祝贺！集成电路学院王欣然教授获首届IEEE NTC Technical Achievement Award
在7月8-11日西班牙举行的IEEE Nano 2024大会上，国际电气与电子工程师协会纳米技术理事会（IEEE NTC）主席Jin-Woo Kim教授向集成电路学院王欣然教授颁发了首届IEEE NTC Technical Achievement Award，以表彰他在“二维半导体生长和电子器件应用方面的贡献（for contributions to the growth of 2D semiconductors and their electronic device applications）”。随后，王欣然教授做了题为“2D semiconductors for future computing”的大会主旨报告。
IEEE NTC Technical Achievement Award设立于2022年，旨在奖励全球纳米技术领域作出突出和创新贡献的个人，遴选标准包括其成果的质量、对相关领域和社区的影响、以及在纳米技术理事会中的服务等。
王欣然教授团队在二维半导体领域深耕10余年，在大面积单晶制备-高性能晶体管器件-集成光电和类脑芯片等方面取得了系统性的创新成果。近10年以通讯作者在Nature、Nature Nano.、Nature Electron.、IEEE IEDM等期刊和旗舰会议发表多篇论文，总引用超过31000次，授权中国和美国发明专利10项。因在二维半导体材料和器件方面的贡献获得科学探索奖、黄昆固体物理与半导体物理奖、中国青年科技奖，并多次入选全球高被引学者。
王欣然教授简介
南京大学电子科学与工程学院教授、副院长、博导，集成电路学院执行院长、兼职博导。国家杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。2004年本科毕业于南京大学物理系，2010年获得美国斯坦福大学物理学博士学位，2010-2011年期间先后在斯坦福大学和伊利诺伊大学香槟分校做博士后研究员，2011年回到南京大学工作。
主要研究下一代信息材料、器件与集成电路，尤其是在二维半导体领域取得突出成果，发表论文170余篇，总引用超过26000次。近10年以通讯作者在Nature（2篇）、Nature Nano.（4篇，包括1篇特邀评论）、Nature Electron.、Nature Rev. Phys.、Nature Commun.（6篇）、IEEE IEDM（5篇，包括1篇邀请论文）等期刊和会议发表论文51篇，授权中美发明专利9项。3次入选全球高被引学者，曾获中国青年五四奖章、中国青年科技奖、江苏省科学技术一等奖、国家自然科学二等奖、中国物理学会黄昆物理奖、科学探索奖等荣誉。
南京大学集成电路学院
南京大学集成电路学院是南京大学在苏州校区首批建设的学院之一，以新获批的一级交叉学科“集成电路科学与工程”为依托，以南京大学传统优势学科如物理、化学、材料、电子、信息科学等学科群为基础，重点建设六个研究方向，包括：（1）微纳电子科学、（2）器件与制造工艺、（3）集成光电子、（4）材料与装备、（5）集成电路设计、（6）封装与系统集成。学院围绕集成电路国家重大需求，致力于解决集成电路器件、设计及制造等相关核心环节的重大基础科学及工程问题，培养集成电路基础性人才、工程型人才、创新型人才及领军型人才，支撑和推动集成电路科学技术与产业的持续发展。
学院成立以来，引进了一批集成电路方向的高水平人才队伍，现已形成了由包括教育部长江特聘教授、国家杰出青年科学基金获得者等学术带头人和高素质青年学术骨干教师组成的团队，涵盖了材料、器件、设计、应用多个方向，形成了一系列高水平原创性成果。
二维半导体材料、器件与集成技术
学院执行院长王欣然教授作为该方向的领军学者，已在该方向深耕十余年，实现了从“材料生长表征-器件制备测量-集成电路设计与工艺”全链条国际领先的技术积累。该研究方向先后获批科技部重点研发计划、基金委创新研究群体项目、基金委重大科研仪器项目、基金委重点项目、江苏省前沿引领项目技术基础研究重大项目等省部级重大项目支持。目前在该研究方向学院已与产业界龙头企业开展了全面深入合作，并将与产业界共同探索二维半导体在未来集成电路中的应用道路。
高能效计算加速芯片设计与应用
依托国家集成电路产教融合创新平台，学院建设了国内一流的IC设计软硬件环境，该方向在满足国家和产业界重大需求的芯片研制领域成果丰硕。学院研发团队设计了高性能数字信号处理芯片，已完成工程示范性应用，关键性能国际领先；在深度学习系统的硬件加速器方面也取得了突破，领先国际同类设计；此外，设计的航天级芯片经过严苛测试，也已进入应用阶段。
宽禁带半导体材料与集成光电子器件
学院研发团队在材料外延和器件微纳加工方面具有丰富的研究成果和技术积累，相关成果在Nature Nanotechnology、Advanced Materials等高水平期刊上发表，多项成果获国家级和省部级科技奖励。该方向长期致力于研究宽禁带半导体材料与器件的产业化技术，近年来获得多项科技部重点研发计划支持，并与产业界龙头企业深入开展合作，部分技术成果已实现转化。
自旋电子器件与技术
相关团队在先进工艺节点下取得全方位产业级关键技术突破，首创多项界面精准制程工艺级控制技术，形成特色工艺集成技术，助力国内首款、国际先进256Mb自旋存储芯片的研制。围绕未来信息产业对超高速、低功耗自旋芯片的需求，建成了国内首套飞秒级时间分辨并自旋分辨极深紫外光电子能谱系统，获得了基金委重大仪器研发项目优秀结题，支撑了自旋量子态的探测与精准调控。2021年李克强总理参观了本系统并给予高度评价。相关成果在Nature子刊与Physical Review Letters发表一系列高水平论文。
近年来，学院相关成果共发表2篇Nature正刊，21 篇Nature/Science子刊，获得国家自然科学二等奖2项，江苏省科技突出贡献奖1项，入选中国光学十大进展。
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来源 | 南京大学集成电路学院
编辑 | 程蕊
责编 | 程蕊