与DBS硬件相关的感染发生因素
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【Ref: Abode-Iyamah KO, et al. J Neurosurg. 2018 Mar 9:1-10. doi: 10.3171/2017.9.JNS1780. [Epub ahead of print]】
脑深部电刺激（deep brain stimulation，DBS）是治疗某些神经和精神疾病的有效方法。与DBS硬件有关的感染可引起严重的并发症，文献报道DBS相关的感染率高达23%。目前，对导致感染的主要危险因素和可行的预防措施仍不确定。美国爱荷华州爱荷华大学公共卫生学院神经外科的Kingsley O. Abode-Iyamah等对此进行研究，结果发表在2018年3月的《J Neurosurg》在线上。
该研究纳入2005年12月至2015年9月期间在爱荷华大学医院和诊所、由一名外科医生（J.D.W.G.）操作的DBS植入手术患者，所有患者均为第一次接受DBS植入、年龄≥18岁的成人。排除曾做过电极调整或刺激发生器调换者。收集患者的人口统计学、临床症状特征、手术过程和手术部位感染（surgical site infection，SSI）等资料。按国家健康安全网（NHSN）的要求，在植入DBS后随访90天和1年时，分析与DBS相关感染发生的危险因素和伤口内预防性使用万古霉素粉剂（vancomycin powder，VP）的疗效。
共有242例成年患者接受245例次DBS手术，放置464个电极，多数患者接受双侧电极植入。在245例次手术中，9个（3.7%）手术部位在DBS放置90天内发生感染，16个（6.5%）伤口在术后1年内发生感染。最常见的SSI病原菌是革兰氏阳性细菌。临床表现和手术情况在发生感染与未发生感染的患者之间没有差别（表1）。
表1. 手术部位感染和未感染患者的情况比较。
术中在切口上使用VP预防性治疗的患者，SSI的发生率为3.3%（OR=0.32；95% CI，0.10-1.02；P=0.04）；而未接受局部VP治疗患者的伤口感染比例为9.7%。控制患者性别后，VP与降低SSI风险之间的相关性未达到预定的显著目标（调整OR=0.32；95% CI，0.10-1.03；P=0.06）。DBS分阶段植入和一期植入患者SSI的发生率相似。
作者指出，该研究结果表明，临床特征以及手术相关因素与SSI的发生风险无关；但术中VP使用可能有助于降低SSI风险。DBS手术90天后仍有较高的SSI发生率，随访继续至1年以上，对控制与DBS相关的感染有利。
（Xuan编译，复旦大学附属华山医院王知秋教授审校，《神外资讯》主编、复旦大学附属华山医院陈衔城教授终审）
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