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台积电展示10nm制程芯片，预计2017年量产
据日媒报道，台积电已经在10nm FinFET工艺上迈出了“产品验证”的重要的一步。在上月于旧金山召开的“第52届设计自动化研讨会”（Design Automation Conference）上，台积电就展示了一颗基于10nm FinFET工艺的四核Cortex A57概念验证产品。不过有关这款产品的细节仍有待披露，因为台积电并未给出实际或预期的工作频率。
台积电设计与技术平台部门副主管Willy Chen谈论了该公司“从16nm到16nm+”工艺的流程，称之可因Fins形状的改变而提升性能。而在10nm节点上，晶体管密度将达到原16nm设计的110%。
台积电称，目前16nm的设计流程早已准备就绪，已进入可实际设计芯片的状态。而对于10nm，台积电称，调整了规则检查和集成成分提取器后，第一款集成四核ARM Cortex-A57的验证芯片已经送厂生产，这比4月份财务会议说的第四季度又有提前，2015年风险试产将不会问题。
台积电基础设计与市场营销部门高级总监Suk Lee近期也透露了更多有关10nm制程将于今年晚些时候完成验证，预计2017年开始量产出货。
对于1Xnm工艺，目前苹果的A9、骁龙820、麒麟950等芯片都在努力争夺。虽然英特尔早已用上的14nm工艺，但是下一代的10nm的进程也似乎并不顺利。那么台积电能够在10nm工艺上追赶上英特尔的脚步吗？
编辑：芯智讯-林子
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