【科技动态】碳纳米管内存速度快100倍！NRAM已准备取代NAND闪存
美国内存技术开发商Nantero最近宣布进行新一轮融资，并准备“浮出水面”──因为该公司认为其独家的非挥发性随机存取内存(non-volatile random accessmemory，NRAM;或称Nano-RAM)，已经准备好取代企业应用或消费性应用市场上的储存级内存。
Nantero 已经向新、旧投资人募得3,150万美元资金，可用以加速NRAM的研发;该公司首席执行官Greg Schmergel在接受EE Times 美国版编辑电话访问时表示，NRAM是以碳纳米管为基础，也就是碳原子组成的圆柱体。那些直径仅1~2纳米的纳米管比钢更强韧，而且导电特性比其他已知的芯片制造材料更好。
其实Nantero早在2001年就已经成立，但是目前仍然像是一家新创公司，它曾经名列EE Times的2013年版“前十大值得关注新创公司”排行榜;Schmergel透露，与系统与组件制造商的合作进展，将让Nantero渐渐脱离潜水模式。他指出，NRAM已经准备好商业化以及量产，Nantero已经开始提供4Mb的高良率NRAM芯片样品，而目前已经有7座量产CMOS晶圆厂安装了NRAM工艺。
Schmergel强调，NRAM技术能提供许多优势，包括读写次数与DRAM相同，而速度则比手机与固态硬盘(SSD)使用的NAND闪存高一百倍：“其耐久性基本上是无限制的，因为碳纳米管永远不会耗损。”测试结果显示，NRAM在极端温度下仍能维持 稳定运作，该种内存甚至接受了航天业者洛柯希德˙马丁(Lockheed Martin)与美国太空总署(NASA)在航天飞机亚特兰提斯号(Atlantis)上的辐射线轰炸测试。
回到地球上;Schmergel表示，NRAM的商业化优势还包括比DRAM或闪存功耗更低，此外碳纳米管的小尺寸，意味着能以更小体积组件储存更多数据，使其适合笔记本电脑、手机、甚至可穿戴设备与物联网设备等终端系统：“还有很多我们无法预期的应用。”
而 Schmergel指出，NRAM在成本上也有显著优势，因为碳纳米管体积小，组件尺寸能轻易微缩，意味着NRAM不会面临与其他种类内存相同的制造挑战;现有的CMOS晶圆厂也不需要额外的设备就能生产NRAM，因为该技术多年来的开发成果，已经使其能完全兼容于现有半导体设备：“你能使用任何一种你想用的微影技术，这非常具成本效益。”
Nantero独家开发的NRAM内存是以碳纳米管为基础
不过Schmergel也表示，Nantero不会自己生产NRAM，而是会将技术授权给组件或设备制造商;他透露低第一款NRAM产品，会是与DRAM内存插槽兼容的模块，而设备制造商能将该碳纳米管储存方案，布署在NAND闪存电路的顶层。
对于Nantero，市场研究机构WebFeet Research首席执行官Alan Niebel表示，该公司埋首于NRAM技术开发超过十年，现在终于是展现成果的时候;而该技术最严峻的考验，是能在多快的时间内整合进芯片。存取次数、 功耗、耐久性、可扩展性以及工艺简易度等条件的表现，则将决定NRAM是否可行或能否被大量采用;但他预期嵌入式NRAM在2016年以前不会出现在市场上，而还要再过一年时间才能见到独立式的NRAM组件问世。
Niebel认为，碳纳米管的耐久性确实颇具吸引力，而若 Nantero真能降低该技术成本、实现其通用性，NRAM将会是非常值得关注的技术。不过他也指出，NRAM的制造成本可能会比DRAM便宜，可能还是会高于NAND闪存;此新内存技术还需要大量的实作、测试与工艺优化。
Nantero可能会在某些应用领域看到 NRAM能取代DRAM的机会，但是DRAM恐怕不是那么容易在短时间之内被大量替代的;根据韩国业界消息，三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)等厂商，都计划在DRAM产能上投资更多，以因应来自手机等移动设备对该内存技术的稳定需求。
在内存领域， 总是会有新兴技术想取代DRAM或NAND闪存，不过只是某些特定应用领域，例如电阻式内存(resistive RAM，RRAM)、磁阻式内存(MRAM)，以及还需要进一步优化的相变化内存(phase-change memory，PCM)技术。
（来源：比特网）
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