容量 NAND Flash目前采用46纳米生产1～2Gb容量芯片，后续进行制程微缩后可望进入32纳米世代，至于NOR Flash制程以46/58纳米为主。设备业者预期，华邦电新厂应可在2020年进入量产，以制程推进来看，新厂将会以20纳米世代制程DRAM产线为主轴，NAND/NOR Flash则会建置3x纳米产能，后续再视情况建置2x纳米生产线。（来源：TechNews科技新报&中时电子报）

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7月全球芯片销售额年增24% 2017年可望创历史新高

半导体产业协会(SIA)于美国股市5日盘后公布，2017年7月全球半导体销售额年增24.0%(月增3.1%)至336亿美元。SIA指出，所有主要区域市场7月份月增率、年增率皆呈现正数。美洲市场领涨，7月年增率、月增率分别达到36.1%、5.4%。所有月销售数字均由世界半导体贸易统计协会(WSTS)编制、代表的是3个月移动平均值。

SIA会长John Neuffer指出，世界半导体销售额连续第12个月呈现年增、反映了全球半导体市场令人印象深刻的持续增长。他指出，全球半导体销售额可望在2017年再创历史新高。

SIA统计显示，2017年7月美洲、中国、亚太/全部其他地区、欧洲、日本分别年增36.1%、24.1%、20.5%、18.9%、16.7%。就月增率而言，美洲、亚太/全部其他地区、中国、日本、欧洲分别成长5.4%、2.8%、2.7%、2.1%、1.2%。

费城半导体指数成分股当中，人工智能(AI)芯片开发商NVIDIA、半导体蚀刻机台制造商科林研发公司(Lam Research Corp.)以及存储器芯片大厂美光(Micron)的涨幅最为惊人，今年迄今(截至2017年9月5日收盘为止)股价分别上涨55.43%、55.21%以及46.30%。（来源：MoneyDJ新闻 ）

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