Advanced Photonics | 囚禁于光晶格帯隙中的玻色-爱因斯坦凝聚暗局域模
近日,中国科学院西安光学精密机械研究所副研究员、中国科学院大学博导曾健华(中国科学院青促会会员)带领博士研究生曾亮维同学初步揭开了一维和二维暗带隙孤子的谜团。课题组深入研究了囚禁于一维和二维光晶格帯隙中的玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)暗局域模:带隙型暗孤子及其暗孤子簇。通过理论分析和严格的数值研究,课题组发现将BEC囚禁于光晶格中可以形成稳定的物质波帯隙型暗局域模及其二维涡旋结构。下面分别从一维和二维空间阐述相关研究结果。
在一维空间中,人们采用通常的光晶格:V=V0sin2(x),其中V0是常数。经研究发现,通过光晶格的调制作用,暗带隙孤子的边缘总会形成周期结构的调制,这些周期结构的调制波正是相应物理模型的非线性布洛赫波。这些暗带隙孤子的形状随着化学势μ的改变会发生显著的变化。如图1(a)、(b)所示,当化学势μ增大时,暗孤子的中心凹陷部分会越来越窄,而相应的非线性布洛赫波的振幅也会随之增大。同样地,当化学势μ增大时,暗带隙孤子簇的暗孤子中心凹陷部分会越来越窄,相应的非线性布洛赫波振幅也随之增大,如图1(c)、(d)所示。
图1 一维帯隙型暗孤子与暗孤子簇的波结构图。化学势(a)μ=1.8和(b)μ=3.6时的帯隙暗孤子;化学势(c)μ=1.8和(d)μ=3.6时的帯隙暗孤子簇。
经课题组研究发现,将BEC囚禁于完整的光晶格结构中不能形成稳定的二维帯隙型暗孤子与暗孤子簇结构。但是,在光晶格中引入亮缺陷,可以解决这一难题。此时光晶格的形式可以表示成:V=V0[sin2(x)+ sin2(y)][1+Vd(x,y)],其中V0为常数,Vd是二维光晶格中引入的亮缺陷。所谓的亮缺陷,就是指增大晶格中某个凸起的振幅,使其高于其他凸起的振幅。进一步研究发现,将BEC束缚于这种带有亮缺陷的光晶格中很容易构建暗的带隙孤子,此时暗孤子中心凹陷的地方正是光晶格亮缺陷的中心。若光晶格具有多个亮缺陷,则可以形成相应的暗带隙孤子簇。帯隙型暗孤子与孤子簇的三维空间及俯视图如图2所示。与一维结果相似,这些帯隙暗孤子与暗孤子簇相应的非线性布洛赫波背景(振幅)随着化学势的增大而增加。
图2 二维空间中的帯隙型暗孤子与暗孤子簇的(上)三维结构图、(中)俯视图及(下)其波形。位于(a)第一和(b)第二带隙中的暗孤子,(c)暗孤子簇。
End
推荐阅读
Advanced Photonics | 玻色取样:通往量子霸权的光学之路
Advanced Photonics | 深度神经网络实现透过厚散射介质成像
Advanced Photonics | 全新设计显著提升光学神经网络性能
首发前沿光学成果,放送新鲜光学活动
如需转载,请直接留言。
商务合作:高先生 13585639202( 微信手机同号)
免责声明
本文注明来源为其他媒体或网站的文/图等稿件均为转载,如涉及版权等问题,请作者在20个工作日之内来电或来函联系,我们将协调给予处理(按照法规支付稿费或删除)。
最终解释权归《中国激光》杂志社所有。