【节能宣传周技术云展示11】硅衬底LED芯片应用技术
技术提供单位：中节能晶和科技有限公司
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技术介绍
硅衬底LED技术是在硅衬底上进行外延生长后制作LED芯片，该技术的核心是解决了因硅衬底和LED发光材料——GaN材料之间由于热失配和晶格失配的而导致的应力使得GaN出现裂纹的世界性难题。该技术特有的应力缓冲层技术、通孔技术和高反射镜技术使得硅衬底LED芯片具有更高的可靠性、更好的散热、耐更大的电流，且由于硅衬底LED芯片需要剥离生长衬底，而使得其N面朝上具有单面发光的性质，因而硅衬底LED芯片具有更好的方向光和高品质出光。
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主要技术指标
硅衬底LED采用垂直结构，电流分布均匀且扩散快，单面出光，硅衬底大功率LED光源具有高性能、高可靠性、方向光等特点，颜色一致性好，光斑均匀，适合于大功率LED照明和需要方向光和高品质出光的照明领域。硅衬底LED技术已经成为全球第三条蓝光LED技术路线，从源头上打破欧美日等垄断的蓝宝石LED技术和碳化硅LED技术专利壁垒。该技术在全球申请或获得420多项专利，从可见光（蓝、绿）到不可见光（紫外）的原始创新技术的迭代和应用的升级，基础技术水平及应用与世界大厂实现“并跑”。
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应用领域及案例
应用于手机闪光灯、头灯、矿灯、手电等移动照明，汽车后装和前装照明等领域；以及城市照明领域的LED路灯、隧道灯等产品。
银川市城市照明节能改造与智慧升级项目采用硅衬底LED路灯4.5万盏，并配置智能城市照明控制平台。改造后整体节电率达到79.78%，10年运营期预计可实现节电48422万度，节省电费2.6亿元，节约电量相当于节约标准煤19.4万吨，减少排放碳粉尘13.17万吨，减少排放二氧化碳48.3万吨，减少排放二氧化硫1.45万吨。
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